Спосіб формування затвора нвч-транзистора

Корисна модель відноситься до галузі технології НВЧ-транзисторів і може бути використаний для виробництва НВЧ-транзисторів з граничною частотою до 100ГГц. Відомий спосіб формування затвору НВЧ-транзистора, який полягає у тому, що на поверхню напівпровідникової пластини магнетронним розпилюванням наносять шар діелектрика, наносять шар фото - або електронорезиста, шляхом оптичної або електронно-променевої літографії формують маску, шля хом витравлення через маску створюють канавку з розмірами, які визначаються необхідними напругою відсічки та током насичення, металізують канавку та пасивують поверхню пластини (див., наприклад, Kalna К. et al. // SolidState Electronics. 2002. V.46. Р.631-638). Недоліком цього способу є те, що при використанні цього відомого способу розміри затвору СВЧтранзистора, який створюється за цим способом, обмежені розподільною здатністю відповідного літографічного процесу. Найбільш близьким до способу, що пропонується за технічною сутністю та технічним ефектом, який досягається, є спосіб, який полягає у тому, що на поверхню напівпровідникової пластини магнетронним розпилюванням наносять шар діелектрика, наносять шар фото- або електронорезиста, шляхом електроннопроменевої літографії формують маску, шляхом сухого травлення діелектричного шару через маску створюють канавку з розмірами, які визначаються необхідними напругою відсічки та током насичення, металізують канавку та пасивують поверхню пластини (див. Wakita A.S. et al.//J. Vac.Technol.-1995. V. В, 13. Р.2725). Задачею корисної моделі є створення способу формування затвору НВЧ-транзистора, який дозволяє отримати затвор з мінімальними розмірами, що дозволить суттєво підвищити граничну частоту такого транзистора. Технічний результат досягається тим, що у відомому способі формування субмікронного затвора СВЧтранзистора, який полягає у тому, що у робочому n-шарі напівпровідникової пластини створюють канавку з розмірами, які визначаються необхідними напругою відсічки та током насичення, металізують канавку та пасивують поверхню пластини, згідно корисної моделі, канавку для затвора виконують шля хом зондової нанолітографії. Відомо, що спосіб зондової нанолітографії дозволяє отримати різи субмікронних, до 0,001мкм, розмірів. Це практично знімає обмеження знизу на розміри затворів СВЧ-транзисторів, які формуються за допомогою виконаних шляхом зондової літографії масок. Тому використання запропонованого способу формування затвору НВЧ-транзистора дозволяє практично зняти обмеження знизу на розміри затворів таких транзисторів та за рахунок цього суттєво підвищити граничну частоту таких транзисторів. Спосіб формування субмікронного затвора СВЧ-транзистора, що заявляється, може знайти широке застосування у галузі те хнології НВЧ-транзисторів та може бути використаний для виробництва НВЧ-транзисторів з граничною частотою до 100ГГц.