H01L 31/08 — в яких випромінювання управляє струмом, що проходить через прилад, наприклад фоторезистори

Номер патенту: 110751

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Нетяга Віктор Васильович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Бахтінов Анатолій Петрович, Кудринський Захар Русланович

МПК: H01L 31/112, H01L 31/053, H01L 31/08 ...

Мітки: напівпровідниковий, гібридний, фотоперетворювач, наноіонний

Формула / Реферат:

Гібридний напівпровідниковий наноіонний фотоперетворювач, що містить прозорий для оптичного випромінювання фронтальний шар металу, фоточутливий напівпровідниковий матеріал з шаруватою кристалічною структурою і розташовані на металевому шарі і на напівпровідниковому матеріалі контактні електроди, який відрізняється тим, що як фоточутливий напівпровідниковий матеріал використовується нанокомпозитний матеріал, який являє собою тверду...

Номер патенту: 57679

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Ліщинська Людмила Броніславівна, Філинюк Микола Антонович, Рожкова Яна Сергіївна, Фурса Світлана Євгеніївна, Барабан Марія Володимирівна

МПК: G01R 1/00, H01L 31/04, H01L 31/08 ...

Мітки: генераторний, датчик, резистивний

Формула / Реферат:

Резистивний генераторний датчик, що містить резистивний первинний вимірювальний перетворювач, підключений паралельно до транзисторної схеми, який відрізняється тим, що введено другий резистивний первинний перетворювач імітансу, підключений паралельно до першого, три резистори, перший, другий, тертій та четвертий конденсатори, шину живлення, загальну шину, причому як транзистор використаний одноперехідний транзистор, емітер якого з'єднано з...

Номер патенту: 34700

Опубліковано: 26.08.2008

Автор: Литвин Ігор Сергійович

МПК: H01L 31/10, H01L 31/08

Мітки: зображень, електричні, сигнали, оптичних, спосіб, перетворення

Формула / Реферат:

Спосіб перетворення оптичних зображень в електричні сигнали шляхом реєстрації амплітуди фотострумів або фотонапруги, що виникають в МДП структурі з р-n переходом при опроміненні, який відрізняється тим, що до МДП структури з р-n переходом послідовно прикладають електричні поля, які викликають створення нестаціонарних областей просторового заряду поблизу поверхні напівпровідник - діелектрик і в р-n переході, розділяють електричні заряди, які...

Номер патенту: 32291

Опубліковано: 12.05.2008

Автор: Литвин Ігор Сергійович

МПК: H01L 31/08

Мітки: сигнали, перетворення, оптичних, електричні, пристрій, зображень

Формула / Реферат:

Пристрій перетворення оптичних зображень в електричні сигнали, що містить напівпровідникову підкладку першого типу провідності, в якій вміщуються області витоку і стоку другого типу провідності, між якими розміщений керуючий затвор, який відрізняється тим, що підзатворний запам'ятовуючий діелектрик і запам'ятовуючий затвор розміщені над витоком.

Номер патенту: 10204

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Степанчиков Дмитро Михайлович

МПК: H01L 31/04, H01L 31/08

Мітки: термофотоелектричний, перетворювач

Формула / Реферат:

Термофотоелектричний перетворювач, що являє собою напівпровідникову пластину принаймні з двома контактами, який відрізняється тим, що пластина виконана з фосфіду кадмію (Сd3Р2) з бар'єром Шотткі, а контакти - з олова (Sn) або срібла (Ag).

Номер патенту: 6730

Опубліковано: 16.05.2005

Автор: Литвин Ігор Сергійович

МПК: H01L 31/08

Мітки: випромінювання, визначення, координат, джерела, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій визначення координат джерела випромінювання, що містить напівпровідникову структуру, виконану із шарів із різним типом провідності, оснащених електродами, попарно нанесеними на кожен шар, підключені до кожного електрода блоки реєстрації та обробки сигналів і джерело напруги, який відрізняється тим, що напівпровідникові шари структури розділені діелектричним шаром, товщина напівпровідникового шару, що опромінюється першим, вибрана із...

Номер патенту: 4188

Опубліковано: 17.01.2005

Автор: Литвин Ігор Сергійович

МПК: H01L 31/08

Мітки: джерела, спосіб, координат, випромінювання, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення координат джерела випромінювання шляхом реєстрації поздовжніх фотострумів, що виникають в напівпровідниковій структурі при локальному опроміненні, перетворення величин фотострумів в координати, який відрізняється тим, що до напівпровідникової структури прикладають електричне поле, яке викликає збагачення основними носіями зарядів поверхонь напівпровідникових шарів, повернутих один до одного, з напруженістю, вибраною із...

