Патенти з міткою «діод»

Номер патенту: 112306

Опубліковано: 12.12.2016

Автори: Скосар Вячеслав Юрійович, Плаксін Сергій Вікторович, Гниленко Олексій Борисович

МПК: H01L 47/02, H01L 29/10

Мітки: електронів, інжектором, гарячих, ступінчастим, ганна, діод

Формула / Реферат:

Діод Ганна з інжектором гарячих електронів, що містить металокерамічний корпус, елементи з'єднання, тепловідвід із золота та встановлену на ньому мезаструктуру, яка виконана у вигляді диска, на якій сформовано анодний омічний контакт, сформовано катодний омічний контакт із золота, який відрізняється тим, що мезаструктура зі сторони анода включає наступні шари: InP-підкладку товщиною 25 мкм, контактний InGaAs-шар товщиною 5 мкм, пролітну...

Номер патенту: 103208

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Веремійченко Георгій Микитович, Слєпова Олександра Станіславівна, Коростинська Тамара Василівна, Новицький Сергій Вадимович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Конакова Раїса Василівна, Зайцев Борис Васильович, Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семенов Олександр Володимирович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/861

Мітки: діод, ганна, фосфід-індієвий

Формула / Реферат:

1. Фосфід-індієвий діод Ганна, що містить епітаксійну фосфід-індієву мезаструктуру n++-n+-n, до якої зі сторін n++ та n нанесені виконані з Аu з'єднувальні шари, омічні та проміжні шари, де між омічними та проміжними шарами сформовані антидифузійні бар'єри з квазіаморфних шарів ТіВх, і яка, разом із з'єднувальними, омічними, проміжними шарами та з шарами антидифузійних бар'єрів, вісесиметрично розміщена та закріплена в кільцевому...

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Голинна Тетяна Іванівна, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сай Павло Олегович, Семенов Олександр Володимирович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Слєпова Олександра Станіславівна, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: діод, основі, ганна

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Номер патенту: 90045

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Оверко Валентин Михайлович, Оверко Михайло Валентинович, Одоладов Богдан Петрович, Кононенко Анатолій Петрович

МПК: F25B 41/00

Мітки: струминний, діод

Формула / Реферат:

Струминний діод, що містить зовнішній обертач, жорстко закріплений в корпусі, та внутрішній обертач спіралеподібної форми, який відрізняється тим, що напрямки спіралей протилежні, а розділювач потоків перевищує довжину обертачів не менше як на 15 діаметрів у бік прямої течії потоку.

Номер патенту: 89315

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Оверко Михайло Валентинович, Оверко Валентин Михайлович, Кузавка Олександр Валерійович, Овсянніков Володимир Павлович, Селівра Сергій Олександрович

МПК: F16L 55/04, B01D 45/12

Мітки: діод, струменевий

Формула / Реферат:

Струменевий діод, що містить підвідний та відвідний патрубки, які зв'язані з вихровою камерою, який відрізняється тим, що підвід до вихрової камери виконаний у формі спіральної нарізки на стрижні, розташованому в циліндрі.

Номер патенту: 89287

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Шпаков Артем Олександрович, Оверко Михайло Валентинович, Овсянніков Володимир Павлович, Кононенко Анатолій Петрович, Оверко Валентин Михайлович

МПК: B01D 45/12

Мітки: вихровий, діод, гідравлічний

Формула / Реферат:

Вихровий гідравлічний діод, що містить корпус, жорстко з'єднаний з обертачем, виконаним у вигляді пружини із змінним кроком, який відрізняється тим, що додатково обладнаний металевим обтічником, з'єднаним з корпусом за допомогою штифтів зі зворотними пружинами, причому обтічник має додаткову камеру опору з проточними каналами, розміщену зі зворотної сторони обтічника.

Номер патенту: 88736

Опубліковано: 25.03.2014

Автори: Оверко Валентин Михайлович, Лактіонова Юлія Олексіївна, Кононенко Анатолій Петрович, Оверко Михайло Валентинович

МПК: B01D 45/12

Мітки: струминний, діод

Формула / Реферат:

Струминний діод, що містить підвідний та відвідний гвинтоподібний патрубки, які зв'язані з конічною вихровою камерою, який відрізняється тим, що конічна вихрова камера має отвір з встановленим у ньому клапаном у формі порожнистого циліндра зі своєю вихровою камерою і отвором у дні, а також направляючий центральний стрижень.

