H01L 21/28 — виготовлення електродів на напівпровідникових підкладках з використанням способів і пристроїв, не передбачених в
Спосіб виготовлення омічного контакту до gaas
Номер патенту: 119444
Опубліковано: 25.09.2017
Автори: Дмитрієв Вадим Сергійович, Дмитрієва Любов Борисівна
МПК: H01L 21/28
Мітки: контакту, виготовлення, омічного, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічного контакту до GaAs, який включає знежирення пластини GaAs, хімічне полірування, послідовне промивання в гарячій, холодній дистильованій і деіонізованій воді і метиловому спирті, напилення на підкладку плівки сплаву Ag-Ge-In крізь спеціальні молібденові маски термічним випаровуванням Ag-Ge-In до епитаксійного n-GaAs, який відрізняється тим, що пластину n-GaAs з nе.ш.=1015 см-3…1017 см-3 після поліровки витримують у...
Спосіб виготовлення омічного контакту до gaas
Номер патенту: 84122
Опубліковано: 10.10.2013
Автори: Дмитрієва Любов Борисівна, Швець Євген Якович, Дмитрієв Вадим Сергійович
МПК: H01L 21/28
Мітки: виготовлення, омічного, контакту, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічного контакту до GaAs, що включає отримання методом вакуумного випаровування омічних контактів зі сплаву Ag-Ge-In до епітаксійного n-GaAs з високолегованою підкладкою, який відрізняється тим, що пластину GaAs заздалегідь послідовно знежирюють в суміші толуолу і метилового спирту (1:2), хімічно полірують в суміші 3H2SO4-1H2О3-1Н2О, послідовно промивають в гарячій і холодній дистильованій і деіонізованій воді, у...
Спосіб виготовлення омічного притискного контакту до м’якої поверхні приладів
Номер патенту: 81588
Опубліковано: 10.07.2013
Автори: Пуд Олександр Аркадієвич, Огурцов Микола Олександрович, Смертенко Петро Семенович, Дімітрієв Олег Петрович
МПК: H01L 21/00, H01C 1/00, H01L 21/28 ...
Мітки: виготовлення, поверхні, притискного, спосіб, омічного, приладів, контакту, м'якої
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення омічного притискного контакту до м'якої поверхні приладів, виконаного з водної суспензії електропровідного полімеру, який відрізняється тим, що водну суспензію полімеру наносять на підкладку поруватого діелектрика, просочують її, а потім випаровують залишкову вологу природним шляхом на повітрі.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як електропровідний полімер використовують...
Спосіб кристалізації лазерних гетероструктур ingaas/іn0,2al0,3ga0,5as, з квантовими точками inas/ingaas
Номер патенту: 41229
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Голяка Роман Любомирович, Круковський Семен Іванович, Михащук Юрій Сергійович, Воронько Андрій Олександрович
МПК: H01L 21/28, H01L 21/00
Мітки: лазерних, спосіб, точками, гетероструктур, кристалізації, квантовими
Формула / Реферат:
Спосіб кристалізації лазерних гетероструктур InGaAs/Іn0,2Al0,3Ga0,5As, з квантовими точками InAs/InGaAs, що включає послідовне нарощування на підкладці GaAs метаморфного буфера InGaAs, p- та n-емітерів Іn0,2Al0,3Ga0,5As, який відрізняється тим, що формування квантових точок на поверхні епітаксійних шарів InGaAs (Іn0,2Al0,3Ga0,5As) здійснюється в присутності атомів гадолінію в кількостях від 5,0∙1010см-2 до 2,0∙1011см-2.
Спосіб металізації кремнієвих підкладок
Номер патенту: 86137
Опубліковано: 25.03.2009
Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович
МПК: H01L 21/203, H01L 21/28
Мітки: кремнієвих, підкладок, спосіб, металізації
Формула / Реферат:
Спосіб металізації кремнієвих підкладок, що включає розміщення підкладки у відкачаній вакуумній камері, нагрівання підкладки та напилення на її поверхню металу із отриманням тонкої плівки, який відрізняється тим, що здійснюють термічне напилення міді із отриманням металевої плівки із товщиною від 10 до 400 нм, яке проводять зі швидкістю 0,2-2 нм/с, при цьому забезпечують у металевій плівці мінімальну величину механічних напруг термічної...
