Патенти з міткою «a-al2o3»
Спосіб вирощування монокристалів сапфіра (a-al2o3) вертикальною напрямленою кристалізацією розплаву
Номер патенту: 93505
Опубліковано: 10.10.2014
Автори: Пекар Володимир Ярославович, Пекар Ярослав Михайлович, Гаврилов Валерій Олександрович
МПК: C30B 15/00
Мітки: спосіб, вирощування, a-al2o3, вертикальною, сапфіра, кристалізацією, монокристалів, напрямленою, розплаву
Формула / Реферат:
1. Спосіб вирощування монокристалів сапфіра (а-Аl2О3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву, що включає введення в контакт із розплавом вихідної сировини затравкового кристала з подальшою кристалізацією всієї маси розплаву, який відрізняється тим, що першопочатково кристалізацію здійснюють з обертанням затравкового кристала із заданою швидкістю відносно його вертикальної осі, причому таким чином кристалізують одну третю маси...
Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-al2o3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву
Номер патенту: 100811
Опубліковано: 25.01.2013
Автор: Пекар Ярослав Михайлович
МПК: C30B 29/20, C30B 17/00, C30B 15/10 ...
Мітки: вертикальною, напрямленою, тигля, a-al2o3, розплаву, сапфіру, монокристалів, кристалізацією, вирощування, підставка
Формула / Реферат:
Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-Аl2O3) напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з глибиною більше або рівною половині його висоти, порожнини...
Спосіб вирощування монокристалів сапфіру ( a-al2o3) напрямленою вертикальною кристалізацією
Номер патенту: 69805
Опубліковано: 10.05.2012
Автор: Пекар Ярослав Михайлович
МПК: C30B 15/06
Мітки: сапфіру, a-al2o3, вертикальною, монокристалів, спосіб, напрямленою, кристалізацією, вирощування
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристала сапфіру (α-Аl2О3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву, що полягає у введенні в контакт з розплавом вихідної сировини, затравкового кристала, кристалографічний напрям осі якого зорієнтований відповідно заданому кристалографічному напрямку, який відрізняється тим, що кристалографічний напрям осі затравкового кристала при введенні в контакт з розплавом вихідної сировини, відхиляють від...
Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-al2o3) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву
Номер патенту: 69781
Опубліковано: 10.05.2012
Автор: Пекар Ярослав Михайлович
МПК: C30B 31/00
Мітки: кристалізацією, тигля, підставка, розплаву, a-al2o3, напрямленою, сапфіру, монокристалів, вирощування, вертикальною
Формула / Реферат:
Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену, або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з...
Спосіб фінішної прецизійної обробки угнутих з малим радіусом циліндричних поверхонь лінз із скла та сапфіру (a-al2o3)
Номер патенту: 93632
Опубліковано: 25.02.2011
Автори: Рубльов Микола Дмитрович, Троян Олександр Васильович, Рогов Валентин Васильович, Ветров Анатолій Григорович
МПК: B24D 5/00
Мітки: циліндричних, сапфіру, лінз, фінішної, радіусом, спосіб, малим, угнутих, a-al2o3, прецизійної, поверхонь, скла, обробки
Формула / Реферат:
1. Спосіб фінішної прецизійної обробки угнутих циліндричних з малим радіусом поверхні оптичних деталей із скла та сапфіру, який включає операції шліфування та полірування методом вільного притирання із застосуванням алмазних та полірувальних суспензій з використанням зворотно-поступальних прямолінійних рухів оброблювального інструмента-притира, який відрізняється тим, що...
Спосіб вирощування монокристалів сапфіра a-al2o3 заданої форми напрямленою кристалізацією розплаву
Номер патенту: 87738
Опубліковано: 10.08.2009
Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович
МПК: C30B 29/20, C30B 21/00, C30B 17/00 ...
Мітки: вирощування, форми, сапфіра, напрямленою, кристалізацією, спосіб, заданої, монокристалів, розплаву, a-al2o3
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів сапфіра a-Аl2О3 заданої форми, який включає розміщення в порожнині тигля формоутворювача, заповнення порожнини тигля вихідною сировиною, плавлення та напрямлену кристалізацію на відповідно орієнтований затравочний кристал, який відрізняється тим, що формоутворювач розміщують в порожнині тигля, поперечний переріз якого має форму квадрата, таким чином, що відстань між формоутворювачем та стінками тигля по всій...
