Патенти з міткою «p-n-переходів»

Номер патенту: 41154

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Лук'яненко Володимир Іванович, Сукач Андрій Васильович, Луцишин Ірина Григорівна, Ворощенко Андрій Тарасович, Тетьоркін Володимир Володимирович

МПК: H01L 31/102, H01L 31/18, H01L 33/00 ...

Мітки: виготовлення, фоточутлівих, спосіб, охолоджуваних, т=77, p-n-переходів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення охолоджуваних (Т=77 К) фоточутливих InAs р-n-переходів, що включає дифузію акцепторної домішки кадмію в монокристалічні підкладки n-InAs у вакуумному замкненому об'ємі, наприклад вакуумованій кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що дифузія проводиться в інтервалі температур 570-650 °С протягом 15-60 хвилин, а як дифузант використовується сполука CdAs2.