G02F 1/00 — Пристрої або пристосування для керування інтенсивністю, кольором, фазою, поляризацією або напрямком світла, що виходить від незалежного джерела, наприклад для переключення, стробирования або модуляції; нелінійна оптика

Сторінка 2

Модулятор інфрачервоного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 46427

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Золотопуп Анатолій Іванович, Одарич Олег Миколайович, Яворський Ігор Олександрович

МПК: G02F 1/00

Мітки: інфрачервоного, випромінювання, модулятор

Формула / Реферат:

Модулятор інфрачервоного випромінювання, що складається з розділених робочим проміжком нерухомої та рухомої напівпровідникових оптичних призм, який відрізняється тим, що нерухома призма виконана із кремнію у вигляді гратки із V-подібних канавок і має одну контактну площадку, а рухома призма виконана із кремнію у вигляді гратки із ізольованих між собою окислом V-подібних струн, які мають окремі контактні площадки, причому кут при основі у...

Спосіб запису інформації на матричний холестеричний рідкокристалічний дисплей

Завантаження...

Номер патенту: 40701

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Рибалочка Андрій Володимирович, Сорокін Віктор Михайлович, Назаренко Василь Генадійович

МПК: G02F 1/00, G02F 1/13, G02F 1/01 ...

Мітки: інформації, холестеричний, рідкокристалічній, спосіб, матричний, запису, дисплей

Формула / Реферат:

Спосіб запису інформації на матричний холестеричний рідкокристалічний дисплей, який полягає у тому, що на рядки та стовпці дисплея подають послідовності імпульсів напруги, які складаються з однополярних імпульсів напруги тривалістю t і амплітуди U чи нуль, при яких середнє значення напруги на кожному елементі зображення за період запису дорівнює нулю, а сам період запису складається з трьох стадій, де протягом першої стадії на всі рядки та...

Спосіб збудження поверхневих електромагнітних хвиль

Завантаження...

Номер патенту: 40116

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Завадський Сергій Миколайович, Буршта Ігор Іосифович, Венгер Євгеній Федорович

МПК: G02F 1/00, G05D 25/00

Мітки: збудження, поверхневих, електромагнітних, хвиль, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб збудження поверхневих електромагнітних хвиль, що включає встановлення зазору між поверхнею досліджуваного зразка і елементом порушеного повного внутрішнього відбивання, опромінення цієї поверхні електромагнітним випромінюванням через елемент порушеного повного внутрішнього відбивання і сканування частоти збуджуючого випромінювання або кута падіння випромінювання в елементі порушеного повного внутрішнього відбивання, який відрізняється...

Прилад для модуляції електромагнітного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 35943

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Мамалуй Денис Олександрович, Чупис Ірина Євгеніївна

МПК: G02F 1/00

Мітки: прилад, модуляції, електромагнітного, випромінювання

Формула / Реферат:

Прилад для модуляції електромагнітного випромінювання, який містить модулятор, розташований в електричному полі, та призму порушеного повного внутрішнього відбиття розташовану на певній відстані від модулятора, який відрізняється тим, що модулятор виконано у вигляді двошарової системи діелектрик- ідеальний метал або надпровідник, призма порушеного повного внутрішнього відбиття розташована з боку метала або надпровідника, а електричне поле...

Датчик магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 36598

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Грошенко Микола Олександрович, Вілесов Юрій Федотович

МПК: G01R 33/00, G02F 1/00

Мітки: датчик, поля, магнітного

Текст:

...між вели чиною фотосигналу і напруженістью магнітного поля визначають напруженість поля, що досліджується. Фотоприймач (7) реєструє: не все продифрагировавше світло, а лише випромінювання вищих порядків дифракції на MOM. Відношення корисного оптичного сигналу до всього сві тового потоку (динамічний діапазон) зростає, що підвищує точність виміру напруженості магнітного поля. Крім того, зняття вимоги на співвідношення між апертурою...

Волоконнооптичний сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 34182

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Готра Зенон Юрійович, Готра Олександра Зенонівна, Заяць Роман Володимирович, Микитюк Зеновій Матвійович

МПК: G02F 1/00

Мітки: сенсор, волоконнооптичний

Текст:

...№ 1, 2001 р. (72) Готра Зенон Юрійович, Готра Олександра Зенонівна, Заяць Роман Володимирович, Микитюк Зеновій Матвійович 34182 Волоконнооптичний сенсор завдяки своїм малим габаритним розмірам дає можливість замінити громіздкі прилади аналогічного призначення. _____________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42,...

Пристрій для перетворення зображення

Завантаження...

Номер патенту: 21114

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Томчук Микола Антонович, Гаркушевський Володимир Савович, Слободяник Анатолій Дмитрович, Васильківський Ігор Володимирович, Петрук Василь Григорович

МПК: G02F 1/00, H01S 3/10

Мітки: пристрій, зображення, перетворення

Формула / Реферат:

Пристрій для перетворений зображення, складає блок зсуву зображення, який відрізняється тим, що в нього введено два оптичних двопозиційних перемикачі світлового потоку, кожен з яких виконаний у вигляді фазово-трансформаційного Інтерференційного реверсивного відбивача світла, що являє собою "сендвіч" - структуру, яка складається із рамки з закріпленим на ній матеріалом і плоского нагрівача із схемою термостабілізації, шару оксидів...

Спосіб виготовлення дифракційних елементів та елементів пристроїв інтегральної оптики

Завантаження...

Номер патенту: 17250

Опубліковано: 01.04.1997

Автори: Сизов Федір Федорович, Камуз Олександр Михайлович, Олексенко Павло Феофанович, Овсянніков Евген Юрійович

МПК: G02B 6/00, G02F 1/00

Мітки: пристроїв, елементів, спосіб, інтегральної, виготовлення, оптики, дифракційних

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления дифракционных элементов и элементов устройств интегральной оптики, таких как дифракционные решетки активные элементы канального волновода и направленного ответвителя, включающий воздействие активирующего излучения на исходный образец через фотошаблон, и отличающийся тем, что в качестве исходного образца используются монокристаллы полупроводникового соединения III - V, причем монокристалл помещают в высокополярную...