H01G 4/06 — тверді діелектрики

Номер патенту: 109832

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Бахтінов Анатолій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Кудринський Захар Русланович, Нетяга Віктор Васильович

МПК: H01G 9/15, H01G 4/06

Мітки: виготовлення, спосіб, конденсатора, наноіонного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення наноіонного конденсатора, що включає в себе впровадження в ван-дер-ваальсівський простір між шарами напівпровідникового матеріалу з шаруватою кристалічною структурою рідкої розплавленої іонної солі і наступного охолодження нанокомпозитного матеріалу, що складається з шаруватого кристалу і іонної солі, який відрізняється тим, що як шаруватий напівпровідниковий матеріал використовують високоомний селенід індію з електронним...

Номер патенту: 109038

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Товстюк Наталія Корніївна, Григорчак Іван Іванович, Середюк Богдан Олександрович, Бахматюк Богдан Петрович, Фоменко Вячеслав Леонтійович

МПК: H01G 4/00, H01G 4/06

Мітки: наноконденсатора, спосіб, виготовлення, анода

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення анода для наноконденсатора, за яким анод обробляють і оксидують, який відрізняється тим, що анод інтеркалюють в електроліті 25 % КОН при накладанні електричної поляризації напругою ~ 100±0,05 В, густиною струму ~ 0,5±0,005 А/дм2, тривалістю - 0,5-0,75 години, промивають у дистильованій воді від лугу і висушують, після чого формують діелектричну плівку на аноді, який інтеркалюють тетрабутоксититаном з наступним його...

Номер патенту: 99262

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Камінський Василь Михайлович, Кушнір Богдан Валерійович, Товарницький Мірча Васильович, Кудринський Захар Русланович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01G 4/06

Мітки: фазі, спосіб, отримання, in2ses4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фази шарів In2SeS4 кубічної структури на підкладках шаруватих кристалів InSe, що включає їх відпал в парах сірки, який відрізняється тим, що як підкладки використовуються шаруваті кристали моноселеніду індію.

Номер патенту: 76617

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Кудринський Захар Русланович

МПК: H01G 4/06

Мітки: гексагональної, кристалів, шаруватих, спосіб, плівок, gаsе, виготовлення, кадмію, підкладинках, селеніду, структури, монокристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів GaSe, що включає їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що як підкладинки використовуються шаруваті кристали моноселеніду галію.

Номер патенту: 97301

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Нетяга Віктор Васильович, Коноплянко Денис Юрійович, Бахтінов Анатолій Петрович

МПК: H01G 4/06

Мітки: інтеркаляційний, конденсатор, накопичувальний

Формула / Реферат:

Інтеркаляційний накопичувальний конденсатор, який складається з шарів монокристала селеніду галію із включеннями інтеркалянту, які знаходяться у Ван-дер-ваальсових щілинах цього кристала, який відрізняється тим, що як інтеркалянт використаний сегнетоелектричний матеріал KNO3, який впроваджений в міжшарові щілини селеніду галію в розплавленому стані.

Номер патенту: 97269

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Коноплянко Денис Юрійович

МПК: H01G 4/06

Мітки: виготовлення, спосіб, інтеркаляційного, фільтрового, конденсатора

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення інтеркаляційного фільтрового конденсатора, що включає інтеркалювання шаруватого напівпровідника селеніду галію (GaSe) сегнетоелектричним матеріалом, який відрізняється тим, що інтеркалювання шаруватого напівпровідника GaSe проводять шляхом впровадження в двовимірні (2D) міжшарові Ван-дер-Ваальсівські щілини тривимірних (3D) нанорозмірних включень з розплаву сегнетоелектричного матеріалу KNO3 при температурі від 329 до 339...

Номер патенту: 97268

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Бахтінов Анатолій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Нетяга Віктор Васильович, Коноплянко Денис Юрійович

МПК: H01G 4/06

Мітки: фільтровий, конденсатор, інтеркаляційний

Формула / Реферат:

Інтеркаляційний фільтровий конденсатор, що містить шаруватий монокристал селенід галію та включення інтеркалянту в міжшарових Ван-дер-Ваальсівських щілинах монокристала селеніду галію, який відрізняється тим, що як інтеркалянт використаний сегнетоелектричний матеріал KNO3 в формі тривимірних (3D) нанорозмірних включень.