Дідик Роман Іванович
Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці
Номер патенту: 109648
Опубліковано: 25.08.2016
Автори: Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович, Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович
МПК: C23C 14/54, C23C 14/50, H01L 21/00 ...
Мітки: кремнієвий, отримання, спосіб, контактів, підкладці
Формула / Реферат:
Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці, за яким на кремнієву підкладку напилюють у вакуумі спочатку алюмінієву плівку, а через 5-10 хвилин - шар міді товщиною 500-3000 Å, після чого формують контактний майданчик, до якого термокомпресійно приварюють один кінець золотого мікродроту, який відрізняється тим, що попередньо фіксують другий кінець золотого мікродроту, а місце приварювання покривають епоксидною смолою.
Спосіб радіаційної обробки транзисторних сенсорів температури
Номер патенту: 107956
Опубліковано: 24.06.2016
Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович
МПК: H01L 21/428, H01L 31/115
Мітки: радіаційної, транзисторних, температури, спосіб, обробки, сенсорів
Формула / Реферат:
Спосіб радіаційної обробки транзисторних сенсорів температури, за яким їх опромінюють, а потім термовідпалюють, який відрізняється тим, що сенсори опромінюють Х-променями дозою 4000÷4250 Гр, а температурний відпал проводять при температурі 130÷135 °C упродовж 120±5 хв.
Спосіб контактного точкового мікрозварення
Номер патенту: 103703
Опубліковано: 25.12.2015
Автори: Грипа Андрій Сергійович, Слободзян Дмитро Петрович, Кушлик Маркіян Олегович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Лис Роман Мирославович
МПК: B23K 11/30, B81C 3/00, B23K 11/10 ...
Мітки: спосіб, контактного, точкового, мікрозварення
Формула / Реферат:
Спосіб контактного точкового мікрозварення, за яким деталі, які необхідно зварити, розміщують між електродами, прикладають зусилля притискання та пропускають імпульс струму, який відрізняється тим, що робочі поверхні електродів попередньо покривають матеріалом, який не має гарячої адгезії до матеріалу, з якого виготовлені деталі, які зварюють.
Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів
Номер патенту: 102378
Опубліковано: 26.10.2015
Автори: Слободзян Дмитро Петрович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Кушлик Маркіян Олегович
МПК: H01L 21/02
Мітки: спосіб, матеріалів, обробки, напівпровідникових
Формула / Реферат:
Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів, за яким напівпровідники опромінюють електромагнітним полем, який відрізняється тим, що для опромінення використовують Х-промені.
Лоток сублімаційної сушарки
Номер патенту: 94662
Опубліковано: 25.11.2014
Автори: Сухоребрий Сергій Петрович, Гривняк Василь Степанович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Дідик Роман Іванович
МПК: F26B 25/18, F26B 5/06
Мітки: сублімаційної, сушарки, лоток
Формула / Реферат:
Лоток сублімаційної сушарки з вертикальними ребрами з матеріалу з хорошою теплопровідністю, який відрізняється тим, що додатково містить каркас по формі лотка, з розміщеними вертикальними ребрами, виготовленими з плетеної сітки з комірками 0,3¸0,5 розміру гранул матеріалу, що піддають сублімації.
Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів
Номер патенту: 86829
Опубліковано: 10.01.2014
Автори: Кушлик Маркіян Олегович, Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович
МПК: G01N 3/08, H01L 21/322
Мітки: напівпровідникових, пластичної, матеріалів, деформації, пристрій
Формула / Реферат:
Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів, що містить несучу трубу, з розміщеними елементами кріплення і фіксації дослідного зразка, та приєднаним навантажувачем, який відрізняється тим, що частина несучої труби з елементами кріплення дослідного зразка розміщена у місці з відсутнім температурним градієнтом трубчатої печі.
Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик
Номер патенту: 86709
Опубліковано: 10.01.2014
Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович
МПК: G01N 3/18, H01L 21/324, H01L 21/322 ...
Мітки: пристрій, тіл, одновісних, твердих, дослідження, створення, характеристик, деформацій, електрофізичних
Формула / Реферат:
Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик, що містить кріостат, робочий об'єм якого підключений до повітряної помпи для створення вакууму, розміщені в ньому засоби кріплення і засоби дослідження електрофізичних властивостей дослідного зразка, навантажувач, опорну трубу з динамометром, який відрізняється тим, що навантажувач розміщений під кутом 90° до осі навантаження на...
