Патенти з міткою «n-gan»

Номер патенту: 40277

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Воронько Андрій Олександрович, Круковський Семен Іванович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/02

Мітки: спосіб, n-gan, виготовлення, омічних, контактів, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічних контактів до n-GaN, що включає послідовне напилення шарів Ті, Аl на нагріту до 150-200 °С плівку n-GaN та їх термовідпал при температурі 890-910 °С протягом 30-90 секунд і наступне напилення шарів ТіВх, Аu, який відрізняється тим, що на поверхню шару Аl перед напиленням шару ТіВх наносять шар Yb товщиною від 7 нм до 13 нм.