Патенти з міткою «легованих»

Номер патенту: 114686

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Галак Олександр Валентинович, Ведь Марина Віталіївна, Сахненко Микола Дмитрович, Каракуркчі Ганна Володимирівна, Горохівський Андрій Сергійович, Ярошок Тамара Петрівна

МПК: C25D 11/06, C25D 3/12, B01J 37/34 ...

Мітки: спосіб, оксидних, легованих, формування, кобальтовмісних, активних, сплавах, каталітичної, покривів, алюмінії

Формула / Реферат:

Спосіб формування каталітично-активних кобальтовмісних оксидних покривів на алюмінії та його легованих сплавах плазмово-електролітичним оксидуванням, який відрізняється тим, що процес оксидування проводять до максимальної напруги 150-190 В протягом 15-60 хв. при поступовому зниженні потужності процесу за рахунок зміни густини струму від початкової 5-10 А/дм2 до кінцевої 2-3 А/дм2 в електроліті, який містить, г/л: пірофосфату калію -...

Номер патенту: 115955

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Каракуркчі Ганна Володимирівна, Ярошок Тамара Петрівна, Ведь Марина Віталіївна, Горохівський Андрій Сергійович, Сахненко Микола Дмитрович

МПК: C25D 11/06, C25D 11/02, C25D 11/04 ...

Мітки: каталітичної, формування, активних, електроліт, покривів, алюмінії, кобальтовмісних, сплавах, оксидних, легованих

Формула / Реферат:

Електроліт для формування каталітично активних кобальтовмісних оксидних покривів на алюмінії та його легованих сплавах, що містить сульфат кобальту та пірофосфат калію, який відрізняється тим, що плазмово-електролітичне оксидування здійснюють в одну стадію з розчину при наступному співвідношенні компонентів, (г/л): калію пірофосфат - 66,0…165,0; кобальту сульфат - 14,0…35,0; рН - 10,5…12,0.

Номер патенту: 115230

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Проскуріна Валерія Олегівна, Пилипенко Олексій Іванович, Будьонний Анатолій Іванович, Смірнов Олександр Олександрович

МПК: C25D 5/34, C25D 3/02

Мітки: електроліт, легованих, сталей, активації, хромонікелевих

Формула / Реферат:

Електроліт активації легованих хромонікелевих сталей, що містить хлоридну кислоту, який відрізняється тим, що до складу електроліту введені хлориднікелю і продукт взаємодії алкоголята лужного металу з галогенпохідними поліетиленгліколей при наступному співвідношенні компонентів, (г/л): кислота хлоридна 80-100 нікель хлорид 40-50 продукт взаємодії алкоголята...

Номер патенту: 111559

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ведь Марина Віталіївна, Галак Олександр Валентинович, Горохівський Андрій Сергійович, Каракуркчі Ганна Володимирівна, Ярошок Тамара Петрівна, Сахненко Микола Дмитрович

МПК: C25D 11/04, C25D 3/12, C25D 11/02 ...

Мітки: кобальтовмісних, спосіб, легованих, оксидних, формування, алюмінії, каталітичної, активних, покривів, сплавах

Формула / Реферат:

Спосіб формування каталітично активних кобальтовмісних оксидних покривів на алюмінії та його легованих сплавах плазмово-електролітичним оксидуванням, який відрізняється тим, що процес проводять до максимальної напруги 150…190 В протягом 15…60 хв. при поступовому зниженні потужності процесу за рахунок зміни густини струму від початкової 5…10 А/дм2 до кінцевої 2…3 А/дм2 в електроліті, який містить, г/л: калію пірофосфат - 66,0…165,0; кобальту...

Номер патенту: 105846

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Томашик Василь Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Борук Сергій Дмитрович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Капуш Ольга Анатоліївна, Тріщук Любомир Іванович

МПК: C01G 11/00, C01B 19/04, C30B 7/08 ...

Мітки: синтезу, телуриду, кадмію, спосіб, нанокристалів, легованих

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині в деіонізованій воді з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти з концентрацією 4,6•10-2-1,15•10-1 моль/л шляхом взаємодії прекурсорів в реакторі повного змішування напівперіодичної дії впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що нанокристали кадмію телуриду в процесі синтезу додатково легують домішковими атомами рідкоземельних елементів з...

