Патенти з міткою «термоелектричного»

Номер патенту: 115798

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Зайков Володимир Петрович, Журавльов Юрій Іванович, Мещеряков Володимир Іванович

МПК: F25B 21/02, H01L 35/34

Мітки: показників, термоелектричного, прогнозування, надійності, пристрою, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб прогнозування показників надійності термоелектричного пристрою, який включає подачу постійного струму на входи пристрою і визначення перепаду температур між гарячим і холодним електродами, де на холодному електроді генерують тепловий імпульс нормованої енергії потужністю 5-10 % максимальної холодопродуктивності і тривалістю, рівною тепловій сталій часу - 2-4 с, а після його закінчення аналізують зміну температури на холодному...

Номер патенту: 119674

Опубліковано: 10.10.2017

Автор: Гаврилюк Микола Васильович

МПК: H02J 7/10

Мітки: термоелектричного, генератора, пристрій, напругою, вихідною, управління

Формула / Реферат:

1. Пристрій для управління вихідною напругою термоелектричного генератора, в склад якого входять термоелектричні модулі, які розміщені між теплообмінниками, що з гарячої сторони прикріплені до печі, а з холодної - до радіаторів з обдувом електричними вентиляторами, які живляться від виробленої електричної напруги термоелектричних модулів, і який складається з підвищуючого DC/DC перетворювача для живлення вентиляторів і комутатора вихідної...

Номер патенту: 114890

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Матківський Остап Михайлович, Криницький Олександр Степанович, Халавка Юрій Богданович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович

МПК: H01L 35/32

Мітки: спосіб, провідними, композита, каналами, термоелектричного, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного композита із провідними каналами, який полягає у тому, що синтезують матеріал сполуки із вихідних елементів, потім його подрібнюють і компактують із подальшим формуванням композита із різними розмірами зерен, який відрізняється тим, що перед компактуванням композита із різними розмірами зерен, відібрані зерна перемішують із наперед підготовленими наночастинками для формування металічних каналів із...

Номер патенту: 118613

Опубліковано: 10.08.2017

Автор: Кшевецький Олег Станіславович

МПК: F25B 21/02, H01L 37/00, H01L 35/00 ...

Мітки: енергії, спосіб, керування, властивостями, термоелектричного, перетворювача

Формула / Реферат:

1. Спосіб керування властивостями термоелектричного перетворювача енергії, при якому використовують електромагнітне випромінювання, який відрізняється тим, що для формування необхідних властивостей термоелектричного перетворювача енергії використовують принаймні два різних середовища, між якими є принаймні один контакт (зв'язок).2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як одне із контактуючих середовищ (окремо взятого контакту)...

Номер патенту: 116683

Опубліковано: 25.05.2017

Автор: Тюменцев Володимир Антонович

МПК: H01L 35/34

Мітки: теплового, спосіб, визначення, перехідного, опору, термоелектричного, пельтьє, модуля

Формула / Реферат:

Спосіб визначення перехідного теплового опору термоелектричних модулів Пельтьє, який полягає в пропущенні крізь нього струму, вимірюванні температур на тепловирівнюючих пластинах, відведенні тепла від холодної поверхні модуля, подачі теплового навантаження на гарячу поверхню модуля, який відрізняється тим, що подачу теплового навантаження збільшують доти, поки напруга Зеебека модуля не стане рівна нулю, вимірюють різницю температур на...

Номер патенту: 113152

Опубліковано: 10.01.2017

Автор: Тюменцев Володимир Антонович

МПК: H01L 35/34

Мітки: максимально, охолоджувача, термоелектричного, пельтьє, холодопродуктивності, спосіб, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб визначення максимальної холодопродуктивності термоелектричного охолоджувача шляхом пропускання через нього оптимального струму, відведення тепла від гарячої поверхні, подачі теплового навантаження на холодну поверхню, який відрізняється тим, що для підвищення точності вимірювання, максимальну потужність теплового навантаження, еквівалентну максимальній холодопродуктивності, визначають при рівності нулю напруги Зеєбека...

