C30B 31/02 — контактуванням з дифузійним матеріалом у твердому стані

Номер патенту: 100811

Опубліковано: 25.01.2013

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 15/10, C30B 29/20, C30B 17/00 ...

Мітки: розплаву, вертикальною, монокристалів, тигля, сапфіру, напрямленою, a-al2o3, підставка, кристалізацією, вирощування

Формула / Реферат:

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-Аl2O3) напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з глибиною більше або рівною половині його висоти, порожнини...