Номер патенту: 109935

Опубліковано: 26.10.2015

Автор: Кобаско Микола Іванович

МПК: C21D 1/20, C21D 1/19, C21D 1/18 ...

Мітки: високовуглецевих, виробу, спосіб, легованих, гартування, сталей, ізотермічного, чавунів

Формула / Реферат:

1. Спосіб ізотермічного гартування виробу з високовуглецевих легованих сталей або чавунів, що включає їх нагрівання до температури аустенізації і охолодження в розчинах солей під атмосферним або надлишковим тиском, який відрізняється тим, що температура кипіння водних розчинів солей протягом бульбашкового кипіння за допомогою тиску від 0,1 МПа до 1,6 МПа підтримують на рівні температури початку мартенситного перетворення вказаних сталей або...

Номер патенту: 94829

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Дорфман Ігор Євгенович, Гавриш Олег Анатолійович, Киричок Петро Олексійович, Гавріш Анатолій Павлович, Роїк Тетяна Анатоліївна, Віцюк Юлія Юріївна

МПК: B24B 55/00, B24B 1/00

Мітки: легованих, композитів, друкарської, тертя, плоских, поверхонь, зносостійких, оброблення, алюмінію, базі, техніки, абразивного, деталей, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб абразивного оброблення плоских поверхонь зносостійких деталей тертя друкарської техніки з легованих композитів на базі алюмінію, який здійснюють дрібнозернистими шліфувальними інструментами при інтенсивній подачі у зону обробки мастильно-охолоджуючої речовини, а оброблювану деталь фіксують на столі шліфувального верстату з наданням їй поздовжньо-зворотного переміщення та одночасним горизонтальним рухом, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 84495

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Криницький Олександр Степанович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, структур, термоелектричних, основі, легованих, отримання, n-pbte:bi

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих термоелектричних структур на основі n-РbТе:Ві, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) К на підкладки ситалу при температурі Тп=(470±10) К, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві із вмістом легуючої домішки...

Номер патенту: 83059

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Мірошниченко Вікторія Ігорівна, Ткаченко Ігор Федорович, Уніят Михайло Анатолійович, Ткаченко Костянтин Ігоревич

МПК: C21D 1/00

Мітки: сталей, обробки, спосіб, легованих, нормалізуються, термічної, металопродукції

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки металопродукції з легованих сталей, які нормалізуються, що включає нагрівання, ізотермічну витримку та кінцеву зміцнюючу термічну обробку (нормалізація), який відрізняється тим, що ізотермічну витримку здійснюють за наступних умов: Тв=½(Ас1+Ас3)±5 °C, tв=6÷9 хв/мм.

Номер патенту: 82990

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 25/00

Мітки: магнітного, мікрокристалів, антимоніду, поля, стійких, радіаційної, легованих, спосіб, сенсорів, отримання, індію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих мікрокристалів антимоніду індію для радіаційно-стійких сенсорів магнітного поля, згідно з яким кварцову ампулу, в якій послідовно розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)×10-4 Па, запаюють та розмішують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів...

Номер патенту: 102452

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Кулик Віктор Михайлович, Демченко Едуард Леонідович

МПК: B23K 9/16, C21D 9/50

Мітки: матеріалом, плавким, зварювання, сталей, електродним, легованих, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб зварювання легованих сталей плавким електродним матеріалом з отриманням високолегованого металу шва аустенітного класу, який відрізняється тим, що високолегований аустенітний шов формують електродним матеріалом на основі прутка або порожнистого дроту із нелегованої сталі з порошками металічних марганцю і хрому, феротитану і ферованадію та неметалевих мінералів з отриманням металу, що містить в % 12,0-30,0 Μn; 4,0-15,0 Сr і до...

Номер патенту: 102387

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Сермонд Бернд, Карака Ахмет, Вільфінг Герхард

МПК: B22F 9/02, C01B 6/00, B22F 9/22 ...