Номер патенту: 108561

Опубліковано: 25.07.2016

Автори: Скрипський Ігор Миколайович, Слепенюк Оксана Тарасівна, Антонюк Валентина Василівна

МПК: H01L 35/00, C25D 5/00

Мітки: матеріалу, термоелектричного, антидифузійного, поверхні, нанесення, спосіб, бар'єру

Формула / Реферат:

Спосіб створення антидифузійного бар'єрного шару на поверхні термоелектричного матеріалу, що включає нанесення тонких шарів сплаву нікель-залізо-вольфрам, який внаслідок своєї аморфної будови забезпечує надійні антидифузійні властивості при підвищених температурах експлуатації.

Номер патенту: 107920

Опубліковано: 24.06.2016

Автор: Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: H01L 35/00

Мітки: sps-пресування, процес, термоелектричного, матеріалу

Формула / Реферат:

Процес SPS-пресування термоелектричного матеріалу на основі пропускання електричного струму через заготовку матеріалу у вигляді порошку, розміщеного між двома електропровідними стискаючими стрижнями всередині графітової прес-форми, при одночасній дії на порошок механічного тиску, який відрізняється тим, що одночасно з дією механічного тиску та електричного струму на заготовку матеріалу через графітову прес-форму пропускають струм такої...

Номер патенту: 107919

Опубліковано: 24.06.2016

Автор: Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: H01L 35/00

Мітки: пристрій, sps-пресування, термоелектричного, матеріалу

Формула / Реферат:

Пристрій для SPS-пресування термоелектричного матеріалу, що містить два електропровідних стискаючих стрижні, встановлені всередині прес-форми, що складається з пустотілої керамічної деталі і металевої деталі, що охоплює керамічну деталь, який відрізняється тим, що з метою підвищення надійності пристрою та отримання SPS-матеріалу прямокутної форми, електропровідні стискаючі стрижні мають прямокутний переріз і встановлені всередині розбірної...

Номер патенту: 106667

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Демченко Володимир Георгійович, Дуняк Олег Васильович

МПК: F25D 17/02, F25B 21/02, F28D 15/00 ...

Мітки: водяній, термоелектричного, генератора, охолоджувач

Формула / Реферат:

Водяний охолоджувач термоелектричного генератора, що містить термоелектричний генератор та ємність для води, який відрізняється тим, що додатково оснащений вертикальним металевим стояком, розширювальним баком, теплообмінником, подавальною та зворотною трубами, при цьому верхній кінець стояка під'єднаний до розширювального бака, а нижній - до ємності для води, крім того, стояк з'єднаний з теплообмінником у верхній його частині подавальною...

Номер патенту: 105677

Опубліковано: 25.03.2016

Автор: Тюменцев Володимир Антонович

МПК: H01L 35/34

Мітки: контролю, якості, термоелектричного, модуля, процес

Формула / Реферат:

1. Процес контролю якості термоелектричного модуля, що включає установлення модуля в термостат з постійною температурою, підключення його до вимірювального блока, вимірювання електричного опору, який відрізняється тим, що модуль підключають до генератора різнополярних імпульсів, подають на модуль короткі різнополярні імпульси великого струму зі збільшенням щільності від 5 до 200 А/мм2, витримують його при максимальному імпульсному струмі...

Номер патенту: 105160

Опубліковано: 10.03.2016

Автор: Кшевецький Олег Станіславович

МПК: H01L 35/00, F25B 21/02, H01L 37/00 ...

Мітки: управління, властивостями, перетворювача, термоелектричного, спосіб, енергії

Формула / Реферат:

Спосіб управління властивостями термоелектричного перетворювача енергії, при якому використовують управляючі дії, що впливають на властивості термоелектричного перетворювача енергії, який відрізняється тим, що для формування необхідних властивостей термоелектричного перетворювача енергії використовують електричне поле, яке має поперечну складову до напряму електричного струму, що протікає через термоелектричний перетворювач енергії, та/або...

