Патенти з міткою «n-in4se3»

Номер патенту: 79960

Опубліковано: 13.05.2013

Автори: Лі Куйхуйонг, Мочернюк Роман Миколайович, Кім Санг Іл, Михайловський Віліус Ярославович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричного, містить, n-in4se3, елемента, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення термоелектричного елемента, що містить n-Іn4Sе3, який включає формування гілок з термоелектричного матеріалів n- і р-типів, нанесення на торці гілок з термоелектричного матеріалу антидифузійних і комутаційних структур, з'єднання гілок n-типу з гілками р-типу, який відрізняється тим, що формування гілок з термоелектричного матеріалу n-Іn4Sе3, нанесення антидифузійних і перехідних шарів здійснюється в одну стадію методом...