Бондар Вячеслав Дмитрович

Номер патенту: 18139

Опубліковано: 01.07.1997

Автори: Бондар Вячеслав Дмитрович, Василів Михайло Ярославович, Гальчинський Олександр Володимирович

МПК: H01L 39/24

Мітки: пристрій, надпровідних, осадження, плівок

Формула / Реферат:

Пристрій для осадження надпровідних плівок, який містить ВЧ-генератор, анод, магнетронний катодний вузол з мішенню та підкладки, який відрізняється тим, що підкладки розташовані безпосередньо над поверхнею мішені в області тіні для іонів О2-.

Номер патенту: 18151

Опубліковано: 01.07.1997

Автори: Василів Михайло Ярославович, Бондар Вячеслав Дмитрович

МПК: H01L 39/24

Мітки: осадження, багатокомпонентних, плівок, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб осадження багатокомпонентних плівок, який включає іонно-плазмове розпилення з твердофазної синтезованої мішені, який відрізняється тим, що високочастотні коливання, сформовані ВЧ-генератором, модулюють сітковими низькочастотними імпульсами, які формують результуючий імпульс І паузу в співвідношенні (1/1 - 8/8) мс.

Номер патенту: 17953

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Харамбура Софія Богданівна, Матвіїшин Ігор Михайлович, Бондар Вячеслав Дмитрович

МПК: G01N 27/02

Мітки: газів, аналізу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб аналізу газів, що включає опромінення чутливого елементу, пропускання газу над чутливим елементом і  вимірювання електричних параметрів чутливого елементу, який відрізняється тим, що в якості чутливого лементу використовують монокристал з шаруватою структурою, вибраний з групи А2В27 чи А3В6, в процесі аналізу його піддають високоенергетичному і онізуючому опроміненню і  за величиною е.р.с. судять про вид аналізованого газу.

Номер патенту: 14698

Опубліковано: 20.01.1997

Автори: Бондар Вячеслав Дмитрович, Матвіішин Ігор Михайлович, Лискович Олексій Борисович, Попович Степан Тадейович

МПК: H01L 31/08

Мітки: випромінювання, ультрафіолетового, детектор

Формула / Реферат:

1. Детектор ультрафіолетового випро­мінювання на основі неорганічного фоточутливого матеріалу, який відрізняється тим, що він викона­ний із неорганічного шаристого кристалу на основі CdІ2.2. Детектор по п. 1, який відрізняється тим, що кристал на основі CdІ2 містить домішки Рb або Sn з концентрацією 0,01-1,0 моль. %.