Новосядлий Степан Петрович

Номер патенту: 114668

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Святослав Володимирович, Котик Михайло Васильович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/31, H01L 21/3065 ...

Мітки: формування, ізоляції, спосіб, структур, плазмового, схем, міжшарової, інтегральних, великих

Формула / Реферат:

Спосіб плазмового формування міжшарової ізоляції субмікронних структур ВІС, що містить мікроцикли технологічних операцій транзисторних структур до формування контактних вікон, який відрізняється тим, що міжшарову ізоляцію формують НВЧ-плазмовим низькотемпературним осадженням борофосфоросилікатного скла в реакторі електронно-циклотронного резонансу розкладом дисилану, легованого бором, фосфором із вмістом В2О3 і Р2О5 в склі 11±2%, 2,5±0,5% ат...

Номер патенту: 113891

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Бойко Сергій Іванович, Варварук Василь Миколайович, Мельник Любомир Васильович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/76

Мітки: ізоляції, великих, кремнієм, субмікронних, інтегральних, схем, спосіб, елементів, локальної, прооксидованим, пористим, структурах

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування локальної ізоляції пористим прооксидованим кремнієм у субмікронних структурах великих інтегральних схем (ВІС), який полягає в хімічній обробці Si-підкладки n-типу, формуванні на ній епітаксійної структури n-р+-р типу з р+-шаром, формуванні маски високочастотним магнетронним розпиленням Si-мішені в азотно-аргонній плазмі нітриду кремнію, літографії, формуванні анізотропним плазмохімічним травленням колодязів, який...

Номер патенту: 110188

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Варварук Василь Миколайович, Мельник Любомир Васильович

МПК: H01L 21/20, H01L 29/862

Мітки: малим, відновлення, спосіб, формування, нвч-діодів, часом, переключення, точкових

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування точкових НВЧ-діодів, що полягає у виготовленні кристала, тримачів кристала, контактної пружини і корпусних деталей, який відрізняється тим, що кристал виготовляють за гетероепітаксійною плазмовою технологією формування ізотипних n-n+переходів із германію чи арсеніду галію на монокремнієвих підкладках n+типу, а контактну пружину формують із вольфрамово-молібденового дроту і, після приварювання до нікелевого тримача...

Номер патенту: 108820

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Новосядлий Святослав Володимирович, Новосядлий Степан Петрович, Мельник Любомир Васильович, Бережанський Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/22

Мітки: планарного, іонно-плазмового, джерела, нітриду, дифузійного, формування, спосіб, бору

Формула / Реферат:

1. Спосіб іонно-плазмового формування планарного дифузійного джерела із нітриду бору, який включає попередню хімічну обробку кремнієвих пластин великого діаметра, тобто більше 150 мм, у перекисно-аміачній суміші і промивку в деіонізованій воді, який відрізняється тим, що формування джерела здійснюють із нітридних плівок бору кубічної фази низькотемпературним процесом осадження із направлених іонно-плазмових потоків частинок, причому...

Номер патенту: 87386

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович, Мельник Любомир Васильович, Варварук Василь Миколайович

МПК: B81C 1/00

Мітки: травлення, спосіб, плазмохімічного, полікремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб плазмохімічного травлення полікремнію, що включає технологічні операції формування фотокопії: хімічну обробку підкладок в парах гексаметилдисалазану, нанесення плівок фоторезисту, його сушку і експонування, проявлення експонованих областей, задублення плівки резисту плазмохімічного травлення, який відрізняється тим, що процес травлення проводиться в суміші газів, в склад якої входить: травильний газ SF6, галогеновмістимий газ, який...

