Силовий напівпровідниковий модуль
Формула / Реферат
1. Силовий напівпровідниковий модуль, що містить нижню плату, верхню плату і щонайменше один напівпровідниковий кристал, який першим головним електродом сполучений з нижньою платою, а другим головним електродом через підпружинений електричний контактний елемент - з верхньою платою, який відрізняється тим, що передбачено щонайменше один пружинний елемент, який виконано з можливістю розсовувати щонайменше один контактний елемент у положення, що забезпечує електричне з'єднання між другим головним електродом і верхньою платою.
2. Модуль за п. 1, який відрізняється тим, що контактний елемент містить дві контактні поверхні і пружний електричний сполучний елемент, причому перша контактна поверхня електрично сполучена з другим головним електродом, а друга контактна поверхня - з верхньою платою, і що пружинний елемент розташований між двома контактними поверхнями.
3. Модуль за п. 2, який відрізняється тим, що пружний сполучний елемент має одну або декілька виконаних з можливістю деформації скоб.
4. Модуль за п. 1, який відрізняється тим, що пружинний елемент є спіральною пружиною або містить тарілчасті пружини чи циліндричну частину з пружного матеріалу.
5. Модуль за п. 1, який відрізняється тим, що пружинний елемент електрично ізольований від контактного елемента.
6. Модуль за п. 1, який відрізняється тим, що між нижньою платою і верхньою платою передбачений щонайменше один переважно керамічний опорний елемент.
7. Модуль за будь-яким з пп. 1-6, який відрізняється тим, що для попереднього напруження пружинного елемента передбачені засоби, які містять стояк, що має розташовану між пружинним елементом і напівпровідниковим кристалом основу стояка, шийку стояка і головку стояка, поміщену в камеру для головки стояка.
8. Модуль за п. 7, який відрізняється тим, що основа стояка розташована між першою контактною поверхнею і напівпровідниковим кристалом.
9. Модуль за п. 8, який відрізняється тим, що шийка стояка проходить усередині пружинного елемента.
10. Модуль за п. 9, який відрізняється тим, що камера для головки стояка виконана у вигляді заглиблення у верхній платі або у вигляді L-подібного профільного елемента, розташованого між пружинним елементом і верхньою платою.
Додаткова інформація
Назва патенту англійськоюPower semiconductor module
Назва патенту російськоюСиловой полупроводниковый модуль
МПК / Мітки
МПК: H01L 25/07
Мітки: модуль, силовий, напівпровідниковий
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-62975-silovijj-napivprovidnikovijj-modul.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Силовий напівпровідниковий модуль</a>
Силовий напівпровідниковий модуль
Номер патенту: 57774
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Целлєр Ханс-Рудольф, Ланг Томас
МПК: H01L 25/07
Мітки: модуль, напівпровідниковий, силовий
Формула / Реферат:
1. Силовий напівпровідниковий модуль, який містить у корпусі (1) підкладку (2), принаймні дві напівпровідникові мікросхеми (4) з двома основними електродами (5, 6) кожна, по одному контактному поршню (3) для кожної напівпровідникової мікросхеми, причому перші основні електроди (5) знаходяться в електричному контакті з підкладкою (2), а відповідно другі основні електроди (6) знаходяться в електричному контакті з контактним поршнем (3), між...
Силовий напівпровідниковий модуль з множиною підмодулів
Номер патенту: 60298
Опубліковано: 15.10.2003
Автор: Стокмайер Томас
МПК: H01L 25/10
Мітки: силовий, множиною, підмодулів, напівпровідниковий, модуль
Формула / Реферат:
1. Силовий напівпровідниковий модуль (10) з множиною підмодулів (1), що містять відповідно, щонайменше, один напівпровідниковий чип (5а, 5b), причому підмодулі (1) закріплені на загальній опорній платі (11), що відводить тепло, і мають електричний контакт з провідниками (12, 14, 18), що приєднуються ззовні, який відрізняється тим, що щонайменше один напівпровідниковий чип (5а, 5b) підмодуля (1) вміщений в оболонку, яка містить зовнішні...
Силовий напівпровідниковий модуль
Номер патенту: 1679
Опубліковано: 17.03.2003
Автори: Полухін Олексій Степанович, Копаєва Ольга Вікторівна, Тоцький Олександр Федорович, Солодовнік Анатолій Іванович
МПК: H01L 25/00
Мітки: силовий, напівпровідниковий, модуль
Формула / Реферат:
1. Силовий напівпровідниковий модуль, який містить рамковий пластмасовий корпус переважно прямокутної форми з зовнішніми отворами для кріплення і профільним заглибленням по внутрішньому периметру нижнього торця, до опорної площини якого приклеєна і прилягає металізована з двох боків керамічна пластина з периферійною неметалізованою областю по її периметру, на верхньому боці якої змонтовані схемні компоненти, і яка залита всередині корпусу...
Силовий напівпровідниковий елемент та напівпровідниковий пристрій з цим елементом
Номер патенту: 61126
Опубліковано: 17.11.2003
Автори: Едегард Б'єрн, Грюнінг Хорст, Келлер Томас, Клака Свен, Клетт Олександр, Майбах Філіпп, Реес Йохен
МПК: H01L 23/02
Мітки: цим, елементом, напівпровідниковий, пристрій, елемент, силовий
Формула / Реферат:
1.Силовий напівпровідниковий елемент (3), зокрема тиристор, що містить розміщену в корпусі (30) напівпровідникову підкладку (31), анод (33), катод (34), кільцевий вивід (35) керуючого електрода, що виступає за корпус (30), і кільцевий вивід (36) допоміжного катода, що виступає за корпус (30) для забезпечення контакту допоміжного катода, який відрізняється тим, що вивід (36) допоміжного катода і/або вивід (35) керуючого електрода мають на...
Силовий напівпровідниковий прилад з високою термодинамічною стійкістю
Номер патенту: 41770
Опубліковано: 17.09.2001
Автори: Рибак Роман Йосипович, Макашов Валерій Федорович, Павлинів Ярослав Ілліч, Олішевський Олександр Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович
МПК: H01L 29/00
Мітки: високою, стійкістю, напівпровідниковий, силовий, прилад, термодинамічною
Формула / Реферат:
1. Силовий напівпровідниковий прилад з високою термодинамічною стійкістю, що містить корпус, утворений з керамічного кільця і тонких металевих манжет, що з'єднують його з двома струмопровідними електродами, між якими знаходяться випрямний елемент, який складається з напівпровідникової структури та одного або двох термокомпенсаторів, і контактні прокладки, а також центруюче ізоляційне кільце, який відрізнясться тим, що центруюче ізоляційне...
Попередній патент: Спосіб дії на привибійну та віддалену зони пласта
Наступний патент: Композиція інгредієнтів для виготовлення горілки “любимая”
Випадковий патент: Спосіб подрібнення рослинної маси і пристрій для його здійснення