Бацула Олег Вікторович
Напівпровідниковий діод для генерації нвч коливань
Номер патенту: 65202
Опубліковано: 25.11.2011
Автори: Прохоров Едуард Дмитрович, Бацула Олег Вікторович, Клименко Ольга Олександрівна
МПК: H01L 29/76
Мітки: діод, генерації, напівпровідниковий, нвч, коливань
Формула / Реферат:
1. Напівпровідниковий діод для генерації НВЧ коливань, що містить високоомну підкладку, шар напівпровідникового матеріалу n-типу, а також стік (анод), витік (катод) і затвор, розміщені на зовнішній поверхні напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал n-типу використана епітаксіальна плівка n-GaAs з товщиною 1 мкм і концентрацією донорів n = 1016 см-3, а затвор, як тунельна межа, виконаний у вигляді...