Воронько Андрій Олександрович

Номер патенту: 90571

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Воронько Андрій Олександрович, Золот Анатолій Іванович, Ходаковський Микола Іванович

МПК: H01L 21/00

Мітки: наноелектронних, структур, керування, пристрій, формуванням

Формула / Реферат:

Пристрій керування формуванням наноелектронних структур, який містить блок керування параметрами пристрою, вхід якого є входом пристрою, а вихід з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, другий вихід блока керування параметрами пристрою з'єднаний з входом блока сканування вістрям структури, вихід блока сканування вістрям структури з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, вихід блока керування тунельним струмом...

Номер патенту: 42435

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Воронько Андрій Олександрович, Русанов Анатолій Григорьєвич, Москаленко Михайло Андрійович, Ларкін Сергій Юрійович, Мержвинський Павло Анатолійович, Мержвинський Анатолій Олександрович, Карпінський Константин Борисович

МПК: H01L 21/00

Мітки: драйвером, тестування, світлодіодів, пристрій, змінним, лазерів

Формула / Реферат:

1. Пристрій зі змінним драйвером для тестування лазерів та світлодіодів, який містить модулятор, перший вхід якого є входом даних, джерело напруги зміщення, джерело струму зміщення, вихід якого з'єднаний з виходом модулятора, схему корекції струму зміщення, схему контролю лазера, перший вхід якої з'єднаний з входом схеми корекції, блок тестового випромінювача, електричний вхід якого з'єднаний з виходом модулятора, перший електричний вихід...

Номер патенту: 41229

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Голяка Роман Любомирович, Круковський Семен Іванович, Воронько Андрій Олександрович, Михащук Юрій Сергійович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/00

Мітки: лазерних, точками, квантовими, гетероструктур, спосіб, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб кристалізації лазерних гетероструктур InGaAs/Іn0,2Al0,3Ga0,5As, з квантовими точками InAs/InGaAs, що включає послідовне нарощування на підкладці GaAs метаморфного буфера InGaAs, p- та n-емітерів Іn0,2Al0,3Ga0,5As, який відрізняється тим, що формування квантових точок на поверхні епітаксійних шарів InGaAs (Іn0,2Al0,3Ga0,5As) здійснюється в присутності атомів гадолінію в кількостях від 5,0∙1010см-2 до 2,0∙1011см-2.

Номер патенту: 40991

Опубліковано: 27.04.2009

Автори: Воронько Андрій Олександрович, Лаунець Вілієн Львович, Вовченко Людмила Леонтіївна, Мацуй Людмила Юрівна, Олійник Віктор Валентинович

МПК: G01N 27/72

Мітки: визначення, сталої, інтегральної, спосіб, речовини, шаруватої, діелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб визначення інтегральної діелектричної сталої шаруватої речовини, що включає вимірювання положення довільного мінімуму стоячої хвилі у хвилеводі, закритому на кінці металевою пластиною з малим електричним опором, та коефіцієнта стоячої хвилі і зсув того ж мінімуму при розміщенні плоского зразка із досліджуваної речовини у тому ж хвилеводі впритул до металевої пластини, вимірювання діелектричної сталої для двох товщин зразка, який...

Номер патенту: 40305

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Потапова Галина Костянтинівна, Москаленко Михайло Андрійович, Туровський Анатолій Олександрович, Воронько Андрій Олександрович

МПК: H01L 31/05, H01L 31/042

Мітки: кутових, джерела, оптичного, випромінювання, спосіб, визначення, координат

Формула / Реферат:

Спосіб визначення кутових координат джерела оптичного випромінювання, який полягає в тому, що випромінювання джерела фокусують на позиційно-чутливу матрицю у світлову пляму, перетворюють оптичні сигнали на елементах матриці в електричні, формують сигнали, рівні сумам електричних сигналів з елементів матриці, порівнюють ці сигнали з порогом виявлення, за результатом порівняння приймають рішення про наявність і положення світлової плями на...

Номер патенту: 40278

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Туровський Анатолій Олександрович, Москаленко Ксенія Михайлівна, Воронько Андрій Олександрович, Потапова Галина Костянтинівна

МПК: H01L 31/042, H01L 31/05

Мітки: позиційно-чутлива, матриця, елементів, фоточутлівих

Формула / Реферат:

Позиційно-чутлива матриця фоточутливих елементів, фоточутливі елементи якої з'єднані у рядки та стовпці, елементи рядків і елементи стовпців з'єднані за сигналом паралельно, яка відрізняється тим, що рядки матриці утворені фоточутливими елементами, з'єднаними паралельно по сигналу вздовж діагоналей, паралельних рядкам матриці, а фоточутливі елементи, що належать до рядків матриці, вписані у ромбічні чарунки із діагоналями, паралельними до...

Номер патенту: 40277

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Круковський Семен Іванович, Воронько Андрій Олександрович

МПК: H01L 21/02

Мітки: шарів, n-gan, спосіб, виготовлення, омічних, контактів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічних контактів до n-GaN, що включає послідовне напилення шарів Ті, Аl на нагріту до 150-200 °С плівку n-GaN та їх термовідпал при температурі 890-910 °С протягом 30-90 секунд і наступне напилення шарів ТіВх, Аu, який відрізняється тим, що на поверхню шару Аl перед напиленням шару ТіВх наносять шар Yb товщиною від 7 нм до 13 нм.