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах
Номер патенту: 84570
Опубліковано: 25.10.2013
Автори: Кушлик Маркіян Олегович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Дідик Роман Іванович, Лис Роман Мирославович
МПК: G01R 1/00
Мітки: різних, пристрій, температурах, характеристик, вимірювання, структур, напівпровідникових, електрофізичних, зондовий
Формула / Реферат:
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур
Номер патенту: 78467
Опубліковано: 25.03.2013
Автори: Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Кушлик Маркіян Олегович, Шикоряк Йосип Андрійович, Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович
МПК: G01R 1/00, H01L 21/02
Мітки: вимірювання, характеристик, електрофізичних, напівпровідникових, структур, зондовий, пристрій
Формула / Реферат:
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для встановлення притискної пружини, один кінець якої...
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур
Номер патенту: 68570
Опубліковано: 26.03.2012
Автори: Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Дідик Роман Іванович, Цвєткова Ольга Валентинівна, Слободзян Дмитро Петрович
МПК: H01L 21/02, G01R 1/00
Мітки: вимірювання, пристрій, структур, характеристик, напівпровідникових, електрофізичних, зондовий
Формула / Реферат:
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...
Пристрій для нанесення покриттів у вакуумі
Номер патенту: 58771
Опубліковано: 26.04.2011
Автори: Грипа Андрій Сергійович, Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович
МПК: C23C 14/50, H01L 21/02, C23C 14/54 ...
Мітки: вакуумі, пристрій, покриттів, нанесення
Формула / Реферат:
1. Пристрій для нанесення покриттів у вакуумі, що містить корпус, два випарники, кожний з яких жорстко закріплений до двох штанг, одна з яких з'єднана з корпусом, а друга - з індивідуальним джерелом напруги, рухомі захисні заслони, розміщені між випарниками та нагрівником прямокутної Г-подібної форми, прикріпленим до штанги, з'єднаної з корпусом через керамічну пластину, виконаним з нержавіючої сталі з вифрезерованою з одного боку площиною,...
Пристрій для двостороннього нанесення покриттів у вакуумі
Номер патенту: 47597
Опубліковано: 10.02.2010
Автори: Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович
МПК: H01L 21/02, C23C 14/50, C23C 14/54 ...
Мітки: нанесення, вакуумі, покриттів, пристрій, двостороннього
Формула / Реферат:
Пристрій для двостороннього нанесення покриттів у вакуумі, що містить випарник, закріплений жорстко до двох штанг, одна з яких з'єднана з корпусом, а друга - з джерелом напруги, нагрівник зразка з нагрівним елементом та термопарою, жорстко закріплений до штанги, з'єднаної з корпусом, рухому захисну заслінку, розміщену між випарником та нагрівником, який відрізняється тим, що додатково введені випарник та заслінка, розміщені з протилежної...
Спосіб просвітлення та захисту елементів інфрачервоної оптики на основі йодиду цезію
Номер патенту: 49434
Опубліковано: 16.09.2002
Автори: Гудь Ірина Зиновіївна, Дідик Роман Іванович
МПК: G03C 1/015, G02B 1/10, G01D 3/02 ...
Мітки: йодиду, просвітлення, основі, спосіб, захисту, оптики, цезію, елементів, інфрачервоної
Формула / Реферат:
Спосіб просвітлення та захисту елементів інфрачервоної оптики на основі йодиду цезію, що включає нанесення у вакуумі плівки фториду металу термічним напиленням на нагріту поверхню елементу, який відрізняється тим, що на нагріту до 180-200°С поверхню з швидкістю 0,20-0,25 мкм/хв наносять плівку фтористого натрію.
Спосіб одержання монокристалів галогенідів лужних металів та пристрій для його реалізації
Номер патенту: 28250
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Гарапин Ірина Володимирівна, Антонів Іван Петрович, Дідик Роман Іванович
МПК: C30B 11/00, C30B 29/12
Мітки: монокристалів, одержання, галогенідів, металів, пристрій, реалізації, спосіб, лужних
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання монокристалів галогенідів лужних металів, який включає їх плавлення у вакуумі в присутності вуглецевого сорбенту в реакційній ампулі, розділення продуктів реакції та розплавленої солі в процесі транспортування розплаву з реакційної ампули а ростову та наступну направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що розділення продуктів реакції та солі проводять шляхом випаровування солі з реакційної ампули з наступною...
Вимірювач потужності випромінювання лазера
Номер патенту: 14701
Опубліковано: 04.02.1997
Автори: Гарапин Ірина Володимирівна, Дідик Роман Іванович, Антонів Іван Петрович
МПК: H01S 3/00
Мітки: випромінювання, лазера, вимірювач, потужності
Формула / Реферат:
1. Вимірювач потужності випромінювання лазера, що містить світлопоглинаючий елемент з термопарами і мілівольтметр, який відрізняється тим, що світлопоглинаючий елемент виконаний у вигляді шайби з отвором для виділення робочої частини лазерного променя, причому від відбитих та розсіяних лазерних променів шайба закрита світловідбиваючим екраном з аналогічним отвором.2. Вимірювач по п.1, який відрізняється тим, що світлопоглинаючий...