Спосіб нанесення гнучкого омічного контакту до структур на основі полікристалічного cds
Номер патенту: 40001
Опубліковано: 25.03.2009
Автори: Смертенко Петро Семенович, Пуд Олександр Аркадієвич, Осипьонок Микола Михайлович, Дімітрієв Олег Петрович
МПК: H01C 1/00, H01L 21/00, H01L 21/28 ...
Мітки: основі, контакту, структур, гнучкого, омічного, спосіб, нанесення, полікристалічного
Формула / Реферат:
Спосіб нанесення омічного контакту до структур на основі полікристалічного CdS, що включає нанесення на підкладинку водної суспензії порошкоподібного CdS з домішкою CdCl2 в кількості 10 мас. %, з подальшим спіканням цього шару в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що як омічний контакт до полікристалічного шару CdS використане вуглецеве волокно, яке попередньо відпалюють в атмосфері інертного газу при температурі...
Спосіб одержання притискних мікроконтактів між металевими електродами
Номер патенту: 29170
Опубліковано: 10.01.2008
Автори: Александров Юрій Леонідович, Камарчук Геннадій Васильович, Хоткевич Андрій Володимирович, Фісун Василь Васильович
МПК: H01L 21/28
Мітки: металевими, притискних, мікроконтактів, спосіб, електродами, одержання
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання притискних мікроконтактів між металевими електродами, що включає очищення поверхні електродів, з'єднання їх один з одним, який відрізняється тим, що з'єднання електродів, закріплених кожний за обидва кінці, здійснюють шляхом взаємного скручування в межах пружної деформації до появи електричного контакту.2. Спосіб за п.1, який відрізняється тим, що як електроди використовують дріт.3. Спосіб за п.1, який...
Спосіб формування затвора нвч-транзистора
Номер патенту: 23771
Опубліковано: 11.06.2007
Автори: Воронько Андрій Олександрович, Костюкевич Сергій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович
МПК: H01L 21/28
Мітки: нвч-транзистора, затвора, спосіб, формування
Формула / Реферат:
Спосіб формування субмікронного затвора НВЧ-транзистора, який полягає у тому, що у робочому n-шарі напівпровідникової пластини створюють канавку з розмірами, які визначаються необхідними напругою відсічки та струмом насичення, металізують канавку та пасивують поверхню пластини, який відрізняється тим, що канавку для затвора виконують шляхом зондової нанолітографії.
Спосіб формування субмікронної електродної системи затворів нвч-польових транзисторів
Номер патенту: 23770
Опубліковано: 11.06.2007
Автори: Костюкевич Сергій Олександрович, Воронько Андрій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович
МПК: H01L 21/28
Мітки: нвч-польових, субмікронної, затворів, транзисторів, формування, спосіб, електродної, системі
Формула / Реферат:
Спосіб формування субмікронної електродної системи затворів НВЧ-польових транзисторів, який включає формування маски, осадження у вакуумі і видалення маски, який відрізняється тим, що для формування маски використовують фоторезист на основі шарів потрійного з'єднання:As40S60-x, де 5≤х≤25.
П’єзорезистивний датчик
Номер патенту: 23103
Опубліковано: 30.06.1998
Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Панков Юрій Михайлович, Мар'ямова Інна Йосипівна
МПК: H01L 21/28, G01L 9/06
Мітки: п'єзорезистивний, датчик
Формула / Реферат:
П’єзорезистивнии датчик, який містить кремнієву підкладку з шаром діелектрика, здатним відбивати лазерне випромінювання, поверх якого розташовані рекристалізовані лазерним випромінюванням полікремнієві тензорезистори, покриті діелектричним капсулюючим шаром, здатним поглинати лазерне випромінювання, який відрізняється тим, що на капсулюючому шарі розміщений поглинаючий шар у вигляді паралельних смужок, довжина яких не менша довжини...