Мітки: титану, спосіб, цирконію, гафнію, виготовлення, легованих, елементами, порошків, основі, сплавів

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення порошків сплавів на основі титану, цирконію та гафнію, легованих елементами Ni, Сu, Та, W, Re, Os та Іr, за яким оксид Ті та/або Zr, та/або Hf змішують з металевим порошком вищезазначених легуючих елементів та відновлювальним засобом і цю суміш нагрівають у печі в атмосфері аргону, поки не почнеться реакція відновлення, продукт реакції піддають вилуговуванню, після чого промивають і висушують, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 79670

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Прохорович Анатолій Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович

МПК: G01J 5/00

Мітки: фронті, спосіб, визначення, легованих, монокристалів, злитків, температури, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури на фронті кристалізації злитків легованих монокристалів, які переважно отримуються способами направленої кристалізації, що включає операції вимірювання пірометром яскравісної температури меніска на границі кристал-розплав та обчислення температури на фронті кристалізації за залежностями, які ґрунтуються на законах теплового випромінювання, який відрізняється тим, що температуру на фронті кристалізації визначають...

Номер патенту: 78989

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Мельник Віктор Павлович, Кирюша Олексій Іванович, Гамов Дмитро Вікторович, Нікірін Віктор Андрійович, Малютенко Олег Юрійович, Хацевич Ігор Мирославович, Богатиренко Вячеслав Валерійович

МПК: G01R 31/308, G01N 21/00

Мітки: легованих, спосіб, виявлення, безконтактного, матеріали, напівпровідниковому, областей

Формула / Реферат:

Спосіб безконтактного виявлення легованих областей в напівпровідниковому матеріалі, що включає визначення розподілу концентрації вільних носіїв заряду по поверхні зразка, який відрізняється тим, що зразок нагрівають до температури 50-200 °С і з допомогою тепловізійної камери реєструють розподіл по поверхні зразка густини потоку теплового інфрачервоного випромінювання в області за краєм фундаментального поглинання даного напівпровідника, який...

Номер патенту: 100736

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Баранський Петро Іванович, Асніс Юхим Аркадійович, Бабич Вілик Максимович, Статкевич Ігор Іванович, Піскун Наталія Василівна

МПК: C30B 13/12, C30B 13/22, C30B 29/06 ...

Мітки: спосіб, одержання, зонної, методом, здійснення, плавки, монокристалів, безтигельної, пристрій-натікач, електронно-променевої, кремнію, легованих

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання легованих монокристалів кремнію методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки, який полягає в тому, що розплавляють зону вихідного стрижня дисковим електронним променем і подають легуючу домішку у плавильну камеру, яка вакуумується, при цьому газ легуючої домішки подають безпосередньо в плавильну камеру за допомогою пристрою-натікача, що включає циліндричний корпус з штуцерами для підключення входу і виходу...

Номер патенту: 75610

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Мірошниченко Вікторія Ігорівна, Уніят Михайло Анатолійович, Ткаченко Ігор Федорович, Ткаченко Костянтин Ігоревич

МПК: C21D 1/00

Мітки: металовиробів, обробки, легованих, комплексної, сталей, термічної, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб комплексної термічної обробки металовиробів з легованих сталей, що включає нагрівання, ізотермічну витримку та кінцеву зміцнюючу термічну обробку (нормалізація, термічне поліпшення та ін.), який відрізняється тим, що кінцеву зміцнюючу термічну обробку (нормалізація, термічне поліпшення та ін.) здійснюють за наступних умов аустенітизації: ТА=Ас3(m)+(10-20) °С, τΑ=0,8¸1,2 хв./мм.

Номер патенту: 70409

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Гайворонський Володимир Ярославович, Притула Ігор Михайлович, Безкровна Ольга Миколаївна, Колибаєва Марія Іванівна, Копиловський Максим Андрійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Косінова Анна Володимирівна

МПК: C30B 7/00, G02F 1/35

Мітки: спосіб, вирощування, легованих, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів KDP, легованих наночастинками ТіО2 (у модифікації анатазу) розміром 5-25 нм, які вводять у розчин KDP у вигляді суспензії в концентрації 10-4-10-5 мас. %, що включає підготовку кристалізатора, приготування розчину солі КН2РО4 та його фільтрацію, виготовлення та встановлення затравки, підготовку домішки, перегрівання розчину впродовж доби, заливку розчину у кристалізатор, додавання домішки у розчин, вирощування...

