Мочернюк Роман Миколайович

Номер патенту: 111445

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Максимук Микола Віталійович, Мочернюк Роман Миколайович, Вихор Людмила Миколаївна

МПК: H01L 35/00

Мітки: генераторний, каскадний, термоелектричний, модуль

Формула / Реферат:

Термоелектричний генераторний каскадний модуль, що містить термоелементи n- та р-типів провідності низькотемпературного каскаду з матеріалів на основі Bi-Te-Se-Sb, термоелементи n- та р-типів провідності високотемпературного каскаду з матеріалів на основі РbТе та GeTe-AgSbTe, міжкаскадну теплопровідну пластину, електричну комутацію термоелементів низькотемпературного та високотемпературного каскаду, теплообмінні пластини та електроізоляційні...

Номер патенту: 90359

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Мочернюк Роман Миколайович, Михайловський Віліус Ярославович, Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: F02M 21/00

Мітки: система, внутрішнього, двигуна, підігріву, комплексна, зрідженому, газовому, згорання, живлення, паливі

Формула / Реферат:

1. Комплексна система живлення і підігріву двигуна внутрішнього згорання на зрідженому газовому паливі, що містить газовий балон, витратний та заправний вентилі, редуктор-випарник, газовий нагрівник, електронний блок управління, електромагнітні клапани та газопроводи, яка відрізняється тим, що газовий нагрівник виконаний у вигляді пустотілого циліндра, на одному з торців якого послідовно встановлено газовий пальник з електродом запалювання і...

Номер патенту: 79960

Опубліковано: 13.05.2013

Автори: Кім Санг Іл, Лі Куйхуйонг, Мочернюк Роман Миколайович, Михайловський Віліус Ярославович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричного, n-in4se3, елемента, містить, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення термоелектричного елемента, що містить n-Іn4Sе3, який включає формування гілок з термоелектричного матеріалів n- і р-типів, нанесення на торці гілок з термоелектричного матеріалу антидифузійних і комутаційних структур, з'єднання гілок n-типу з гілками р-типу, який відрізняється тим, що формування гілок з термоелектричного матеріалу n-Іn4Sе3, нанесення антидифузійних і перехідних шарів здійснюється в одну стадію методом...