Номер патенту: 77223

Опубліковано: 11.02.2013

Автори: Мельник Любомир Васильович, Варварук Василь Миколайович, Кіндрат Тарас Петрович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: інтегральних, арсенідгалієвих, великих, субмікронних, формування, схем, структур, нвч, гетероепітаксійних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних НВЧ - великих інтегральних схем, який включає підготовку кремнієвих підкладок КЕФ 0,1 (111) з розорієнтацією поверхні 3-4°, їх хімічної обробки в травнику Каро для очистки поверхні, який відрізняється тим, що процес осадження n-шарів GaAs реалізують низькотемпературною плазмовою епітаксією (Т<400 °C) в реакторі надвисоких частот (2,45 ГГц)...

Номер патенту: 72058

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Атаманюк Роман Богданович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/00

Мітки: к-мон-структурах, субмікронних, великих, схем, контактів, спосіб, формування, низькоомних, інтегральних

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних К-МОН-структурах великих інтегральних схем, який включає операції хімічної обробки кремнієвих підкладок, оксидування, формування імплантацією самосуміщених стік-витокових областей, підзатворного діелектрика, міжшарової ізоляції, проекційної літографії та анізотропного плазмохімічного травлення функціональних шарів, який відрізняється тим, що після розкриття контактних вікон і їх...

Номер патенту: 68204

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Атаманюк Роман Богданович, Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/00

Мітки: структур, спосіб, субмікронних, великих, схем, теплостійкої, інтегральних, металізації, багатошарової, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування теплостійкої багатошарової металізації верхнього рівня розводки структур великих інтегральних схем, який включає в себе формування структур з контактними профільованими вікнами в міжшаровій металізації за допомогою фотолітографічного процесу і плазмохімічного травлення, якісної хімічної обробки структур в перекисно-аміачній суміші, магнетронного розпилення мішені силіциду чи поліциду, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 68203

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Кіндрат Тарас Петрович, Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/20

Мітки: шарів, спосіб, монокристалічних, арсенід-галієвих, формування, підкладках, епітаксійних, кремнієвих

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках, який полягає в тому, що епітаксійні шари наносять на наперед підготовлених монокремнієвих підкладках, розорієнтованих на кут <4°, який відрізняється тим, що нанесення вихідних епішарів арсеніду галію здійснюється шляхом використання надвисокочастотного збудження плазми з розподіленим електронно-циклотронним резонансом на основі...

Номер патенту: 64898

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Вівчарук Володимир Михайлович, Сорохтей Тарас Романович, Атаманюк Роман Богданович, Кіндрат Тарас Петрович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: субмікронних, планаризації, металевої, структур, великих, розводки, спосіб, інтегральних, вісь, схем

Формула / Реферат:

1. Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем, що включає розкриття контактних вікон в міжшаровій ізоляції, хімічну обробку контактів в перекисно-аміачній суміші або суміші Каро, формування металевої розводки верхнього рівня магнетронним розпиленням мішені із алюмінієвого сплаву алюміній-кремній-гольмій (АКГо-1-1), виконання фотокопії по металу і полііміду, який відрізняється тим, що після...

Номер патенту: 51487

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01M 8/00

Мітки: виготовлення, високоефективних, спосіб, сонячних, монокремнії, елементів

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування високоефективних структур сонячних елементів на монокремнії, який включає в себе процеси хімічної обробки кремнієвих структур, оксидування, літографії, металізації контактів, який відрізняється тим, що формування структур сонячних елементів проводять на кремнієвих низькотемпературних епітаксійних структурах типу р-p+ на основі контактів метал-напівпровідник з проміжним тунельним оксидним шаром, товщиною 2-3 нм і...

Номер патенту: 36456

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Бережанський Володимир Михайлович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H05K 13/00

Мітки: структур, к-мон, напруг, радіаційною, юстування, спосіб, вісь, технологією, порогових

Формула / Реферат:

1. Спосіб юстування порогових напруг структур К-МОН ВІС радіаційною технологією, що включає в себе всі операції формування субмікронних структур, який відрізняється тим, що юстування порогових напруг проводиться за допомогою радіаційної технології в два етапи: попереднє - після формування підзатворного діелектрика багатозарядною імплантацією домішки в приповерхневі затворні області і концентрацією 1014-1015 см-3 на глибину...

