Ланг Томас

Номер патенту: 62975

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Фрей Тоні, Бухер Бенно, Ланг Томас

МПК: H01L 25/07

Мітки: силовий, напівпровідниковий, модуль

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий модуль, що містить нижню плату, верхню плату і щонайменше один напівпровідниковий кристал, який першим головним електродом сполучений з нижньою платою, а другим головним електродом через підпружинений електричний контактний елемент - з верхньою платою, який відрізняється тим, що передбачено щонайменше один пружинний елемент, який виконано з можливістю розсовувати щонайменше один контактний елемент у положення, що...

Номер патенту: 57774

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Ланг Томас, Целлєр Ханс-Рудольф

МПК: H01L 25/07

Мітки: модуль, силовий, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1.  Силовий напівпровідниковий модуль, який містить у корпусі (1) підкладку (2), принаймні дві напівпровідникові мікросхеми (4) з двома основними електродами (5, 6) кожна, по одному контактному поршню (3) для кожної напівпровідникової мікросхеми, причому перші основні електроди (5) знаходяться в електричному контакті з підкладкою (2), а відповідно другі основні електроди (6)  знаходяться в електричному контакті з  контактним поршнем (3), між...