Патенти з міткою «т=77»
Спосіб виготовлення охолоджуваних (т=77 к) фоточутливих inas p-n-переходів
Номер патенту: 41154
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Лук'яненко Володимир Іванович, Луцишин Ірина Григорівна, Ворощенко Андрій Тарасович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович
МПК: H01L 31/102, H01L 31/18, H01L 33/00 ...
Мітки: p-n-переходів, фоточутлівих, виготовлення, т=77, охолоджуваних, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення охолоджуваних (Т=77 К) фоточутливих InAs р-n-переходів, що включає дифузію акцепторної домішки кадмію в монокристалічні підкладки n-InAs у вакуумному замкненому об'ємі, наприклад вакуумованій кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що дифузія проводиться в інтервалі температур 570-650 °С протягом 15-60 хвилин, а як дифузант використовується сполука CdAs2.