Номер патенту: 84706

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Капустяник Володимир Богданович, Турко Борис Ігорович, Сагайдачна Наталія Володимирівна

МПК: H01L 33/24

Мітки: діод, світловипромінювальний

Формула / Реферат:

Світловипромінювальний діод, що містить підкладку з прозорим провідним плівковим електродом, частково покритим шаром зародків ZnO, нанодроти ZnO з p-типом електропровідності, вкриті діелектричним ізоляційним шаром, плівковий золотий контактний електрод, який відрізняється тим, що як шар зародків використовують ZnO з n-типом електропровідності, а як діелектричний ізоляційний матеріал - фоторезист.

Номер патенту: 75770

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Оверко Михайло Валентинович, Кононенко Анатолій Петрович, Гончаров Андрій Михайлович, Оверко Валентин Михайлович

МПК: B01D 45/12, F15B 15/00, F16L 55/04 ...

Мітки: струменевий, діод

Формула / Реферат:

Струменевий діод, що містить підвідний та відвідний патрубки, які зв'язані з вихровою камерою, який відрізняється тим, що конічна вихрова камера виконана з тороподібною частиною, а відвідний гвинтоподібний патрубок встановлений на торцевій частині вихрової камери.

Номер патенту: 75676

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Бойко Микола Григорович, Палій Максим Олександрович, Оверко Михайло Валентинович, Оверко Валентин Михайлович

МПК: F25B 41/00

Мітки: струминний, теплових, діод, насосів

Формула / Реферат:

Струминний діод для теплових насосів, що містить решітку зі сторони прямого руху потоку та обертач, жорстко закріплений в корпусі, який відрізняється тим, що решітка розташована послідовно з обертачем, який має спіральну форму зі змінним кроком.

Номер патенту: 71701

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Рижков Микола Ігорович, Зоренко Олександр Вольтович, Маруненко Юрій Володимирович, Басанець Володимир Васильович, Крицька Тетяна Володимирівна, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/864, H01L 29/00

Мітки: діод, імпульсний, лавинно-пролітний

Формула / Реферат:

1. Імпульсний лавинно-пролітний діод, який складається з кремнієвої мезаструктури типу р+ - р - n - n+, до протилежних сторін якої сформовані низькоомні контактні системи, до сторони р+ створений інтегральний тепловід визначеної товщини і форми, проміжні і контактуючі шари до сторін р+ та n+, які забезпечують приєднання до зовнішніх електричних виводів, корпуса з діелектричного матеріалу у вигляді циліндричної порожнистої втулки з...

Номер патенту: 68287

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Селівра Сергій Олександрович, Ніколенко Дмитро Юрійович, Оверко Валентин Михайлович, Оверко Михайло Валентинович

МПК: F25B 41/00

Мітки: теплових, струминний, діод, насосів

Формула / Реферат:

Струминний діод для теплових насосів, що містить жорстко закріплений порожнистий обтічник і зовнішня частина якого має кулясту поверхню зі сторони прямого руху потоку, який відрізняється тим, що обтічник має тороїдальну внутрішню поверхню, яка за твірною пов'язана з конусоподібними радіально розташованими отворами.

Номер патенту: 67834

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Жук Антон Геннадійович, Романюк Володимир Романович, Семененко Микола Олександрович, Манойлов Едуард Геннадійович, Охріменко Ольга Борисівна, Бачеріков Юрій Юрійович

МПК: H01L 29/88

Мітки: точок, розміром, просторових, однієї, основі, координат, упорядкованих, діод, квантових, вздовж, осей

Формула / Реферат:

Діод, що містить два контакти, який відрізняється тим, що він виконаний у вигляді діелектричної матриці, яка містить квантові точки, розташовані впорядковано за розміром між контактами, за зростанням розміру від анода до катода.