Номер патенту: 104880

Опубліковано: 25.02.2016

Автори: Мещеряков Володимир Іванович, Зайков Володимир Петрович, Журавльов Юрій Іванович

МПК: H01L 35/00

Мітки: показників, спосіб, прогнозування, пристрою, термоелектричного, надійності

Формула / Реферат:

Спосіб прогнозування показників надійності термоелектричного пристрою, який включає визначення працездатності за формою перехідної характеристики, що отримується при подачі на вхід нормованого джоулева теплового імпульсу, прогнозування можливості виходу з ладу термоелектричного пристрою шляхом аналізу часової зміни його коефіцієнтів передачі, який відрізняється тим, що визначення показників надійності проводять без переривання функціонування...

Номер патенту: 110663

Опубліковано: 25.01.2016

Автор: Кочан Орест Володимирович

МПК: G01K 7/02, G01K 15/00, G01K 1/14 ...

Мітки: перетворювача, термоелектричного, самодіагностики, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для самодіагностики термоелектричного перетворювача на місці експлуатації, що містить закріплений у зоні вільних кінців термоелектричного перетворювача пристрій його переміщення вздовж осі та фіксації, який відрізняється тим, що робочий кінець термоелектричного перетворювача розміщено у термовирівнювачі, виконаному у вигляді товстостінної металевої труби, яка кріпиться до стінки об'єкта вимірювання температури за допомогою...

Номер патенту: 103829

Опубліковано: 25.12.2015

Автор: Кшевецький Олег Станіславович

МПК: H01L 37/00, H01L 35/00, F25B 21/02 ...

Мітки: енергії, термоелектричного, властивостями, керування, спосіб, перетворювача

Формула / Реферат:

Спосіб керування властивостями термоелектричного перетворювача енергії, при якому використовують керуючі дії, що впливають на властивості термоелектричного перетворювача енергії, який відрізняється тим, що для формування необхідних властивостей термоелектричного перетворювача енергії використовують електромагнітне випромінювання.

Номер патенту: 102228

Опубліковано: 26.10.2015

Автор: Матківський Остап Миколайович

МПК: B82B 3/00, C01G 9/02, C01B 19/00 ...

Мітки: спосіб, термоелектричного, отримання, нановключеннями, композита

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного РbТе із нановключеннями ZnO, який полягає в тому, що високого класу чистоти компоненти свинець (Рb), телур (Те) завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, витримують при температурі, вищій від температури плавлення компонентів, здійснюють гомогенізуючий відпал, охолоджують на повітрі до кімнатної температури, а отриманий матеріал пресують з подальшим відпалом, який відрізняється тим, що до...

Номер патенту: 97315

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Арсенюк Інна Олександрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Маковишин Володимир Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, матеріалу, p-snte:bi, спосіб, основі, слюди, тонкоплівкового, термоелектричного, підкладках

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного тонкоплівкового матеріалу на основі p-SnTe:Bi на підкладках слюди, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують на свіжі відколи (0001) слюди-мусковіту при температурі випаровування  і температурі осадження

Номер патенту: 107772

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Перекос Анатолій Омелянович, Кокорін Володимир Володимирович, Коноплюк Сергій Михайлович, Надутов Володимир Михайлович, Храновська Катерина Миколаївна

МПК: C22C 9/01, C22C 9/05, C22C 1/04 ...

Мітки: термоелектричного, сплаву, напівпровідникового, спосіб, наноструктурного, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання наноструктурного термоелектричного напівпровідникового сплаву, що включає високочастотне плавлення вихідного матеріалу сплаву при температурі до 1700 °C та початковому тиску 0,1 МПа в атмосфері аргону, твердіння розплаву та одержання порошку сплаву, який відрізняється тим, що розплав твердіє до температури 20-30 °C зі швидкістю 20 °C/с з утворенням зливків сплаву, одержують порошок сплаву з середнім діаметром...

