Патенти з міткою «сапфіру»
Спосіб з’єднання кристалічних деталей, зокрема з сапфіру
Номер патенту: 105885
Опубліковано: 25.06.2014
Автори: Андрєєв Євгеній Петрович, Литвинов Леонід Аркадійович, Андрєєв Олександр Євгенійович, Сафронов Роман Ігоревич
МПК: B23K 28/00, C30B 15/34, B23K 20/00 ...
Мітки: сапфіру, з'єднання, зокрема, кристалічних, спосіб, деталей
Формула / Реферат:
Спосіб з'єднання кристалічних деталей, зокрема з сапфіру, що включає зварювання деталей шляхом кристалізації розплавленої контактної зони, який відрізняється тим, що контактні поверхні кристалічних деталей розташовують з капілярним зазором відносно одна до одної, а як припій використовують розплав кристалічного матеріалу, з якого виконано деталі, при цьому припій подається до зони з'єднання з тигля через капілярну систему.
Полірувальна суспензія та спосіб фінішної прецизійної обробки деталей з сапфіру
Номер патенту: 102940
Опубліковано: 27.08.2013
Автори: Кривоногов Сергій Іванович, Вовк Олена Олександрівна, Будніков Олександр Тимофійович
МПК: B24B 1/00
Мітки: фінішної, полірувальна, суспензія, спосіб, обробки, деталей, прецизійної, сапфіру
Формула / Реферат:
1. Полірувальна суспензія, що у своєму складі містить високодисперсні частинки діоксиду кремнію, водно-лужний розчин, яка відрізняється тим, що суспензія додатково містить водорозчинний полімер, при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: діоксид кремнію SiО2 (аеросил) 2-10 водорозчинний полімер 0,006-0,5 лужний агент 0-0,74 ...
Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-al2o3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву
Номер патенту: 100811
Опубліковано: 25.01.2013
Автор: Пекар Ярослав Михайлович
МПК: C30B 29/20, C30B 17/00, C30B 15/10 ...
Мітки: вирощування, монокристалів, вертикальною, підставка, розплаву, кристалізацією, напрямленою, сапфіру, a-al2o3, тигля
Формула / Реферат:
Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-Аl2O3) напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з глибиною більше або рівною половині його висоти, порожнини...
Спосіб вирощування монокристалів сапфіру ( a-al2o3) напрямленою вертикальною кристалізацією
Номер патенту: 69805
Опубліковано: 10.05.2012
Автор: Пекар Ярослав Михайлович
МПК: C30B 15/06
Мітки: вирощування, монокристалів, сапфіру, спосіб, напрямленою, a-al2o3, вертикальною, кристалізацією
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристала сапфіру (α-Аl2О3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву, що полягає у введенні в контакт з розплавом вихідної сировини, затравкового кристала, кристалографічний напрям осі якого зорієнтований відповідно заданому кристалографічному напрямку, який відрізняється тим, що кристалографічний напрям осі затравкового кристала при введенні в контакт з розплавом вихідної сировини, відхиляють від...
Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-al2o3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву
Номер патенту: 69781
Опубліковано: 10.05.2012
Автор: Пекар Ярослав Михайлович
МПК: C30B 31/00
Мітки: монокристалів, вертикальною, вирощування, розплаву, кристалізацією, тигля, a-al2o3, підставка, напрямленою, сапфіру
Формула / Реферат:
Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену, або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з...
Пристрій та спосіб одержання монокристалів сапфіру, пластина, пластинка та монокристал сапфіру, орієнтований в с-площині
Номер патенту: 96952
Опубліковано: 26.12.2011
Автори: Джонс Крістофер Д., Занелла Стівен А., Лочер Джон В., Татартченко Віталі, Пранаді Фері
МПК: C30B 29/20, C30B 15/34
Мітки: с-площині, одержання, пластинка, монокристалів, сапфіру, пластина, пристрій, орієнтований, монокристал, спосіб
Формула / Реферат:
1. Пристрій для вирощування монокристалів сапфіру, орієнтованих в С-площині, який містить: джерело розплаву,перший нагрівач, сконструйований і розміщений таким чином, щоб нагрівати джерело розплаву,фільєру, суміжну з джерелом розплаву;першу зону, яка забезпечує перший температурний градієнт і яка розміщена суміжно з отвором фільєри, ідругу зону, яка забезпечує другий температурний градієнт і яка розміщена...