Номер патенту: 66914

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Конакова Раїса Василівна, Коростинська Тамара Василівна

МПК: H01L 29/00

Мітки: основі, металів, групи, платинової, контактною, системою, діод, лавинно-пролітний

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод, виконаний у вигляді кремнієвої мезаструктури р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані багатошарові низькоомні контактні системи, що складаються послідовно з шарів паладію, контактуючих з поверхнями кремнію р+ та n+, з'єднувальних шарів платини, сполучних шарів з плівок золота та інтегрального тепловідводу з міді до сторони р+, який відрізняється тим, що шари паладію мають оптимальну товщину L, яка находиться в...

Номер патенту: 65202

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Бацула Олег Вікторович, Клименко Ольга Олександрівна, Прохоров Едуард Дмитрович

МПК: H01L 29/76

Мітки: нвч, напівпровідниковий, генерації, діод, коливань

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий діод для генерації НВЧ коливань, що містить високоомну підкладку, шар напівпровідникового матеріалу n-типу, а також стік (анод), витік (катод) і затвор, розміщені на зовнішній поверхні напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал n-типу використана епітаксіальна плівка n-GaAs з товщиною 1 мкм і концентрацією донорів n = 1016 см-3, а затвор, як тунельна межа, виконаний у вигляді...

Номер патенту: 95107

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/24, H01L 31/117

Мітки: чутливістю, p-і-n, керованою, нейтроночутливий, діод

Формула / Реферат:

1. Нейтроночутливий P-I-N діод з керованою чутливістю, виконаний на напівпровідниковій пластині, наприклад пластинці з n-кремнію високого опору, та має протяжну базу, вкриту шаром ізолятора (8), наприклад, SiO2 для зменшення впливу поверхневих ефектів, р+ область (3) та n+ область (7) з відповідними контактними площадками, який відрізняється тим, що на обох поверхнях бази P-I-N діода сформований шар ізолятора, поверх якого розташовані...

Номер патенту: 92001

Опубліковано: 27.09.2010

Автори: Нейджел Таймен, Мулман Якобус Філліппус

МПК: F21V 7/00

Мітки: діодом, використовується, лампа, свд, світловипромінювальний, випущеного, світловипромінювальним, фокусування, джерело, котрій, діод, світла, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб фокусування світла, випущеного світловипромінювальним діодом (СВД), що  включає стадії відбивання принаймні порції світла, випущеного СВД діодом, таким чином, що відбите світло випромінюється далеко від фокальної точки; і після відбивання світла - фокусування принаймні порції відбитого випроміненого світла в пучок знов шляхом відбивання цього світла для спрямування його в пучок, причому відбивання і спрямування порції світла,...

Номер патенту: 91576

Опубліковано: 10.08.2010

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/00, G01T 1/00

Мітки: гамма, діод, рентгеночутливий, шотткі

Формула / Реферат:

1. Гамма-, рентгеночутливий діод Шотткі, що має основу та шар матеріалу (2), на якому розташований контактний електрод, який відрізняється тим, що основа діода Шотткі виконана з селеніду цинку, легованого телуром, а шар матеріалу (2) виконаний здатним до ефективного поглинання квантів випромінювання з довжиною хвилі lс, і його ширина забороненої зони менше або дорівнює енергії вторинних фотонів, породжених матеріалом основи, при цьому...

Номер патенту: 51542

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Раєвська Нелля Сергіївна, Ковтонюк Віктор Михайлович, Веремійченко Георгій Микитович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: фосфіду, індію, ганна, діод

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діод Ганна з фосфіду індію, який містить в собі епітаксіальну мезаструктуру типу n-n+-n++, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний контакти із сплаву золото-германій, бар'єрні шари із дибориду титану або дибориду цирконію, до яких сформовані контактуючі шари з молібдену, потім з'єднувальні шари із золота та тепловідвід до катодного контакту, і яка вісесиметрично розташована в діелектричному корпусі із...

Номер патенту: 51493

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Личман Кирило Олексійович, Кривуца Валентин Антонович, Басанець Володимир Васильович, Лєдєньова Тетяна Миколаївна

МПК: H01L 23/48

Мітки: параметричний, діод, нвч, бар'єри, шотткі

Формула / Реферат:

НВЧ параметричний діод на бар'єрі Шотткі, який містить в собі осесиметричну напівпровідникову структуру з областями n і n+, бар'єр Шотткі, сформований зі сторони n-шару, омічний контакт, який виконаний до сторони n+, контактуючі з'єднувальні шари, які нанесені на омічний контакт та на шар, який утворює з поверхнею n бар'єр Шотткі, який відрізняється тим, що напівпровідникова структура виконана з карбіду кремнію, а між шаром омічного контакту...

