Лук’яненко Володимир Іванович
Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (t = 77 k) inas фотодіодів
Номер патенту: 47315
Опубліковано: 25.01.2010
Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Лук'яненко Володимир Іванович, Луцишин Ірина Григорівна, Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович
МПК: H01L 31/00, H01L 31/06, H01L 31/102 ...
Мітки: структура, фотодіодів, охолоджуваних, області, p-n-переходу, чутливої
Формула / Реферат:
Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (T=77 К) InAs фотодіодів, що складається з квазінейтральної області р-типу провідності, області просторового заряду та квазінейтральної області n-типу провідності, яка відрізняється тим, що з обох сторін межі p-n-переходу формується слаболегована область з концентрацією основних носіїв заряду ро=nо=(0.3-3.0)×1015 см-3, причому товщина ро-області повинна бути не менше глибини...
Спосіб виготовлення охолоджуваних (т=77 к) фоточутливих inas p-n-переходів
Номер патенту: 41154
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Сукач Андрій Васильович, Лук'яненко Володимир Іванович, Луцишин Ірина Григорівна, Ворощенко Андрій Тарасович, Тетьоркін Володимир Володимирович
МПК: H01L 31/102, H01L 31/18, H01L 33/00 ...
Мітки: т=77, охолоджуваних, p-n-переходів, спосіб, виготовлення, фоточутлівих
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення охолоджуваних (Т=77 К) фоточутливих InAs р-n-переходів, що включає дифузію акцепторної домішки кадмію в монокристалічні підкладки n-InAs у вакуумному замкненому об'ємі, наприклад вакуумованій кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що дифузія проводиться в інтервалі температур 570-650 °С протягом 15-60 хвилин, а як дифузант використовується сполука CdAs2.