Патенти з міткою «нвч-транзистора»

Номер патенту: 23771

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Костюкевич Сергій Олександрович, Воронько Андрій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/28

Мітки: затвора, нвч-транзистора, формування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування субмікронного затвора НВЧ-транзистора, який полягає у тому, що у робочому n-шарі напівпровідникової пластини створюють канавку з розмірами, які визначаються необхідними напругою відсічки та струмом насичення, металізують канавку та пасивують поверхню пластини, який відрізняється тим, що канавку для затвора виконують шляхом зондової нанолітографії.