Патенти з міткою «p-cdte»
Спосіб виготовлення омічних контактів до високоомних монокристалічних зразків p-cdte, легованого хлором
Номер патенту: 76097
Опубліковано: 25.12.2012
Автори: Сукач Андрій Васильович, Лоцько Олександр Павлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Ворощенко Андрій Тарасович, Демчина Любомир Андрійович
МПК: H01L 21/04
Мітки: виготовлення, високоомних, зразків, монокристалічних, спосіб, p-cdte, контактів, хлором, омічних, легованого
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічних контактів до високоомних монокристалічних зразків p-CdTe, легованих хлором, який включає різку монокристала CdTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразків в поліруючому травнику та виготовлення електричних контактів методом термовакуумного напилення золота, який відрізняєтьсятим, що зразки додатково відпалюють в інертній атмосфері впродовж 60-65 хв. при температурі 175-178 °C.