Тетьоркін Володимир Володимирович
Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію р-типу провідності
Номер патенту: 91417
Опубліковано: 10.07.2014
Автори: Тетьоркін Володимир Володимирович, Ткачук Андрій Іванович, Ворощенко Андрій Тарасович, Сукач Андрій Васильович
МПК: H01L 31/00, H01L 21/04, H01L 31/06 ...
Мітки: шарів, полікристалічних, кадмію, гетероструктурний, контакт, омічний, телуриду, провідності, р-типу
Формула / Реферат:
Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію, що включає полікристалічний шар телуриду кадмію р-типу провідності, а також метал з високою роботою виходу, який відрізняється тим, що між металом та телуридом кадмію розміщується полікристалічний шар сильно легованого телуриду свинцю р-типу провідності, причому контактний метал є акцептором у телуриді свинцю.
Спосіб виготовлення омічних контактів до високоомних монокристалічних зразків p-cdte, легованого хлором
Номер патенту: 76097
Опубліковано: 25.12.2012
Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Лоцько Олександр Павлович, Демчина Любомир Андрійович, Ворощенко Андрій Тарасович, Сукач Андрій Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович
МПК: H01L 21/04
Мітки: зразків, p-cdte, хлором, виготовлення, легованого, омічних, контактів, монокристалічних, спосіб, високоомних
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічних контактів до високоомних монокристалічних зразків p-CdTe, легованих хлором, який включає різку монокристала CdTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразків в поліруючому травнику та виготовлення електричних контактів методом термовакуумного напилення золота, який відрізняєтьсятим, що зразки додатково відпалюють в інертній атмосфері впродовж 60-65 хв. при температурі 175-178 °C.
Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (t = 77 k) inas фотодіодів
Номер патенту: 47315
Опубліковано: 25.01.2010
Автори: Тетьоркін Володимир Володимирович, Ворощенко Андрій Тарасович, Лук'яненко Володимир Іванович, Луцишин Ірина Григорівна, Сукач Андрій Васильович
МПК: H01L 31/102, H01L 31/06, H01L 31/00 ...
Мітки: області, структура, чутливої, фотодіодів, охолоджуваних, p-n-переходу
Формула / Реферат:
Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (T=77 К) InAs фотодіодів, що складається з квазінейтральної області р-типу провідності, області просторового заряду та квазінейтральної області n-типу провідності, яка відрізняється тим, що з обох сторін межі p-n-переходу формується слаболегована область з концентрацією основних носіїв заряду ро=nо=(0.3-3.0)×1015 см-3, причому товщина ро-області повинна бути не менше глибини...
Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода
Номер патенту: 42419
Опубліковано: 10.07.2009
Автори: Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович, Ворощенко Андрій Тарасович
МПК: H01L 31/18, H01L 31/00, H01L 31/102 ...
Мітки: діода, виготовлення, теплового, спосіб, напівпровідникового
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода, що ґрунтується на використанні сильнолегованого германію з електронним типом провідності, який відрізняється тим, що потенціальний бар'єр для електронів створюється шляхом дифузії акцепторної домішки, а інжекційний шар формується повторною дифузією донорної домішки з більш високим рівнем розчинності для конвертації типу провідності, і досягнення концентрації електронів n
Спосіб виготовлення охолоджуваних (т=77 к) фоточутливих inas p-n-переходів
Номер патенту: 41154
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Лук'яненко Володимир Іванович, Сукач Андрій Васильович, Луцишин Ірина Григорівна, Ворощенко Андрій Тарасович, Тетьоркін Володимир Володимирович
МПК: H01L 31/18, H01L 31/102, H01L 33/00 ...
Мітки: спосіб, фоточутлівих, виготовлення, p-n-переходів, охолоджуваних, т=77
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення охолоджуваних (Т=77 К) фоточутливих InAs р-n-переходів, що включає дифузію акцепторної домішки кадмію в монокристалічні підкладки n-InAs у вакуумному замкненому об'ємі, наприклад вакуумованій кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що дифузія проводиться в інтервалі температур 570-650 °С протягом 15-60 хвилин, а як дифузант використовується сполука CdAs2.
Спосіб виготовлення фотоприймачів на основі сdte
Номер патенту: 28885
Опубліковано: 25.12.2007
Автори: Сукач Андрій Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Ворощенко Андрій Тарасович, Маслов Володимир Петрович
МПК: H01L 21/04, H01L 31/00, H01L 33/00 ...
Мітки: сdte, спосіб, виготовлення, фотоприймачів, основі
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фотоприймачів на основі CdTe, що базується на термічному випаровуванні вихідної речовини - телуриду кадмію у вакуумному квазізамкненому об'ємі при температурах 480-550 °С та конденсації з парової фази шару на діелектричній підкладці при температурах 380-450 °С, який відрізняється тим, що джерело випаровування і підкладку розташовували на малій (0,5-3,0 мм) відстані одне над одним, використовуючи для цього...