Мірошников Юрій Петрович

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів

Завантаження...

Номер патенту: 108015

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Пузіков Андрій Вячеславович, Адонкін Георгій Тимофійович, Мірошников Юрій Петрович, Данько Олександр Якович, Будніков Олександр Тимофійович

МПК: C30B 29/16, C30B 15/14

Мітки: оксидів, спосіб, монокристалів, тугоплавких, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів, що включає горизонтально спрямовану кристалізацію розплаву в захисній атмосфері, яка містить оксид вуглецю, при тиску 10-30 Па, який відрізняється тим, що концентрацію азоту в захисній атмосфері забезпечують не вище 2 об. %, а кристалізацію здійснюють при потужності нагрівача над вільною поверхнею розплаву збільшеною на 20-25 % у порівнянні і нижньою частиною розплаву.

Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію

Завантаження...

Номер патенту: 86876

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Мірошников Юрій Петрович, Адонкін Георгій Тимофійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Данько Олександр Якович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Гринь Леонід Олексійович

МПК: C30B 11/00, C30B 15/00, C30B 13/00 ...

Мітки: спосіб, вирощування, монокристалів, оксиду, алюмінію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію, що включає попереднє відкачування кристалізаційної камери до тиску 10-20 Па і направлену кристалізацію розплаву оксиду алюмінію в захисному газовому середовищі, який відрізняється тим, що перед кристалізацією здійснюють термообробку теплового вузла камери і сировини при 2030-2050 °С протягом 4-5 годин при безперервному відкачуванні, потім напускають аргон до тиску 0,1-0,15 МПа, а в процесі...

Спосіб одержання сировини з глинозему для вирощування монокристалів лейкосапфіру

Завантаження...

Номер патенту: 78462

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Данько Олександр Якович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Мірошников Юрій Петрович, Стрілець Геннадій Васильович, Качала Володимир Юхимович, Адонкін Георгій Тимофійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C01F 7/02, C01F 7/46, C30B 29/20 ...

Мітки: глинозему, спосіб, лейкосапфіру, вирощування, сировини, монокристалів, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сировини з глинозему для вирощування монокристалів лейкосапфіру, який включає сплавку суміші глинозему з 0,4-0,6 мас. % вуглецю у вигляді дрібнодисперсного порошку графіту, одержання продукту плавки в гарнісажі і його наступне дроблення, який відрізняється тим, що роздроблений глиноземний матеріал попередньо перед вирощуванням засипають у тигель з встановленою у ньому затравкою, тигель поміщають у камеру печі з графітовою...

Спосіб вирощування кристалів корунда

Завантаження...

Номер патенту: 19919

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Данько Олександр Яковлевич, Мірошников Юрій Петрович, Шлее Володимир Йосифович, Аверин Михайло Іванович, Катрич Микола Петрович, Качала Володимир Єфімович, Шерафутдінова Людмила Григорівна

МПК: C30B 29/18, C30B 11/00

Мітки: корунда, спосіб, вирощування, кристалів

Формула / Реферат:

Формула изобретенияСПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КОРУНДА, включающий загрузку шихты в тигель, нагрев до плавления, выращивание полезной части кристалла горизонтальным перемещением тигля из зоны нагрева в зону отжига со скоростью 8 – 12 мм/ч и охлаждение, отличающейся тем, что, с целью снижения длительности процесса и увеличения выхода годного продукта, после выращивания полезной части кристалла скорость увеличивают до 1 + 104 – 2 + 104...

Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію

Завантаження...

Номер патенту: 18923

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Качала Володимир Юхимович, Катрич Микола Петрович, Данько Олександр Якович, Калашников Олександр Миколайович, Мірошников Юрій Петрович

МПК: C30B 15/00, C30B 11/00, C30B 13/00 ...

Мітки: оксиду, спосіб, вирощування, алюмінію, монокристалів

Формула / Реферат:

 Способ выращивания монокристаллов оксида алюминия, включающий направленную кристаллизацию расплава в защитной газовой среде, отличающийся тем, что кристаллизацию проводят в защитной атмосфере оксида углерода при давлении от 30 до 60 Па.

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів

Завантаження...

Номер патенту: 16740

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Данько Олександр Якович, Качала Володимир Єфімович, Калашников Олександр Миколайович, Катрич Микола Петрович, Адонкін Георгій Тимофійович, Мірошников Юрій Петрович

МПК: C30B 15/00, C30B 11/00, C30B 13/00 ...

Мітки: вирощування, тугоплавких, монокристалів, спосіб, оксидів

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов туго­плавких оксидов, включающий направленную кристаллизацию расплава в замкнутом объеме кристаллизационной камеры в защитной атмосфе­ре, содержащей аргон и водород при давлении, пре­вышающем атмосферное, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа и увеличения выхода годных монокристаллов, перед кристаллизацией в камере создают давление 20-30 Па и проводят в ней термическую диссоциацию...