Кім Санг Іл
Спосіб виготовлення термоелектричного елемента, що містить n-in4se3
Номер патенту: 79960
Опубліковано: 13.05.2013
Автори: Мочернюк Роман Миколайович, Кім Санг Іл, Лі Куйхуйонг, Михайловський Віліус Ярославович
МПК: H01L 35/00
Мітки: елемента, спосіб, містить, n-in4se3, виготовлення, термоелектричного
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення термоелектричного елемента, що містить n-Іn4Sе3, який включає формування гілок з термоелектричного матеріалів n- і р-типів, нанесення на торці гілок з термоелектричного матеріалу антидифузійних і комутаційних структур, з'єднання гілок n-типу з гілками р-типу, який відрізняється тим, що формування гілок з термоелектричного матеріалу n-Іn4Sе3, нанесення антидифузійних і перехідних шарів здійснюється в одну стадію методом...