Номер патенту: 49990

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Конакова Раїса Васильйовна, Бєляєв Олександр Євгенійович, Веремійченко Георгій Микитович, Кудрик Ярослав Ярославович, Тарасов Ілья Сєргєєвіч, Арсєнтьєв Іван Нікітіч, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Міленін Віктор Володимирович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: індія, ганна, діод, фосфіду

Формула / Реферат:

Діод Ганна, що містить епітаксіальну структуру n++- n+- n, до якої зі сторін n++ та n виконані омічні контакти з контактуючими приєднувальними шарами, між якими сформовані антидифузійні шари з дибориду титану або дибориду цирконію, при цьому вся епітаксійна структура вісесеметрично розміщена і закріплена в діелектричному кільцевому корпусі, в якому до верхньої та нижньої площин виконана металізація, за допомогою якої та гнучкого плоского...

Номер патенту: 49867

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Болтовець Микола Силович, Лєдєньова Тетяна Миколаївна, Коростинська Тамара Васильовна, Личман Кирило Олексійович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 29/00

Мітки: діод, системою, термостійкою, контактною, лавинно-пролітний

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод з термостійкою контактною системою, який виконано у вигляді кремнієвої мезаструктури типу р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані контактні системи, які складаються з дисиліциду паладію, послідовно нанесених тонких адгезійних шарів титану та контактуючих шарів платини або паладію, сполучних шарів з плівок золота, який відрізняється тим, що між шарами р+ i n+ і шарами силіциду паладію сформовані низькоомні шари...

Номер патенту: 48718

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Личман Кирило Олексійович, Кривуца Валентин Антонович, Суворова Лідія Михайлівна, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/02, H01L 29/86 ...

Мітки: надвисокочастотний, діод, кремнієвий, р-i-n

Формула / Реферат:

Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод, який містить в собі вісесиметричну структуру з високоомного кремнію і-типу, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолеговані шари р+- та n+-типу провідності та омічні контакти до них, на які нанесені з'єднувальні шари з приєднаними електричними виводами та багатошаровий діелектрик, який покриває поверхню частини кремнію, вільну від контактної системи до сторони р+, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 43851

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Голинная Тетяна Іванівна, Личман Кирило Олексійович, Кривуца Валентин Антонович, Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Уріцкая Надія Ярославівна, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 29/86, H01L 21/04, H01L 21/02 ...

Мітки: надвисокочастотний, p-і-n, діод, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кристал у вигляді мезоструктури з високоомного напівпровідникового матеріалу, на протилежних поверхнях якого сформовані сильнолеговані шари р- і n-типу провідності, омічні контакти до них; змонтований осесиметрично всередині кільцевого діелектричного корпусу із металізованими протилежними площинами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виконано з карбіду...

Номер патенту: 42422

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/00, H01L 31/00

Мітки: p-і-n, діод, нейтроночутливий, чутливістю, керованою

Формула / Реферат:

1. Нейтроночутливий P-I-N діод з керованою чутливістю, що виконаний на напівпровідниковій пластині, наприклад пластинці з n- кремнію високого опору, та має протяжну базу, вкриту шаром ізолятора (8), наприклад SiO2, для зменшення впливу поверхневих ефектів, р+ область (3) та n+ область (7) з відповідними контактними площадками, який відрізняється тим, що на обох поверхнях згаданої бази поверх ізолятора розташовані керуючі чутливістю металеві...

Номер патенту: 38840

Опубліковано: 26.01.2009

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 29/872, G01T 1/00

Мітки: діод, рентгеночутливий, гамма

Формула / Реферат:

1. Гамма-, рентгеночутливий діод, який виконаний у вигляді діода, що має основу з покриттям, на якому розташований контактний електрод, який відрізняється тим, що як діод використовують щонайменше один діод Шотткі, основа якого (1) виконана з селеніду цинку, легованого телуром, а шар (2) - з матеріалу з шириною забороненої зони, меншою або рівною енергії вторинних фотонів з lс, породжених матеріалом основи, або енергетичними рівнями в...