Номер патенту: 27540

Опубліковано: 12.11.2007

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Бережанський Володимир Михайлович

МПК: H01C 8/00

Мітки: напругою, пороговою, спосіб, від`ємною, n-moн-транзисторів, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання n-MOH-транзисторів з від'ємною пороговою напругою, що включає всі операції формування кремнієвих субмікронних структур, який відрізняється тим, що з метою забезпечення його температурної стабільності, а також недопущення значного росту радіаційних дефектів, проводиться багатозарядна імплантація кремнію іонами фтору F--.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що енергія і доза двозарядних іонів F-- складає...

Номер патенту: 67942

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Бережанський Володимир Михайлович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: C30B 11/02

Мітки: просвітлювальних, масок, виготовлення, фотошаблонів, транспарентних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення просвітлювальних (транспарентних) масок для фотошаблонів, який включає хімічну обробку оптичних скляних заготовок, термічний розклад залізовмісної сполуки, наприклад пентакарбонілу заліза, фотолітографію по просвітлювальній плівці, який відрізняється тим, що процес формування плівки Fе2О3 проводять шляхом низькотемпературного осадження в реакторі зниженого тиску шляхом створення самопоширюваного фронту зони ланцюгової...

Номер патенту: 67968

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Бережанський Володимир Михайлович, Скробач Ірина Ярославівна, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/306

Мітки: полікремнію, спосіб, плазмохімічного, травлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб плазмохімічного травлення полікремнію, що включає технологічні операції формування фотокопії: хімічну обробку підкладок в парах гексаметилдисалазану, нанесення плівки фоторезисту, його сушіння і експонування, проявлення заекспонованих областей, дублення плівки резисту, плазмохімічного травлення, який відрізняється тим, що процес травлення проводиться в суміші газів, до складу якої входять: травильний газ SF6, галогеновмісний газ,...

Номер патенту: 12278

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Безрук Борис Васильович, Благий Богдан Степанович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 23/28

Мітки: схем, великих, пластмасовий, інтегральних, корпус

Формула / Реферат:

1. Пластмассовый корпус для больших интег­ральных схем, содержащий выводную рамку, скле­енную тыльной стороной с ободком, выполненным из железоникелевого сплава с зоной монтажа кри­сталла, отличающийся тем, что, с целью повыше­ния технологичности и надежности, ободок выполнен с теплокомпенсирующими угловыми прорезями, расположенными по периметру зоны монтажа кристалла, в форме шестиугольника, большая ось которого ориентирована вдоль...

Номер патенту: 11382

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Матюшин Євген Васильович, Новосядлий Степан Петрович, Малайдах Володимир Якович, Скріпов Федір Олександрович

МПК: H01L 21/70

Мітки: біполярних, спосіб, схем, виготовлення, інтегральних, структур

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур биполярных интегральных схем, включающий окисление под­ложки из р-кремния, формирование маски из ок­сида кремния с окнами для скрытых областей, формирование в подложке скрытых n+-областей, осаждение эпитаксиального n-слоя кремния, фор­мирование маски из оксида кремния с окнами для разделительных областей, формирование раздели­тельных областей, формирование маски из оксида кремния с окнами для базовой диффузии,...

Номер патенту: 11381

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Маскович Степан Михайлович, Новосядлий Степан Петрович, Шпакович Роман Степанович, Насипайко Олександр Васильович

МПК: C30B 25/02, C30B 35/00

Мітки: спосіб, шару, захисного, кварцеві, лодочи, нанесення

Формула / Реферат:

Способ нанесения защитного слоя на кварце­вые лодочки осаждением из газовой фазы, содер­жащей соединение кремния, отличающийся тем, что, с целью уменьшения дефектности структур, обрабатываемых в лодочках при формировании ди­электрических пленок, и повышения износостойкости лодочек, в качестве защитного слоя осаждают слой поликремния толщиной не менее 0,2 мкм из газовой смеси аргона с моносиланом или дихлорсиланом при 575-625°С и давлении...

