H01L 29/76 — уніполярні прилади

Номер патенту: 65202

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Прохоров Едуард Дмитрович, Клименко Ольга Олександрівна, Бацула Олег Вікторович

МПК: H01L 29/76

Мітки: нвч, генерації, напівпровідниковий, коливань, діод

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий діод для генерації НВЧ коливань, що містить високоомну підкладку, шар напівпровідникового матеріалу n-типу, а також стік (анод), витік (катод) і затвор, розміщені на зовнішній поверхні напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал n-типу використана епітаксіальна плівка n-GaAs з товщиною 1 мкм і концентрацією донорів n = 1016 см-3, а затвор, як тунельна межа, виконаний у вигляді...

Номер патенту: 86018

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/336, H01L 29/76 ...

Мітки: спосіб, кремнієвого, отримання, мдн-транзистора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу та формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 та формування затворного електрода, проведення процесів пасивації та наступного опромінення отриманої транзисторної структури з довжиною каналу від 2 до 10 мкм із шириною 50 мкм рентгенівськими променями при...

Номер патенту: 64802

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Коларік Владімір, Нільсен Нільс Оле, Вісцор Петр, Делонг Армін

МПК: H01L 29/76, H01J 1/30

Мітки: електронний, пее, емітер, планарний

Формула / Реферат:

1. Пристрій з електронною провідністю, що містить елемент, який має першу і другу поверхні і включає в себе шар матеріалу, що розділяє першу і другу поверхні, при цьому перша і друга поверхні виконані з можливістю несення першого і другого електричного заряду відповідно, засіб формування електричного поля, направленого впоперек принаймні частини елемента, що містить засіб формування першого електричного заряду на першій поверхні елемента і...

Номер патенту: 9291

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Борщов В'ячеслав Миколайович, Гілецький Нестор Павлович, Буєров Геннадий Васильович

МПК: H01L 29/76, H01L 29/68

Мітки: hапівпровідhиковий, прилад

Формула / Реферат:

Полупроводниковый прибор на основе МДП-структуры, содержащий полупроводниковую под­ложку первого типа проводимости, в которой сформированы локальные высоколегированные области с контактами, ограничивающие область канала, две из которых расположенные на проти­воположных сторонах канала имеют второй тип проводимости и изолированный затвор, отличаю­щийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования сопротивления и линеаризации его,...