Бухер Бенно

Номер патенту: 62975

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Бухер Бенно, Ланг Томас, Фрей Тоні

МПК: H01L 25/07

Мітки: напівпровідниковий, силовий, модуль

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий модуль, що містить нижню плату, верхню плату і щонайменше один напівпровідниковий кристал, який першим головним електродом сполучений з нижньою платою, а другим головним електродом через підпружинений електричний контактний елемент - з верхньою платою, який відрізняється тим, що передбачено щонайменше один пружинний елемент, який виконано з можливістю розсовувати щонайменше один контактний елемент у положення, що...