Катрич Микола Петрович

Номер патенту: 21982

Опубліковано: 30.04.1998

Автори: Данько Олександр Якович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Адонкін Георгій Тимофійович, Будніков Олександр Тимофійович, Каніщєв Василь Миколайович, Катрич Микола Петрович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/20

Мітки: кристалізацією, тугоплавких, оксидів, направленою, горизонтальною, пластин, спосіб, складних, монокристалічних, вирощування, варіанти

Формула / Реферат:

1. Способ вуращивания монокристаллических пластин сложных тугоплавких оксидов гори-зонтальной направленной кристаллизацией, включающий плавление исходной шихту, затравление й последующее вуращивание прямоугольной части монокристаллической пластину перемещением тигля через градиентное тспловое поле со скоростью 1-2 мм/час, отличающийся тем, что переднюю треугольную часть монокристаллической пластину вуращивают перемещением тигля через...

Номер патенту: 19919

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Шлее Володимир Йосифович, Катрич Микола Петрович, Мірошников Юрій Петрович, Шерафутдінова Людмила Григорівна, Данько Олександр Яковлевич, Качала Володимир Єфімович, Аверин Михайло Іванович

МПК: C30B 29/18, C30B 11/00

Мітки: корунда, кристалів, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Формула изобретенияСПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КОРУНДА, включающий загрузку шихты в тигель, нагрев до плавления, выращивание полезной части кристалла горизонтальным перемещением тигля из зоны нагрева в зону отжига со скоростью 8 – 12 мм/ч и охлаждение, отличающейся тем, что, с целью снижения длительности процесса и увеличения выхода годного продукта, после выращивания полезной части кристалла скорость увеличивают до 1 + 104 – 2 + 104...

Номер патенту: 18923

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Мірошников Юрій Петрович, Адонкін Георгій Тимофійович, Качала Володимир Юхимович, Катрич Микола Петрович, Калашников Олександр Миколайович, Данько Олександр Якович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/00, C30B 15/00 ...

Мітки: монокристалів, вирощування, оксиду, спосіб, алюмінію

Формула / Реферат:

 Способ выращивания монокристаллов оксида алюминия, включающий направленную кристаллизацию расплава в защитной газовой среде, отличающийся тем, что кристаллизацию проводят в защитной атмосфере оксида углерода при давлении от 30 до 60 Па.

Номер патенту: 16740

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Катрич Микола Петрович, Данько Олександр Якович, Качала Володимир Єфімович, Мірошников Юрій Петрович, Адонкін Георгій Тимофійович, Калашников Олександр Миколайович

МПК: C30B 11/00, C30B 13/00, C30B 15/00 ...

Мітки: спосіб, вирощування, монокристалів, оксидів, тугоплавких

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов туго­плавких оксидов, включающий направленную кристаллизацию расплава в замкнутом объеме кристаллизационной камеры в защитной атмосфе­ре, содержащей аргон и водород при давлении, пре­вышающем атмосферное, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа и увеличения выхода годных монокристаллов, перед кристаллизацией в камере создают давление 20-30 Па и проводят в ней термическую диссоциацию...