Фоменко Вячеслав Леонтійович

Номер патенту: 109038

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Григорчак Іван Іванович, Середюк Богдан Олександрович, Бахматюк Богдан Петрович, Фоменко Вячеслав Леонтійович, Товстюк Наталія Корніївна

МПК: H01G 4/06, H01G 4/00

Мітки: анода, наноконденсатора, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення анода для наноконденсатора, за яким анод обробляють і оксидують, який відрізняється тим, що анод інтеркалюють в електроліті 25 % КОН при накладанні електричної поляризації напругою ~ 100±0,05 В, густиною струму ~ 0,5±0,005 А/дм2, тривалістю - 0,5-0,75 години, промивають у дистильованій воді від лугу і висушують, після чого формують діелектричну плівку на аноді, який інтеркалюють тетрабутоксититаном з наступним його...

Номер патенту: 53527

Опубліковано: 15.01.2003

Автори: Матвіїв Мирон Васильович, Бужук Ярослава Михайлівна, Середюк Богдан Олександрович, Фоменко Вячеслав Леонтійович, Григорчак Іван Іванович, Товстюк Наталія Корніївна

МПК: H01M 4/00

Мітки: високовольтний, спосіб, акумулятор, нікель-літій-оксидного, основі, матеріалу, отримання

Формула / Реферат:

1. Високовольтний акумулятор на основі нікель-літій-оксидного матеріалу, що містить літієвий анод, катод на основі LiNiO2 і розміщений між ними сепаратор з розчином солі літію в апротонному розчиннику, який відрізняється тим, що як катодно-активний матеріал використаний нікель-літієвий оксид з дефектною нікелевою підграткою формули LiNi1-δO2 у вигляді субмікронних частинок порожнистої незамкнутої сфероїдальної форми, а як електроліт...

Номер патенту: 22462

Опубліковано: 03.03.1998

Автори: Фоменко Вячеслав Леонтійович, Грищишин Юрій Володимирович, Савчин Володимир Павлович, Стахіра Йосип Михайлович

МПК: G02F 1/01, H01J 29/00

Мітки: реєструючої, ванадію, діоксиду, основі, виготовлення, спосіб, мішені

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення реєструючої мішені на основі діоксиду ванадію, що включає нанесення ванадію, його термоокислення та утворення захисної плівки, який відрізняється тим, що захисну плівку формують шляхом нанесення АІ та його окислення при температурі 150-300°С.2.· Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що захисну плівку АІ2Оз формують у вакуумі.