Номер патенту: 93184

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Чав'як Іван Ігорович, Маковишин Володимир Ігорович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктурованого, підкладках, спосіб, отримання, термоелектричного, станум, ситалових, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного наноструктурованого станум телуриду на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки SnTe випаровують при температурі Тв, осаджують пару на підкладку при температурі Тп до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що як підкладку використовують ситал, температура випарника складає Тв=(870±10) К, температура...

Номер патенту: 92108

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Надутов Володимир Михайлович, Кокорін Володимир Володимирович, Храновська Катерина Миколаївна, Коноплюк Сергій Михайлович, Перекос Анатолій Омелянович

МПК: C22C 1/04, C22C 9/00

Мітки: наноструктурного, одержання, напівпровідникового, термоелектричного, спосіб, сплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання наноструктурного термоелектричного напівпровідникового сплаву, що включає високочастотне плавлення вихідного матеріалу сплаву при температурі до 1700 °C та початковому тиску 0,1 МПа в атмосфері аргону, твердіння розплаву, отримання порошку сплаву, який відрізняється тим, що розплав твердіє до температури 20-30 °С зі швидкістю 20 °С/секунду з утворенням зливків сплаву, отримують порошок сплаву з середнім діаметром...

Номер патенту: 87031

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: B82B 3/00

Мітки: n-рbте:ві, отримання, спосіб, підкладках, термоелектричного, ситалових, конденсату

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-РbТе:Ві на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) K, на підкладку ситалу, який відрізняється тим, що температура підкладки при осадженні становить (520±10) K.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщина наноструктур...

Номер патенту: 103530

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Чобанюк Володимир Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Лисюк Юрій Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Юрчишин Ігор Костянтинович

МПК: C30B 11/02, H01L 21/20, C30B 11/00 ...

Мітки: спосіб, отримання, квантово-розмірного, термоелектричного, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу, який полягає у тому, що вихідну речовину випаровують у вакуумі із наперед синтезованої напівпровідникової сполуки при температурі випаровування наважки (ТВ), осадження здійснюють на наперед підготовлені підкладки (наприклад, слюда мусковіт, поліамід, ситал, КСl, BaF2, тощо) при температурі підкладки (ТП) протягом заданого часу експозиції (t), що визначає товщину конденсату,...

Номер патенту: 84054

Опубліковано: 10.10.2013

Автори: Лукашевич Віктор Анатолійович, Скрипник Юрій Олексійович, Каламєєць Тетяна Петрівна

МПК: G01K 15/00

Мітки: температури, спосіб, термоелектричного, повірки, перетворювача, бездемонтажної

Формула / Реферат:

Спосіб бездемонтажної повірки термоелектричного перетворювача температури, при якому вимірюють термоЕРС на його вільних кінцях, пропускають постійний струм через електроди і робочий кінець в напрямку, при якому він охолоджується, і визначають похибку термоелектричного перетворювача за формулою, який відрізняється тим, що після охолодження робочого кінця поступово збільшують постійний струм, переривають його, вимірюють збільшену термоЕРС і...

Номер патенту: 82062

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Ринжук Михайло Васильович, Разіньков Валерій Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: матеріалу, мастило, термоелектричного, методом, основі, процесу, екструзії, отримання, bi-te-se-sb

Формула / Реферат:

Мастило для отримання термоелектричного матеріалу на основі -Те-Se Bi-Sb методом екструзії, що складається з силіконового мастила і мілкодисперного графітового порошку, яке відрізняється тим, що додатково містить каніфоль.

Номер патенту: 80800

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Криницький Олександр Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C01G 21/00, H01L 21/324, C01B 19/00 ...

Мітки: спосіб, n-pbte:sb, отримання, термоелектричного, стабільного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання стабільного термоелектричного n-PbTe:Sb, який полягає в тому, що як вихідні компоненти використовують свинець (Рb), телур (Те) та сурму високого класу чистоти (99,999%), взяті у відповідних вагових співвідношеннях, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...