Номер патенту: 39552

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Золот Анатолій Іванович, Ходаковський Микола Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Воронько Андрій Олександрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: сіль, еталонних, пристрій, атомно-силової, основі, виготовлення, електростатичних, структур, мікроскопі

Формула / Реферат:

Пристрій для виготовлення еталонних структур на основі атомно-силової мікроскопії електростатичних сил, що містить блок керування параметрами, вхід якого є входом пристрою, а вихід зв'язаний з входом блока прецизійного контролю форми верхівки вістря зонда, другий вихід блока керування параметрами зв'язаний з входом блока сканування вістряної структури, вихід блока сканування вістряної структури з'єднаний з входом блока прецизійного контролю...

Номер патенту: 39000

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Пермяков Віталій Васильович, Новікова Євгенія Іванівна, Воронько Андрій Олександрович, Бойло Ирина Вікторівна

МПК: G02B 3/00

Мітки: заломлення, негативним, лінза, показником, матеріалу

Формула / Реферат:

Лінза з матеріалу з негативним показником заломлення для одержання дійсного зображення об'єкта, обмежена плоскою і увігнутою фронтальними і бічною поверхнями, яка відрізняється тим, що увігнута фронтальна поверхня виконана сферичною з центром на оптичній осі, а бічна - конусною з вершиною, співпадаючою з центром цієї сфери.

Номер патенту: 85103

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Воронько Андрій Олександрович, Потапова Галина Костянтинівна

МПК: G02B 11/00

Мітки: бленда

Формула / Реферат:

1. Бленда, що має корпус, яка відрізняється тим, що виконана у вигляді присоски для кріплення до поверхні, через яку ведеться відеоспостереження, причому корпус виконаний з хоча б частково непрозорого у спектрі відеоспостереження еластично-пружного матеріалу, який частково деформується при кріпленні до поверхні.2. Бленда за п. 1, яка відрізняється тим, що додатково має хоча б частково прозору у спектрі відеоспостереження і герметично...

Номер патенту: 25817

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Потапова Галина Костянтинівна, Воронько Андрій Олександрович

МПК: G02B 11/00

Мітки: бленда

Формула / Реферат:

1. Бленда, що містить корпус, яка відрізняється тим, що виконана у вигляді присоска для кріплення до поверхні, через яку ведеться відеоспостереження, яка містить хоча б частково виконаний з еластично-пружного непрозорого у спектрі відеоспостереження матеріалу корпус, що частково деформується при кріпленні до поверхні.2. Бленда за п. 1, яка відрізняється тим, що в неї додатково введена прозора у спектрі відеоспостереження і...

Номер патенту: 23771

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Воронько Андрій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович, Костюкевич Сергій Олександрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: затвора, нвч-транзистора, спосіб, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування субмікронного затвора НВЧ-транзистора, який полягає у тому, що у робочому n-шарі напівпровідникової пластини створюють канавку з розмірами, які визначаються необхідними напругою відсічки та струмом насичення, металізують канавку та пасивують поверхню пластини, який відрізняється тим, що канавку для затвора виконують шляхом зондової нанолітографії.

Номер патенту: 23770

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Воронько Андрій Олександрович, Костюкевич Сергій Олександрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: електродної, транзисторів, системі, субмікронної, нвч-польових, спосіб, формування, затворів

Формула / Реферат:

Спосіб формування субмікронної електродної системи затворів НВЧ-польових транзисторів, який включає формування маски, осадження у вакуумі і видалення маски, який відрізняється тим, що для формування маски використовують фоторезист на основі шарів потрійного з'єднання:As40S60-x, де 5≤х≤25.

Номер патенту: 22867

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Бобженко Сергій Володимирович, Воронько Андрій Олександрович, Пономаренко Анатолій Олександрович

МПК: H01L 23/34, H01S 5/00

Мітки: напівпровідникового, приладу, пристрій, охолодження, термостабілізації

Формула / Реферат:

1. Пристрій для охолодження та термостабілізації напівпровідникового приладу, що містить теплову трубу, камера випаровування якої знаходиться у тепловому контакті з напівпровідниковим кристалом, який відрізняється тим, що зона теплового контакту теплової труби з кристалом обмежена контактною площадкою напівпровідникового кристала, розташованою у зоні найбільшого тепловиділення.2. Пристрій для охолодження та термостабілізації...

Номер патенту: 22866

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Воронько Андрій Олександрович, Потапова Галина Костянтинівна

МПК: H01L 31/05, H01L 31/042

Мітки: кутових, спосіб, джерела, оптичного, випромінювання, координат, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення кутових координат джерела оптичного випромінювання, що полягає у тому, що випромінювання джерела за допомогою оптичної системи фокусують на позиційно-чутливу матрицю у пляму розміром більше одного елемента матриці, на елементах матриці перетворюють оптичні сигнали в електричні сигнали, формують електричні сигнали, рівні сумам електричних сигналів від елементів матриці кожного непарного рядка, розташованих у непарних...

Номер патенту: 22865

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Воронько Андрій Олександрович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/70

Мітки: ефектом, надтонкого, оксиду, отримання, транзисторів, шару, спосіб, пам'яті

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких шарів оксиду SiO2, за яким тонкий шар оксиду осаджують з газової фази, відпалюють у атмосфері сухого азоту та опромінюють іонами кремнію, який відрізняється тим, що як імплантовані іони Si використовують низькоенергійні іони Si+ з енергією 1-2 кеВ, а відпал здійснюють при температурі 1030-1070 °С протягом 25-30 хв у атмосфері з вмістом кисню з залишковим тиском кисню 45-50 мбар.