C30B 29/18 — кварц
Спосіб вирощування кристалів корунда
Номер патенту: 19919
Опубліковано: 25.12.1997
Автори: Мірошников Юрій Петрович, Шерафутдінова Людмила Григорівна, Катрич Микола Петрович, Аверин Михайло Іванович, Данько Олександр Яковлевич, Качала Володимир Єфімович, Шлее Володимир Йосифович
МПК: C30B 11/00, C30B 29/18
Мітки: вирощування, спосіб, корунда, кристалів
Формула / Реферат:
Формула изобретенияСПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КОРУНДА, включающий загрузку шихты в тигель, нагрев до плавления, выращивание полезной части кристалла горизонтальным перемещением тигля из зоны нагрева в зону отжига со скоростью 8 – 12 мм/ч и охлаждение, отличающейся тем, что, с целью снижения длительности процесса и увеличения выхода годного продукта, после выращивания полезной части кристалла скорость увеличивают до 1 + 104 – 2 + 104...