H01C 8/00 — Нерегульовані резистори, що містять вільний, тобто незакріплений, порошкоподібний або зернистий проводить або напівпровідниковий матеріал
Спосіб отримання n-moн-транзисторів з від`ємною пороговою напругою
Номер патенту: 27540
Опубліковано: 12.11.2007
Автори: Новосядлий Степан Петрович, Бережанський Володимир Михайлович
МПК: H01C 8/00
Мітки: отримання, напругою, спосіб, n-moн-транзисторів, пороговою, від`ємною
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання n-MOH-транзисторів з від'ємною пороговою напругою, що включає всі операції формування кремнієвих субмікронних структур, який відрізняється тим, що з метою забезпечення його температурної стабільності, а також недопущення значного росту радіаційних дефектів, проводиться багатозарядна імплантація кремнію іонами фтору F--.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що енергія і доза двозарядних іонів F-- складає...