Патенти з міткою «напрямленою»

Номер патенту: 93505

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Гаврилов Валерій Олександрович, Пекар Володимир Ярославович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 15/00

Мітки: a-al2o3, напрямленою, вирощування, спосіб, сапфіра, вертикальною, розплаву, кристалізацією, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів сапфіра (а-Аl2О3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву, що включає введення в контакт із розплавом вихідної сировини затравкового кристала з подальшою кристалізацією всієї маси розплаву, який відрізняється тим, що першопочатково кристалізацію здійснюють з обертанням затравкового кристала із заданою швидкістю відносно його вертикальної осі, причому таким чином кристалізують одну третю маси...

Номер патенту: 100811

Опубліковано: 25.01.2013

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 29/20, C30B 17/00, C30B 15/10 ...

Мітки: вирощування, підставка, розплаву, тигля, вертикальною, напрямленою, a-al2o3, монокристалів, сапфіру, кристалізацією

Формула / Реферат:

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-Аl2O3) напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з глибиною більше або рівною половині його висоти, порожнини...

Номер патенту: 69805

Опубліковано: 10.05.2012

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 15/06

Мітки: кристалізацією, вирощування, спосіб, a-al2o3, вертикальною, напрямленою, сапфіру, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристала сапфіру (α-Аl2О3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву, що полягає у введенні в контакт з розплавом вихідної сировини, затравкового кристала, кристалографічний напрям осі якого зорієнтований відповідно заданому кристалографічному напрямку, який відрізняється тим, що кристалографічний напрям осі затравкового кристала при введенні в контакт з розплавом вихідної сировини, відхиляють від...

Номер патенту: 69781

Опубліковано: 10.05.2012

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 31/00

Мітки: сапфіру, тигля, напрямленою, монокристалів, a-al2o3, вирощування, вертикальною, кристалізацією, розплаву, підставка

Формула / Реферат:

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру  напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену, або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з...

Номер патенту: 87738

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 21/00, C30B 17/00, C30B 29/20 ...

Мітки: кристалізацією, вирощування, a-al2o3, монокристалів, спосіб, заданої, форми, сапфіра, розплаву, напрямленою

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сапфіра a-Аl2О3 заданої форми, який включає розміщення в порожнині тигля формоутворювача, заповнення порожнини тигля вихідною сировиною, плавлення та напрямлену кристалізацію на відповідно орієнтований затравочний кристал, який відрізняється тим, що формоутворювач розміщують в порожнині тигля, поперечний переріз якого має форму квадрата, таким чином, що відстань між формоутворювачем та стінками тигля по всій...