H01L 31/102 — характеризуються наявністю тільки одного потенційного або поверхневого бар’єру
Спосіб зниження концентрації акцепторів у власнодефектних кристалах
Номер патенту: 99369
Опубліковано: 10.08.2012
Автори: Морозов Леонід Михайлович, Писаревський Володимир Костянтинович, Коман Богдан Петрович
МПК: C30B 19/00, H01L 21/02, C30B 25/00 ...
Мітки: власнодефектних, спосіб, концентрації, акцепторів, зниження, кристалах
Формула / Реферат:
Спосіб зниження концентрації акцепторів у власнодефектних кристалах, за яким кристали вирощують вертикальним способом Бріджмена або способом твердотільної рекристалізації, який відрізняється тим, що з вирощеного кристала вирізають середню частину, отримані злитки розрізають на зразки у формі паралелепіпедів з розмірами мм, які механічно шліфують і хімічно полірують у...
Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (t = 77 k) inas фотодіодів
Номер патенту: 47315
Опубліковано: 25.01.2010
Автори: Сукач Андрій Васильович, Лук'яненко Володимир Іванович, Ворощенко Андрій Тарасович, Луцишин Ірина Григорівна, Тетьоркін Володимир Володимирович
МПК: H01L 31/102, H01L 31/00, H01L 31/06 ...
Мітки: чутливої, області, охолоджуваних, фотодіодів, p-n-переходу, структура
Формула / Реферат:
Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (T=77 К) InAs фотодіодів, що складається з квазінейтральної області р-типу провідності, області просторового заряду та квазінейтральної області n-типу провідності, яка відрізняється тим, що з обох сторін межі p-n-переходу формується слаболегована область з концентрацією основних носіїв заряду ро=nо=(0.3-3.0)×1015 см-3, причому товщина ро-області повинна бути не менше глибини...
Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода
Номер патенту: 42419
Опубліковано: 10.07.2009
Автори: Сукач Андрій Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Ворощенко Андрій Тарасович
МПК: H01L 31/00, H01L 31/102, H01L 31/18 ...
Мітки: теплового, виготовлення, напівпровідникового, діода, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода, що ґрунтується на використанні сильнолегованого германію з електронним типом провідності, який відрізняється тим, що потенціальний бар'єр для електронів створюється шляхом дифузії акцепторної домішки, а інжекційний шар формується повторною дифузією донорної домішки з більш високим рівнем розчинності для конвертації типу провідності, і досягнення концентрації електронів n
Спосіб виготовлення охолоджуваних (т=77 к) фоточутливих inas p-n-переходів
Номер патенту: 41154
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Сукач Андрій Васильович, Лук'яненко Володимир Іванович, Луцишин Ірина Григорівна, Тетьоркін Володимир Володимирович, Ворощенко Андрій Тарасович
МПК: H01L 31/102, H01L 31/18, H01L 33/00 ...
Мітки: p-n-переходів, охолоджуваних, виготовлення, спосіб, т=77, фоточутлівих
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення охолоджуваних (Т=77 К) фоточутливих InAs р-n-переходів, що включає дифузію акцепторної домішки кадмію в монокристалічні підкладки n-InAs у вакуумному замкненому об'ємі, наприклад вакуумованій кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що дифузія проводиться в інтервалі температур 570-650 °С протягом 15-60 хвилин, а як дифузант використовується сполука CdAs2.