Спосіб фінішної прецизійної обробки угнутих з малим радіусом циліндричних поверхонь лінз із скла та сапфіру (a-al2o3)
Номер патенту: 93632
Опубліковано: 25.02.2011
Автори: Рогов Валентин Васильович, Ветров Анатолій Григорович, Троян Олександр Васильович, Рубльов Микола Дмитрович
МПК: B24D 5/00
Мітки: скла, прецизійної, малим, сапфіру, a-al2o3, радіусом, лінз, поверхонь, угнутих, фінішної, обробки, спосіб, циліндричних
Формула / Реферат:
1. Спосіб фінішної прецизійної обробки угнутих циліндричних з малим радіусом поверхні оптичних деталей із скла та сапфіру, який включає операції шліфування та полірування методом вільного притирання із застосуванням алмазних та полірувальних суспензій з використанням зворотно-поступальних прямолінійних рухів оброблювального інструмента-притира, який відрізняється тим, що...
Монокристал сапфіру та спосіб його виготовлення
Номер патенту: 89491
Опубліковано: 10.02.2010
Автори: Бейтс Херберт Еллсворт, Маклін Ральф Лемпсон, мол., Лочер Джон Волтер, Занелла Стівен Ентоні
МПК: C30B 35/00, C30B 15/34, C30B 29/20 ...
Мітки: спосіб, монокристал, сапфіру, виготовлення
Формула / Реферат:
1. Монокристал сапфіру, який відрізняється тим, що являє собою монокристалічну пластину в стані після вирощування, довжина, ширина і товщина якої є між собою в такому співвідношенні: довжина > ширини > товщини, причому ширина є не менше, ніж приблизно 25 см, товщина є не менше, ніж 0,5 см, і варіація товщини не перевищує 0,2 см.2. Монокристал за п. 1, який відрізняється тим, що товщина є не менше, ніж приблизно 0,6 см.3....
Спосіб виготовлення виробів із сапфіру
Номер патенту: 22028
Опубліковано: 10.04.2007
Автори: Локшин Михайло Маркович, Маслов Володимир Петрович, Венгер Євген Федорович, Гаврилов Валерій Олександрович
МПК: C03C 27/06, C03C 27/00
Мітки: виготовлення, сапфіру, спосіб, виробів
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення виробів із сапфіру, що включає їх механічну обробку та закріплення в металевому фланці, який відрізняється тим, що після попереднього шліфування, деталі хімічно обробляють при температурі 900-600°С протягом 3-1 год. в розплаві бури, проводять тонке шліфування та полірування оптичних поверхонь, а після цього деталь закріплюють.
Спосіб фінішної обробки пластин з монокорунду (сапфіру)
Номер патенту: 7397
Опубліковано: 15.06.2005
Автори: Попельнюк Валентин Миколайович, Рубльов Микола Дмитрович, Троян Олександр Васильович, Рогов Валентин Васильович
МПК: B24B 1/00
Мітки: спосіб, пластин, фінішної, монокорунду, сапфіру, обробки
Формула / Реферат:
1. Спосіб фінішної обробки пластин з монокорунду(сапфіру), згідно з яким поверхні пластин шліфують і полірують абразивним інструментом із застосуванням абразивних і полірувальних суспензій, після чого здійснюють хімічне полірування поверхонь деталей, який відрізняється тим, що шліфування і полірування проводять за умови зняття припусків у відповідності з глибиною порушеного шару на попередніх операціях, яку приймають рівною величині розміру...
Спосіб рекуперації монодисперсного сапфіру
Номер патенту: 42356
Опубліковано: 16.08.2004
Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Трапезнікова Людмила Віталієвна
МПК: C30B 31/00, C30B 29/32, C30B 33/10 ...
Мітки: сапфіру, спосіб, монодисперсного, рекуперації
Формула / Реферат:
Спосіб рекуперації монодисперсного сапфіру, який включає хімічну очистку відходів від промислової механічної обробки об'ємних монокристалів сапфіру (a-Al2O3) послідовно азотною та плавиковою кислотами, який відрізняється тим, що вилучений після хімічної очистки монодисперсний сапфір додатково очищують водним розчином перекису водню з концентрацією від 30 до 33 мас.% протягом однієї години при нормальних умовах з наступним висушуванням...