Номер патенту: 3340

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Жарков Антон Вікторович, Плотніков Віктор Євгенович, Кізім Ігор Володимирович, Жарков Віктор Якович

МПК: H01L 31/08

Мітки: фотореле, електронне

Формула / Реферат:

1. Електронне фотореле, яке містить джерело живлення з позитивною і негативною клемами, виконавчий орган з вхідними і вихідними виводами, датчик, виконаний за схемою аналога лямбда-діода з анодом і катодом, що містить комплементарну пару польових транзисторів з каналами різного типу провідності, з'єднаних своїми витоками, яке відрізняється тим, що воно додатково містить підсилювальний транзистор, два фотодіоди, кожен фотодіод ввімкнений між...

Номер патенту: 67417

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Аппазов Едуард Сейярович, Марончук Олександр Ігорович, Шутов Станіслав Вікторович, Лубяний Віктор Захарович

МПК: H01L 31/04, H01L 31/08

Мітки: термофотоелектричний, перетворювач

Формула / Реферат:

Термофотоелектричний перетворювач, що являє собою леговану важкими металами напівпровідникову пластину принаймні з двома контактами, який відрізняється тим, що напівпровідникова пластина виконана з нітриду індію, а контакти з SnО2:Іn2О3.

Номер патенту: 61506

Опубліковано: 17.11.2003

Автор: Жарков Віктор Якович

МПК: H01L 31/08

Мітки: фотореле

Формула / Реферат:

1. Фотореле, яке містить джерело живлення з позитивною і негативною клемами, виконавчий орган, з першим і другим вхідними виводами, перший вхідний вивід, приєднаний до позитивної клеми, датчик, виконаний за схемою лямбда-діода з анодом і катодом, що містить комплементарну пару польових транзисторів, витоки яких з'єднані, між затвором польового транзистора з каналом n-типу і стоком цього польового транзистора, який є анодом, ввімкнений...

Номер патенту: 56764

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Горбач Тамара Яківна, Свєчніков Сергій Васильович, Смертенко Петро Семенович

МПК: H01L 31/08, H01L 21/302

Мітки: виготовлення, спосіб, фоторезистор, планарний

Формула / Реферат:

1. Планарний фоторезистор, що містить напівпровідникову підкладку, поверхня якої виконана з рельєфом, який відрізняється тим, що фронтальна і тильна поверхні підкладки із напівізолюючого GaAs містять нестехіометричний вакансійно-галієвий шар скелетно-дендритної морфології товщиною не менше значення довжини хвилі випромінювання верхньої межі спектрального діапазону і шар оксиду арсенолітової фази.2. Спосіб виготовлення планарного...

Номер патенту: 34983

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Смуглій Віталій Ігорович, Бородін Борис Григорович

МПК: H01L 31/08, H01L 31/12, H01L 27/14 ...

Мітки: фотоприймальний, пристрій

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій, до складу якого входить генератор сигналів високої частоти, який є джерелом живлення фоточутливого перетворювача з комірками, що виконуються у вигляді інтегральних структур типу фотоконденсатор - резистор, виходи якого зв'язані з входами комутатора, вихід якого зв'язаний з входом підсилювача, який відрізняється тим, що додатково введений вимірювач фазового зсуву, входи якого зв'язані з виходами генератора та...

Номер патенту: 23308

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Павлишин Олег Володимирович, Стахіра Роман Йосипович, Стахіра Павло Йосипович, Готра Зенон Юрійович

МПК: H01L 31/08

Мітки: зміни, провідності, матеріалу, динамічної, спосіб, напівпроводникового

Формула / Реферат:

Спосіб зміни динамічної провідності напівпровідникового матеріалу, згідно з яким до напівпровідникового елементу прикладають постійну електричну напругу, здійснюють періодичний тепловий нагрів та фіксують амплітуду, частоту та фазу вихідного сигналу, який відрізняється тим, що після фіксації амплітуди, частоти та фази вихідного сигналу, продовжуючи періодичний тепловий нагрів, діють модульованим оптичним випромінюванням з області спектра...

Номер патенту: 14698

Опубліковано: 20.01.1997

Автори: Матвіішин Ігор Михайлович, Попович Степан Тадейович, Бондар Вячеслав Дмитрович, Лискович Олексій Борисович

МПК: H01L 31/08

Мітки: випромінювання, ультрафіолетового, детектор

Формула / Реферат:

1. Детектор ультрафіолетового випро­мінювання на основі неорганічного фоточутливого матеріалу, який відрізняється тим, що він викона­ний із неорганічного шаристого кристалу на основі CdІ2.2. Детектор по п. 1, який відрізняється тим, що кристал на основі CdІ2 містить домішки Рb або Sn з концентрацією 0,01-1,0 моль. %.