Спосіб створення контактних шарів на поверхні оптичних напівпровідних кристалів типу а(верхній індекс ii) b(верхній індекс vi)
Номер патенту: 16595
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Терейковська Ольга Федорівна, Карпова Ангеліна Петрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович
МПК: H01L 21/28
Мітки: спосіб, кристалів, контактних, оптичних, створення, напівпровідних, b(верхній, а(верхній, типу, індекс, поверхні, шарів
Формула / Реферат:
Способ создания контактных слоев на поверхности оптических полупроводниковых кристаллов типа АIIВVI, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20-30 мин при...
Спосіб виготовлення омічних контактів до діодних структур на основі напівпровідникових сполук типу а(нижній індекс 3) в(нижній індекс 5)
Номер патенту: 16578
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Мельник Володимир Васильович, Махній Віктор Петрович
МПК: H01L 21/28
Мітки: діодних, структур, виготовлення, омічних, основі, в(нижній, напівпровідникових, типу, індекс, а(нижній, сполук, контактів, спосіб
Формула / Реферат:
1. Способ изготовления омических контактов к диодным структурам на основе полупроводниковых соединений типа А3В5 с p-n-переходом, включающий подготовку поверхности структуры, химическое осаждение металла на структуру, вжигание его и осаждение слоя никеля, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, проводят диффузию цинка на глубину 1-3 мкм, сошлифовывают диффузионный слой со стороны n-типа, в качестве химически осаждаемого металла...
Спосіб виготовлення структур польових транзисторів з бар’єром шоткі
Номер патенту: 16878
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Іващук Анатолій Васильович, Данилов Миколай Григорович, Кохан Валентин Петрович
МПК: H01L 21/70, H01L 21/28
Мітки: шоткі, транзисторів, структур, виготовлення, польових, бар'єром, спосіб
Формула / Реферат:
Способ изготовления структур полевых транзисторов с барьером Шотки, включающий формирование на полупроводниковой подложке активного и контактного слоев, вытравливание меза-структур, формирование областей истока и стока, вытравливание в области затвора контактного и части активного слоев, формирование барьерной части затворного электрода, формирование контактной части затворного электрода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента...
Спосіб виготовлення металізації напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем
Номер патенту: 11373
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Баранов Ігор Ліверійович, Бідник Дмитро Ілліч, Гуменюк Степан Дмитрович, Ілюк Ігор Євгенович, Лазарук Сергій Костянтинович, Лабунов Володимир Архипович, Казінов Володимир Олександрович
МПК: H01L 21/28
Мітки: спосіб, металізації, мікросхем, виготовлення, напівпровідникових, приладів, інтегральних
Формула / Реферат:
Способ изготовления металлизации полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, включающий осаждение на полупроводниковую пластину пленки алюминия, нанесение слоя фоторезиста и формирование в нем конфигурации дорожек межсоединений шириной до 4·10-5 м и контактных площадок, создание разделительного окисла пористым анодным окислением слоя алюминия, формирование пассивирующего окисла, удаление фоторезиста с контактных площадок,...
Спосіб формування контактно-металізованої системи тонкоплівкових елементів інтегральних схем
Номер патенту: 8485
Опубліковано: 30.09.1996
Автор: Новосядлий Степан Петрович
МПК: H01L 21/28
Мітки: схем, інтегральних, контактно-металізованої, системі, спосіб, елементів, тонкоплівкових, формування
Формула / Реферат:
Способ формирования контактно-металлизированной системы тонкоплсночных элементов интегральных схем, включающий очистку подложки, нанесение методом напыления резистивной пленки из сплавов керметных материалов, пленки никеля или алюминия для контактных площадок и металлизации, создание топологии резисторов, токоведущих шин и контактных площадок методом фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины и повышения...
Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в
Номер патенту: 7501
Опубліковано: 29.09.1995
Автори: Коваленко Леонід Євгенійович, Іванов Володимир Миколайович, Скакун Василь Захарович
МПК: H01L 21/28
Мітки: контактів, гарячих, типу, приладів, основі, формування, напівпровідників, спосіб, електронах
Формула / Реферат:
Способ формирования контактов к приборам на горячих электронах на основе полупроводников типа АІІІBV, включающий очистку поверхности полупроводника с помощью импульсной фотонной обработки, формирование контактного, барьерного и технологического слоев и термообработку при температуре выше точки плавления контактного слоя, проводимые в едином технологическом цикле, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия...
