Прохоров Едуард Дмитрович

Номер патенту: 65202

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Клименко Ольга Олександрівна, Бацула Олег Вікторович, Прохоров Едуард Дмитрович

МПК: H01L 29/76

Мітки: нвч, напівпровідниковий, генерації, діод, коливань

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий діод для генерації НВЧ коливань, що містить високоомну підкладку, шар напівпровідникового матеріалу n-типу, а також стік (анод), витік (катод) і затвор, розміщені на зовнішній поверхні напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал n-типу використана епітаксіальна плівка n-GaAs з товщиною 1 мкм і концентрацією донорів n = 1016 см-3, а затвор, як тунельна межа, виконаний у вигляді...