Спосіб визначення кристалографічних площин об`ємного монокристала сапфіра (a-al2o3)
Номер патенту: 30049
Опубліковано: 11.02.2008
Автори: Соломон Андрій Михайлович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович
МПК: C30B 29/20
Мітки: площин, визначення, монокристала, спосіб, кристалографічних, сапфіра, об`ємного, a-al2o3
Спосіб виготовлення підкладок із монокристалів сапфіра (a-al2o3)
Номер патенту: 29747
Опубліковано: 25.01.2008
Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович
МПК: C30B 33/00, C01F 7/00
Мітки: сапфіра, a-al2o3, підкладок, монокристалів, спосіб, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення підкладок із монокристалів сапфіра (α-Аl2О3), який включає визначення кристалографічних площин монокристала, виготовлення з нього циліндричних заготовок, основа яких є площиною епітаксії, виготовлення базової площини шляхом плоского шліфування, розділення циліндричних заготовок на пластини та подальше доведення їх до заданих товщини, діаметра і чистоти поверхні механічним шліфуванням та поліруванням, який...
Спосіб вирощування монокристалів сапфіра (a-al2o3) заданої форми направленою кристалізацією розплаву
Номер патенту: 29879
Опубліковано: 25.01.2008
Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович
МПК: C30B 7/00, C30B 21/00
Мітки: вирощування, заданої, розплаву, форми, спосіб, направленою, a-al2o3, сапфіра, монокристалів, кристалізацією
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів сапфіра α-Al2O3 заданої форми направленою кристалізацією розплаву, який включає розміщення в порожнині тигля формоутворювача, заповнення порожнини тигля вихідною сировиною, плавлення та направлену кристалізацію на відповідно орієнтований затравочний кристал, який відрізняється тим, що формоутворювач розміщують в порожнині тигля, поперечний переріз якого має форму квадрата, таким чином, що відстань між...
Спосіб підготовки вихідної сировини для вирощування монокристалів лейкосапфіру (a-al2o3)
Номер патенту: 61230
Опубліковано: 15.09.2005
Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович, Блецкан Олександр Дмитрович
МПК: C30B 28/00, C30B 29/20
Мітки: монокристалів, вихідної, підготовки, a-al2o3, спосіб, лейкосапфіру, сировини, вирощування
Формула / Реферат:
1. Безалкогольний соковий напій, що містить рідкий соковий компонент, компонент для надання солодкого смаку і підготовлену воду, який відрізняється тим, що як компонент для надання солодкого смаку напій містить цукор і підсолоджувач, а як рідкий соковий компонент-концентрований сік при такому співвідношенні інгредієнтів на 100 дал готового продукту: сокова основа, кг 35,0-45,0 цукор, кг ...
Спосіб виготовлення підкладок із монокристалічного корунду (a-al2o3)
Номер патенту: 68069
Опубліковано: 15.07.2004
Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Олександр Дмитрович, Блецкан Дмитро Іванович
МПК: G03C 7/04, C30B 33/00, C01F 7/02 ...
Мітки: a-al2o3, спосіб, монокристалічного, підкладок, корунду, виготовлення
Формула / Реферат:
The invention relates to a method for collecting and evacuating run-off water from the inner arc of the strand guide (8) of a beam blank casting machine, according to which the cast strand (2) is solidified and the required dissipation of heat is achieved, among other things, by sprayed water, whereby run-off water can also collect on the inner arc of-the strand (2). The run-off water is collected using a suction head (1). The run-off water...
Кристалізаційний вузол для вирощування монокристалів корунду a-al2o3 заданої форми
Номер патенту: 67356
Опубліковано: 15.06.2004
Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович
МПК: C30B 17/00, C30B 29/20
Мітки: форми, a-al2o3, вузол, корунду, кристалізаційний, заданої, монокристалів, вирощування
Формула / Реферат:
Кристалізаційний вузол для вирощування монокристалів корунду α - Al2O3 заданої форми, який включає вакуумну камеру, нагрівник, тигель із розташованим в його порожнині формоутворювачем, систему вертикально та горизонтально розташованих екранів, один з яких знаходиться безпосередньо на тиглі, який відрізняється тим, що горизонтальний екран, який знаходиться на тиглі, містить п'ять теплових вікон, при цьому середнє з яких має форму...
Спосіб виготовлення підкладок із монокристалічного корунда (a-al2o3 )
Номер патенту: 44675
Опубліковано: 15.02.2002
Автори: Машков Андрій Іванович, Блецкан Олександр Дмитрович, Блецкан Дмитро Іванович, Краус Володимир Антонович, Пекар Ярослав Михайлович
Мітки: монокристалічного, спосіб, корунда, підкладок, виготовлення, a-al2o3
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення підкладок із монокристалічного корунду (), що включає розкрій монокристалічного злитка, калібрування циліндричної поверхні, підготовки торцевих поверхонь заданої кристалографічної орієнтації, шліфування базового зрізу та розділення злитка, на пластини, який відрізняється тим, що з монокристалічного злитка, вирізають пряму призму, основа якої є площиною...