Спосіб формування контактно-металізованої системи в інтегральних схемах
Номер патенту: 4675
Опубліковано: 28.12.1994
Автори: Когут Ігор Тимофійович, Новосядлий Степан Петрович, Бірковий Юрій Леонідович
МПК: H01L 21/28
Мітки: схемах, системі, спосіб, контактно-металізованої, інтегральних, формування
Формула / Реферат:
(57) 1. Способ формирования контактно-метализированной системы в интегральных схемах, включающий нанесение на обратную сторону подложки с активными структурами слоя поликристаллического кремния, формирование с помощью фотолитографии U-образного рельефа на обратной стороне, снятие фоторезиста, формирование полицидной пленки на обратной стороне под ложки с последующей термообработкой, формирование уровня металлизации на лицевой стороне...
Спосіб формування металізації для високострумових біполярних інтегральних схем
Номер патенту: 3900
Опубліковано: 27.12.1994
Автори: Бірковий Юрій Леонідович, Гуменяк Михайло Васильович, Маскович Степан Михайлович, Прокіпчин Василь Васильович, Новосядлий Степан Петрович
МПК: H01L 21/28
Мітки: інтегральних, високострумових, металізації, біполярних, спосіб, формування, схем
Формула / Реферат:
1. Способ формирования металлизации для сильнотоковых биполярных интегральных схем, включающий двухстадийное магнетронное распыление мишени в плазме аргона и смеси аргона и (1-10% вес) моносилана, фотолитографию для создания разводки и контактов, отличающийся тем, что распыление составной мишени, содержащей в массиве основного металла штыри из тугоплавкого или редкоземельного металла, для нанесения нижнего слоя проводят в плазме аргона, а...
Спосіб одержання тонкоплівкового елементу
Номер патенту: 2903
Опубліковано: 26.12.1994
Автори: Макогон Юрій Миколайович, Сидоренко Сергій Іванович, Крутько Олександр Олексійович, Іллюк Ігор Євгенович, Бойко Степан Миколайович, Бідник Дмитро Ілліч
МПК: H01L 21/28
Мітки: одержання, тонкоплівкового, спосіб, елементу
Формула / Реферат:
Способ получения тонкопленочного элемента, включающий осаждение вакуумного конденсата путем магнетронного распыления сплава на основе Al(Al-Cu) с добавкой Si (0,8-2,8%) на кремниевую подложку в одном вакуумном цикле в виде двухслойной структуры в среде аргона и термообработку конденсата при максимальной температуре 720±10 К в защитной от окисления среде в течение 15-20 минут, отличающийся тем, что конденсат осаждают при температуре подложки...
Спосіб виготовлення багатошарової контактної металізації
Номер патенту: 2693
Опубліковано: 26.12.1994
Автори: Сидоренко Сергій Іванович, Руденко Ольга Василівна, Базарний Юрій Олексійович, Макогон Юрій Миколайович, Болтовець Микола Силович, Кутас Віталій Георгійович
МПК: H01L 21/28
Мітки: контактної, багатошарової, спосіб, металізації, виготовлення
Формула / Реферат:
Способ изготовления многослойной контактной металлизации, включающий нанесение на кремниевую подложку слоя палладия и слоя золота, отличающийся тем, что, с целью повышения длинновременной стабильности параметров металлизации, между кремниевой подложкой и слоем палладия осаждают барьерный слой вольфрама с добавкой рения 15—27% толщиной 0,15— 0,5 мкм.
Спосіб металізації зворотньої сторони кристалів інтегральних схем
Номер патенту: 1775
Опубліковано: 25.10.1994
Автори: Гуменяк Михайло Васильович, Бірковий Юрій Леонідович, Когут Ігор Тимофійович, Новосядлий Степан Петрович, Маскович Степан Михайлович
МПК: H01L 21/28
Мітки: металізації, стороні, кристалів, спосіб, схем, інтегральних, зворотної
Формула / Реферат:
Способ металлизации обратной стороны кристалла интегральных схем, включающий формирование кремниевой структуры с активными и пассивными элементами на кристалле, формирование на его нерабочей стороне соединительного слоя из полицида, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью теплоэлектропроводного клея или эвтектики, отличающийся тем, что соединительный слой на обратной стороне формируют...