Номер патенту: 65944

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Ткаченко Ігор Федорович, Уніят Михайло Анатолійович

МПК: C21D 1/00

Мітки: сталей, термічної, обробки, спосіб, металопродукції, легованих, конструкційних

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки металопродукції з конструкційних легованих сталей, який включає нагрівання, ізотермічну витримку та охолодження, який відрізняється тим, що ізотермічну витримку здійснюють в інтервалі температур від (Ас1 - 20) °С до Ас1, протягом часу, що визначається з розрахунку 4-8 хв/мм, залежно від ступеня хімічної неоднорідності.

Номер патенту: 65673

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Бойчук Володимира Михайлівна, Туровська Лілія Вадимівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: n-типу, спосіб, pbte:co, легованих, кристалів, провідності, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Номер патенту: 60473

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна, Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 25/00

Мітки: отримання, арсеніду, спосіб, мікрокристалів, легованих, індію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують арсенід індію та підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)·10-2 Па, заповнюють транспортним газом - хлористим воднем до тиску (3¸4)·104 Па, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури...

Номер патенту: 92377

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Маниліч Михайло Іванович, Кондратенко Максим Максимович, Водоп'янов Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/203, C30B 23/02

Мітки: твердих, легованих, телуридів, шарів, розчинів, свинцю, індієм, фоточутлівих, спосіб, одержання, епітаксійних, олова

Формула / Реферат:

Спосіб одержання фоточутливих епітаксійних шарів твердих розчинів телуридів свинцю і олова, легованих індієм, який включає випаровування матеріалу джерела пари у вакуумі і вирощування методом гарячої стінки епітаксійних шарів на сколотій в кристалографічній площині (111) підкладці з фториду барію, який відрізняється тим, що для випаровування беруть матеріал хімічного складу (Рb1-xSnх)1-уІnуТе1+d, де 0,34 £ х £ 0,35, 0,015 £...

Номер патенту: 91251

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Жук Геннадій Віліорович, ТРИГУБ Микола Петрович, Фесан Андрій Анатолійович, Самофалов Олексій Валентинович, Березос Володимир Олександрович

МПК: C22B 34/12, C22C 1/02, B22D 7/00 ...

Мітки: титанових, зливків, легованих, одержання, спосіб, алюмінієм

Формула / Реферат:

Спосіб одержання легованих алюмінієм титанових зливків при електронно-променевій плавці, який включає додавання до 10 мас. % алюмінію в титанову шихту, плавлення шихти з одержанням зливків, який відрізняється тим, що додатково до титанової шихти додають хром в необхідній кількості, в залежності від кількості алюмінію, що додають у шихту, при цьому хром видаляють випаровуванням в процесі плавки.

Номер патенту: 90561

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Альфф Харальд, Шумахер Кай, Рот Хельмут, Гольхерт Райнер, Рохніа Андрее-Маттіас

МПК: C09C 3/06, C01B 13/14, C09C 1/00 ...

Мітки: часток, спосіб, металів, одержання, оксидів, легованих

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання часток легованих оксидів металів, у якому легуючий компонент міститься на поверхні у формі доменів, у якому- у першій зоні реакції сполуку металу, що окислюється й/або гідролізується та яка є легуючою добавкою, разом з атомізуючим газом атомізують у потік часток оксидів металів у газі-носії,- у якому масовий потік часток оксидів металів і масовий потік легуючої добавки обрані такими, щоб частки легованих...

Номер патенту: 46918

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання, n-cdte, легованих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих монокристалів n-CdTe, за яким монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки СdІ2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал здійснюють у парі кадмію при температурі Тв=(1050-1080) К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах РСd=(103-105) Па, час...

Номер патенту: 46915

Опубліковано: 11.01.2010

Автор: Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, отримання, n-типу, монокристалів, легованих, провідності, cdte:i

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:I n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що як легуючу домішку  вибирають CdI2 при концентрації йоду .