Номер патенту: 80799

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Криськов Цезарій Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Люба тетяна Сергіївна, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C22C 43/00

Мітки: спосіб, легованого, телуриду, плюмбум, отримання, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованого термоелектричного плюмбум телуриду, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...

Номер патенту: 79984

Опубліковано: 13.05.2013

Автори: Разіньков Валерій Васильович, Ринжук Михайло Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: фільєра, термоелектричного, матеріалу, високоякісного, методом, екструзії, отримання

Формула / Реферат:

Філь'єра для отримання термоелектричного матеріалу методом екструзії, вхід якої містить форму оберненого конусу із значенням кута при його вершині в діапазоні 20÷120º, а формуючий канал має сталий переріз з співвідношенням його діаметру до довжини в діапазоні 5-15, яка відрізняється тим, що формуючий канал має на вході форму оберненого конусу з кутом при його вершині в діапазоні 3-5°, причому співвідношення довжини конусної...

Номер патенту: 79960

Опубліковано: 13.05.2013

Автори: Михайловський Віліус Ярославович, Мочернюк Роман Миколайович, Кім Санг Іл, Лі Куйхуйонг

МПК: H01L 35/00

Мітки: n-in4se3, термоелектричного, містить, виготовлення, спосіб, елемента

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення термоелектричного елемента, що містить n-Іn4Sе3, який включає формування гілок з термоелектричного матеріалів n- і р-типів, нанесення на торці гілок з термоелектричного матеріалу антидифузійних і комутаційних структур, з'єднання гілок n-типу з гілками р-типу, який відрізняється тим, що формування гілок з термоелектричного матеріалу n-Іn4Sе3, нанесення антидифузійних і перехідних шарів здійснюється в одну стадію методом...

Номер патенту: 78544

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Літвіх Віктор Вікторович, Третяк Катерина Яківна, Савельєва Людмила Олегівна

МПК: G01R 17/02

Мітки: спосіб, визначення, термоелектричного, похибки, компарування, напруги, перетворювача

Формула / Реферат:

Спосіб визначення похибки компарування термоелектричного перетворювача напруги, при якому на вхід термоелектричного перетворювача напруги здійснюють послідовну подачу напруги змінного струму , напруги постійного струму позитивної полярності  та напруги постійного струму негативної полярності

Номер патенту: 78466

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Криницький Олександр Степанович

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: n-pbte:sb, отримання, матеріалу, ефективного, термоелектричного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання ефективного термоелектричного матеріалу n-PbTe:Sb, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який...

Номер патенту: 75715

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Раренко Іларій Михайлович, Струтинська Любов Тимофіївна, Михайловський Віліус Ярославович

МПК: C30B 13/24

Мітки: матеріалу, вирощування, спосіб, термоелектричного

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування термоелектричного матеріалу, що включає завантаження компонентів у кварцову ампулу, синтез матеріалу, наступну його перекристалізацію методом зонної плавки при перемішуванні зони розплаву шляхом обертання ампули навколо своєї осі, який відрізняється тим, що ампулу з термоелектричним матеріалом, яку обертають навколо своєї осі та через яку рухають зону розплаву, розташовують під кутом до вертикалі.2. Спосіб...

Номер патенту: 75680

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Струтинська Любов Тимофіївна, Каштелян Олександр Фрідович, Михайловський Віліус Ярославович

МПК: C30B 11/00

Мітки: пристрій, вирощування, матеріалу, термоелектричного

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування термоелектричного матеріалу на основі кварцового контейнера для термоелектричного матеріалу, електричного нагрівника, механізму для його переміщення та пристрою для вібрації, який відрізняється тим, що кварцовий контейнер для термоелектричного матеріалу має вигляд циліндричної ампули з загостреними кінцями конусної форми, яка розміщена вертикально між муфтами вібраційного і притискного пристроїв, коаксіально до...