Номер патенту: 30533

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Болтовець Микола Силович, Суворова Лідія Михайлівна, Кривуца Валентин Антонович, Ніколаєнко Юрій Григорович, Личман Кирило Олексійович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/02, H01L 29/86 ...

Мітки: p-і-n, надвисокочастотний, безкорпусний, діод, кремнієвий

Формула / Реферат:

1. Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, який містить кремнієвий кристал з високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари р- та n-типу провідності і омічні контакти до них, смужковий вивід та основне захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді чіпа, а бічну поверхню р-n переходу чіпа методом травлення в р-n переході кільцевої...

Номер патенту: 81185

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Слєпова Олександра Станіславівна, Миколаєнко Валентина Іванівна, Басанець Володимир Васильович

МПК: H01L 29/864, H01L 29/00

Мітки: діод, лавино-пролітний

Формула / Реферат:

Лавино-пролітний діод, що містить багатошарову напівпровідникову структуру із p+- р - n - n+ областями з визначеним  розподілом за площиною легуючих елементів, у якій області р-типу  і n-типу зазначеної структури створюють асиметричний перехід зі збідненим шаром, а до областей р+ і n+ сформовані омічні контакти, що не випрямляють, з антидифузійними шарами, причому з боку p+ області сформований інтегральний тепловідвід, проміжні та контактні...

Номер патенту: 8493

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Ковтонюк Віктор Михайлович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: галію, надвисокочастотний, напівпровідниковий, арсеніду, ганна, діод

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний діод Ганна з арсеніду галію, що містить металокерамічний корпус, елементи з'єднання, тепловідвід із золота та встановлену на ньому мезаструктуру, яка виконана у вигляді диска із арсеніду галію типу n-n+-n++, на якій зі сторони n++ сформовано анодний омічний контакт, а зі сторони n сформовано пошаровий катодний омічний контакт, який включає шар золото-германієвого сплаву, антидифузійний шар із дибориду...

Номер патенту: 32802

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Шаповалов Віталій Павлович, Черненко Олександр Анатолійович, Татаринов В'ячеслав Ігорович

МПК: H01L 29/861

Мітки: високочастотний, точковий, діод

Формула / Реферат:

Високочастотний точковий діод, що містить підкладку з монокристалічного напівпровідникового матеріалу n-типу провідності, з якою контактує загостреній кінець вольфрамового дроту, який зігнутий у пружину, що відрізняється тим, що підкладка доповнена n+-шаром із сторони дроту та р-шаром з іншої сторони підкладки.

Номер патенту: 32488

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Челюбеєв Віктор Миколайович, Родіонов Михайло Кузьмич

МПК: H01L 47/00

Мітки: діод, ганна

Номер патенту: 22193

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Пантюк Володимир Олександрович, Гаращенко Микола Павлович, Переверзев Анатолій Васильович, Назаренко Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/00

Мітки: статичний, діод, індукційний

Формула / Реферат:

Статический индукционный диод, содержащий базовую область n-типа, в которой на одинаковом расстоянии друг от друга сформированы глубокие области р+-типа, соединенные между собой нанесенной на поверхность структуры металлической пленкой, отличающийся тем, что в приповерхностном слое базы между р+-областями выполнен тонкий слой n+-типа, электрически соединенный с р+-областями металлической пленкой.

Номер патенту: 15048

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Буторін Вячеслав Михайлович, Карушкін Микола Федорович

МПК: H01L 29/868, H01L 47/00

Мітки: діод, hвч, hапівпровідhиковий

Формула / Реферат:

Полупроводниковый СВЧ-диод, содержащий меза-структуру в виде кольца и диэлектрическую втулку, установленные соосно на металлическом теплоотводе, металлическую крышку в виде диска, присоединенную через контактный элемент к верхнему торцу диэлектрической втулки, и к металлизированному торцу кольцевой меза-структуры, отличающийся тем, что ширина кольца меза-структуры выбрана равной глубине скинслоя в области взаимодействия носителей заряда в...