Номер патенту: 43897

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Криськов Анатолій Андрійович, Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Криськов Цезарій Андрійович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/00

Мітки: aivbvi, спосіб, легованих, кристалів, однорідної, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих кристалів термоелектричного матеріалу АIVВVI, який включає завантаження в кварцову ампулу вихідних компонентів бінарної сполуки та легуючої домішки, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження...

Номер патенту: 85320

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Зайцев Юрій Георгійович, Майоров Олександр Анатолійович, Медяник Віктор Григорович, Засінець Євгеній Григорович, Бабич Юрій Валентинович

МПК: B22D 15/00, B22D 21/00, C21D 1/18 ...

Мітки: силумінів, мідистих, виготовлення, легованих, деталей, гідромашин, спосіб, корпусних, виливків, типу, цинком

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення виливків типу корпусних деталей гідромашин з мідистих силумінів, легованих цинком, що включає заливку рідкого металу в кокіль, витягання виливка з кокілю, подальше загартування виливка у воді і старіння, який відрізняється тим, що виливок з кокілю витягують відразу після утворення на металі твердої кірки, яку визначають за помітним слідом, що утворюють шляхом удару ливарними кліщами по прибутковій частині виливка,...

Номер патенту: 24510

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, cdte:v, монокристалів, легованих, p-типу, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:V n- i р-типу провідності, в якому як вихідну речовину використовують кадмій і телур особливо чистих марок, взяті у співвідношенні, що відповідає стехіометричному складу сполуки CdTe, і ванадій, поміщають у двозонну піч, нагрів у першій зоні проводять при температурі 1390 °С, температура другої зони дорівнює 1280 °С, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки (ванадій)...

Номер патенту: 24133

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Ткачик Оксана Володимирівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: pbte:bi, кристалів, провідності, спосіб, отримання, p-типу, легованих

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Ві n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу...

Номер патенту: 20133

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Пятачук Світлана Геннадіївна, Сосновський Леонід Олександрович, Баглюк Геннадій Анатолійович, Напара-Волгіна Світлана Георгієвна, Куровський Валентин Якович

МПК: B22F 1/00, C22C 38/04

Мітки: одержання, марганцем, сталей, спечених, спосіб, легованих

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання спечених сталей, легованих марганцем, що включає підготовку шихти, яка  складається з порошків заліза та марганцевмісної лігатури, пресування заготовок та їх спікання, який відрізняється тим, що  як марганцевмісну лігатуру використовують порошок евтектичного сплаву системи Мn-Сu-Fe при співвідношенні компонентів марганцю та міді (мас. %) як (3060)...

Номер патенту: 70585

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Котур Богдан Ярославович, Герцик Оксана Миронівна, Ковбуз Мирослава Олексіївна, Беднарська Лідія Михайлівна

МПК: C30B 31/00, C23C 10/00

Мітки: легованих, сплавів, поверхні, спосіб, аморфних, основі, регенерації

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення зносостійкості допоміжних накладок корінних листів та опорних сухарів ресор автомобіля полягає у тому, що наклепують допоміжні накладки на задні кінці корінних листів, які ковзають по опорних сухарях, утворюють механічним засобом рельєф на поверхні тертя допоміжних накладок корінних листів ресор, збирають ресори, одночасно закладаючи консистентні (графітові) мастильні матеріали.

Номер патенту: 3773

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Байрачний Борис Іванович, Байкова Тетяна Федорівна, Ємець Наталья Борисівна

МПК: C25D 3/38

Мітки: легованих, електроліт, сплавів, міднення, заліза

Формула / Реферат:

Електроліт міднення легованих сплавів заліза, що містить однохлористу мідь, хлористоводневу кислоту, який відрізняється тим, що додатково містить хлористий натрій та сульфамінову кислоту при такому співвідношенні компонентів (г/дм3): мідь однохлориста 25-35 хлористоводнева кислота 40-60 хлористий натрій 80-100 сульфамінова...