Номер патенту: 73130

Опубліковано: 10.09.2012

Автори: Каштелян Олександр Фрідович, Михайловський Віліус Ярославович

МПК: H01L 35/00

Мітки: комутації, термоелектричного, модуля, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для комутації термоелектричного модуля на основі оснастки для розташування гілок р- і n-типів, комутаційних пластин, притискного механізму для створення контакту між торцями гілок і комутаційними пластинами, який відрізняється тим, що оснастка з розташованими у необхідному порядку р- і n-гілками встановлена в центрі обичайки, на зовнішній поверхні якої розміщено електричний нагрівник, а притискний механізм для створення контакту...

Номер патенту: 98594

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Зайков Володимир Петрович, Гнатовська Ганна Арнольдівна, Мещеряков Володимир Іванович

МПК: F25B 21/00

Мітки: надійності, пристрій, реалізації, охолоджувача, термоелектричного, показників, визначення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення показників надійності термоелектричного охолоджувача, що включає подачу постійного струму на входи термоелектричного охолоджувача і визначення холодопродуктивності по перепаду температур між гарячим і холодним електродами, який відрізняється тим, що на холодному електроді термоелектричного охолоджувача, що працює зі схемою термостабілізації, генерують тепловий імпульс нормованої енергії потужністю 5-10 %...

Номер патенту: 68666

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Рассамахін Борис Михайлович, Розвер Юрій Юрійович, Вихор Людмила Миколаївна

МПК: H01L 35/30

Мітки: термоелектричного, охолодження, пристрій

Формула / Реферат:

1. Термоелектричний охолоджувальний пристрій, що складається з великоформатного термоелектричного модуля і теплових труб, який відрізняється тим, що теплопоглинальні спаї окремих термоелементів модуля або груп термоелементів знаходяться у тепловому контакті з зоною конденсації власної теплової труби.2. Термоелектричний охолоджувальний пристрій по п. 1, який відрізняється тим, що теплові труби виконані різними за конструкціями і/або...

Номер патенту: 65674

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Бойчук Володимира Михайлівна, Борик Віктор Васильович, Туровська Лілія Вадимівна, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, n-pbte:bi, термоелектричного, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного n-РbТе: Ві, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після цього ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович

МПК: C01G 15/00, C01G 19/00, C01G 17/00 ...

Мітки: матеріалу, термоелектричного, талію(і, монокристалів, tl4sns4, основі, спосіб, тетратіостанату, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Номер патенту: 64288

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, спосіб, термоелектричного, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, сірка, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена, виготовлення зразків термоелектричного матеріалу та відпал зразків у парах сірки, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають телур та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину...

Номер патенту: 62554

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Мещеряков Володимир Іванович, Гнатовська Ганна Арнольдівна, Зайков Володимир Петрович

МПК: F25B 21/00

Мітки: охолоджувача, показників, термоелектричного, прогнозування, спосіб, надійності

Формула / Реферат:

Спосіб прогнозування показників надійності термоелектричного охолоджувача, що включає подачу постійного струму на входи термоелектричного охолоджувача і визначення холодопродуктивності по перепаду температур між гарячим і холодним електродами, який відрізняється тим, що на холодному електроді термоелектричного охолоджувача, що працює зі схемою термостабілізації, генерують тепловий імпульс нормованої енергії потужністю 5-10 % максимальної...

Номер патенту: 62274

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Струтинська Любов Тимофіївна, Термена Ірина Святославівна, Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: основі, отримання, термоелектричного, термоелементів, процес, сегментних, р-типу, матеріалу, bi-te-se-sb

Формула / Реферат:

Процес виготовлення термоелектричного матеріалу на основі твердих розчинів Ві-Te-Se-Sb, що складається з етапів синтезу, охолодження, вертикальної зонної перекристалізації з подальшим контролем параметрів матеріалу, який відрізняється тим, що виготовляється матеріал з електропровідністю (), більшою від розрахованої на 100-150 Ом-1 см-1; проводять послідуючий відпал матеріалу...