Патенти з міткою «омічних»

Номер патенту: 94616

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Капітанчук Леонід Мусійович, Сай Павло Олегович, Саченко Анатолій Васильович, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна, Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч, Жиляєв Юрій Васільєвіч

МПК: H01L 21/268

Мітки: контактів, створення, n-ain, спосіб, омічних

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до n-A1N, який полягає в напиленні на поверхню напівпровідника шарів металу з подальшим термічним відпалом, який відрізняється тим, що на додатково підігріту до 300-400 °C поверхню n-A1N методом термовакуумного напилення наносять послідовні шари металів Pd-Ti-Pd-Au, а термічний відпал здійснюють при Т=850-950 °C тривалістю 30-60 с.

Номер патенту: 76097

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Тетьоркін Володимир Володимирович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Лоцько Олександр Павлович, Сукач Андрій Васильович, Ворощенко Андрій Тарасович

МПК: H01L 21/04

Мітки: виготовлення, p-cdte, монокристалічних, омічних, легованого, спосіб, хлором, контактів, високоомних, зразків

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічних контактів до високоомних монокристалічних зразків p-CdTe, легованих хлором, який включає різку монокристала CdTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразків в поліруючому травнику та виготовлення електричних контактів методом термовакуумного напилення золота, який відрізняєтьсятим, що зразки додатково відпалюють в інертній атмосфері впродовж 60-65 хв. при температурі 175-178 °C.

Номер патенту: 70485

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: C23C 14/04

Мітки: вимірювання, три-омега, спосіб, методі, контактів, омічних, параметрів, маски, термоелектричних, виготовлення, напилення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення маски для напилення омічних контактів у три-омега (3w) методі вимірювання термоелектричних параметрів, який полягає в тому, що на досліджуваний зразок наносять тонку смужку металу, що використовується у якості нагрівача, який відрізняється тим, що додатково виготовляють з пластинки із інструментальної сталі типу Р9 маску з чотирма квадратними отворами, через яку на металеву смужку-нагрівач наносять срібні омічні...

Номер патенту: 69106

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Громко Євген Дмитрович, Грицюк Богдан Миколайович, Нічий Сергій Васильович

МПК: H01L 21/263

Мітки: матеріалів, створення, спосіб, напівпровідникових, контактів, омічних

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до напівпровідникових матеріалів, шляхом обробки поверхні напівпровідника імпульсним лазерним випромінюванням, який відрізняється тим, що в область формування контакту попередньо наносять розчин солі металу, робота виходу електрона якого забезпечує омічний контакт з напівпровідником, після чого проводять обробку даної області поверхні імпульсним лазерним випромінюванням з енергією, яка забезпечує проплавку...

Номер патенту: 61621

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Шеремет Володимир Миколайович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Мілєнін Віктор Володимирович, Новицький Сергій Вадимович, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 21/268

Мітки: створення, спосіб, широкозонних, контактів, омічних, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників з густиною структурних дефектів >105 см-2, який включає напилення на поверхню напівпровідника контактоутворюючого шару, в ролі якого виступає метал з роботою виходу, меншою ніж в напівпровіднику, створення дифузійного бар'єра шляхом напилення тугоплавких металів або їх сполук, напилення шару золота і проведення НВЧ обробки з частотою опромінення 2,45 ГГц, який...

Номер патенту: 40277

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Круковський Семен Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Воронько Андрій Олександрович

МПК: H01L 21/02

Мітки: омічних, n-gan, шарів, спосіб, виготовлення, контактів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічних контактів до n-GaN, що включає послідовне напилення шарів Ті, Аl на нагріту до 150-200 °С плівку n-GaN та їх термовідпал при температурі 890-910 °С протягом 30-90 секунд і наступне напилення шарів ТіВх, Аu, який відрізняється тим, що на поверхню шару Аl перед напиленням шару ТіВх наносять шар Yb товщиною від 7 нм до 13 нм.

Номер патенту: 25452

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Кособуцький Петро Сидорович, Пелещишин Роман Іванович, Гаркавенко Олександр Семенович, Крочук Ананій Савович

МПК: H01L 21/268

Мітки: спосіб, поверхні, контактів, сполук, формування, омічних

Формула / Реферат:

Спосіб формування омічних контактів на поверхні сполук A3B5 шляхом напилення металевої плівки, лазерного відпалу і опромінення лазерним випромінюванням, який відрізняється тим, що перед напиленням металевої плівки область контакту опромінюють імпульсним лазерним випромінюванням з густиною потужності, достатньою для насичення поверхні напівпровідника атомами металевої компоненти кристалічної гратки.

Номер патенту: 16578

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Мельник Володимир Васильович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: індекс, напівпровідникових, спосіб, виготовлення, типу, контактів, сполук, в(нижній, основі, діодних, структур, а(нижній, омічних

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления омических контактов к диодным структурам на основе полупроводниковых соединений типа А3В5 с p-n-переходом, включающий подготовку поверхности структуры, химическое осаждение металла на структуру, вжигание его и осаждение слоя никеля, отличающийся  тем, что, с целью упрощения способа, проводят диффузию цинка на глубину 1-3 мкм, сошлифовывают диффузионный слой со стороны n-типа, в качестве химически осаждаемого металла...