Номер патенту: 70585

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Герцик Оксана Миронівна, Ковбуз Мирослава Олексіївна, Котур Богдан Ярославович, Беднарська Лідія Михайлівна

МПК: C30B 31/00, C23C 10/00

Мітки: компонентів, підвищення, сплавів, основі, легованих, спосіб, вмісту, металевих, поверхні, аморфних

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення зносостійкості допоміжних накладок корінних листів та опорних сухарів ресор автомобіля полягає у тому, що наклепують допоміжні накладки на задні кінці корінних листів, які ковзають по опорних сухарях, утворюють механічним засобом рельєф на поверхні тертя допоміжних накладок корінних листів ресор, збирають ресори, одночасно закладаючи консистентні (графітові) мастильні матеріали.

Номер патенту: 68708

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Яцура Анна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: селеніду, легованих, отримання, спосіб, p-типу, вісмутом, плівок, свинцю

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих вісмутом плівок селеніду свинцю n- і р-типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі ТВ, нагрівання додаткового джерела до температури ТД, стінок камери до температури ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 до температури ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані вісмутом, які випаровують при ТВ=970 К,...

Номер патенту: 65338

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Дмитрів Анжела Миколаївна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 33/00, C30B 31/00

Мітки: монокристалів, хлором, отримання, спосіб, легованих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих хлором монокристалів n-CdTe, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію PCd>6-103 Па, час відпалу становить...

Номер патенту: 51285

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Фреїк Дмитро Михайлович, Бойчук Володимира Михайлівна, Никируй Любомир Іванович, Нижникевич Володимир Всеволодович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, легованих, отримання, p-типу, кристалів, pbте, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих кристалів РbТе n- і p-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Номер патенту: 50176

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Довгий Олег Ярославович, Нижникевич Володимир Всеволодович, Павлюк Любомир Ростиславович, Фреїк Андрій Дмитрович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, легованих, отримання, плівок, p-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих плівок PbSe n- і р-типу методом випаровування у вакуумі вихідної речовини при ТВ, нагріванням додаткового джерела свинцю до ТД, стінок камери - до ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів BaF2 - до ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані талієм, які випаровують при ТВ=970 К, температура додаткового джерела - ТД=900 К, температура стінок...

Номер патенту: 44326

Опубліковано: 15.02.2002

Автор: Едлінгер Альфред

МПК: C04B 5/00, C21B 11/00, C21B 13/00 ...

Мітки: чавунів, спосіб, легованих, також, окисних, цього, белітових, пристрій, клінкерів, здійснення, синтетичних, доменних, переробних, виготовлення, алітових, способу, пуцоланів, шлаків

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення пуцоланів, синтетичних доменних шлаків, белітових або алітових клінкерів, а також легованого переробного чавуну з окисних шлаків шляхом відновлення окисних рідких шлаків над ванною рідкого чавуну при вдуванні вуглецю у ванну рідкого чавуну, який відрізняється тим, що вуглець вдувають крізь заглибні фурми та підтримують вміст вуглецю у межах від 2,5 до 4,6 % за масою.2. Спосіб за пунктом 1, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 41850

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Гомоннай Олександр Васильович, Мегела Іван Георгійович

МПК: G21H 5/00

Мітки: індію, монокристалів, арсеніду, спосіб, легованих, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки легованих монокристалів арсеніду індію, що включає термічний відпал дефектів, який відрізняється тим, що підвищення домішкової однорідності матеріалу досягається радіостимульованою дифузією внаслідок високоенергетичного опромінення (електронами, y -квантами) величиною інтегрального потоку, при якій реалізується рівномірний просторовий розподіл домішок, причому введені радіаційні дефекти усуваються наступним температурним...

Номер патенту: 27059

Опубліковано: 28.02.2000

Автор: Кобаско Микола Іванович

МПК: C21D 1/18

Мітки: сталей, гартування, спосіб, легованих

Формула / Реферат:

Способ закалки легированных сталей, включающий нагрев до температуры аустенизации, интенсивное охлаждение в жидкой среде, выдержку при температуре кипения пристенного слоя жидкой среды, охлаждение до температуры окружающей среды и отпуск, отличающийся тем, что выдержку ведут в условиях интенсивного теплообмена до получения мартенсита в переохлажденном аустените в области 50%, определяемого скоростью перемещения и выгрузки изделий по...