Номер патенту: 11380

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Гнип Микола Дмитрович, Новосядлий Степан Петрович, Білоган Ярослав Михайлович

МПК: H01L 23/48

Мітки: спосіб, алюмінієвою, захисту, інтегральної, металізацією, поверхні, схемі, створення

Формула / Реферат:

Способ создания защиты поверхности инте­гральной схемы с алюминиевой металлизацией, включающий последовательное формирование на поверхности интегральной схемы пленки фосфоросиликатного стекла и нанесение пленки нитрида кремния магнетронним распылением кремния в среде азота, отличающийся тем, что с целью повы­шения выхода годных и надежности интегральной схемы, предварительно на алюминиевой металли­зации осуществляют формирование...

Номер патенту: 11379

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Новосядлий Степан Петрович, Бірковий Юрій Леонідович, Насипайко Олександр Васильович

МПК: H01L 21/18

Мітки: спосіб, виготовлення, великих, схем, інтегральних

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления больших интеграль­ных схем, включающий формирование кремние­вой структуры с активными и пассивными элементами, формирование на ее нерабочей сторо­не соединительного слоя, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью клея, формирова­ние контактов и герметизирующего слоя, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения качества схем за счет снижения уровня механических...

Номер патенту: 11378

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Бірковий Юрій Леонідович

МПК: H01L 21/205

Мітки: структур, спосіб, епітаксіальних, виготовлення, кремнієвих

Формула / Реферат:

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур, включающий формирование скрытых областей n+ -типа на кремниевой подлож­ке р-типа с последующим нанесением слоя поли­кремния, термическую обработку структуры в окислительной среде с образованием на поверхно­сти поликремния слоя оксида, газового травления в среде хлористого водорода и эпитаксиальное на­ращивание слоя n-типа, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и...

Номер патенту: 11377

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Насипайко Олександр Васильович, Маскович Степан Михайлович, Гринюк Іван Дмитрович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/205

Мітки: осадження, півпровідникові, діелектричних, плівок, підкладки, лодочка

Формула / Реферат:

Лодочка для осаждения диэлектрических пленок на полупроводниковые подложки, содер­жащая платформу с пазами, установленную на ро­ликах, отличающаяся тем, что, с целью увели­чения срока службы лодочки и повышения качест­ва диэлектрических пленок, лодочка дополнитель­но снабжена боковой планкой с пазами, неподвижными и съемными экранами, предназна­ченными для установки в пазы платформы вместе с подложками и имеющими диаметр, не меньший диаметра...

Номер патенту: 8485

Опубліковано: 30.09.1996

Автор: Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: схем, елементів, системі, інтегральних, контактно-металізованої, формування, спосіб, тонкоплівкових

Формула / Реферат:

Способ формирования контактно-металлизированной системы тонкоплсночных элементов интегральных схем, включающий очистку под­ложки, нанесение методом напыления резистивной пленки из сплавов керметных материалов, пленки никеля или алюминия для контактных площадок и металлизации, создание топологии ре­зисторов, токоведущих шин и контактных площа­док методом фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины и повы­шения...

Номер патенту: 6454

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Благий Богдан Степанович, Василів Ярослав Олексійович, Бірковий Юрій Леонідович

МПК: H01L 23/48

Мітки: інтегральної, схемі, виготовлення, вивідної, рамки, спосіб

Формула / Реферат:

(57) Способ изготовления выводной рамки для интегральной схемы, включающий рихтовку ленты из железоникелевого сплава, вырубку выводной рамки из ленты, отжиг рамки в среде водорода, металлизацию траверс внешних выводов и кристаллодержателя осаждением алюминия, отличающийся тем, что перед осаждением алюминия осаждают слой редкоземельного металла толщиной не менее 100А или при распылении алюминий легируют редкоземельным металлом в пределах 1-3...

Номер патенту: 4675

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Бірковий Юрій Леонідович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 21/28

Мітки: спосіб, схемах, контактно-металізованої, системі, формування, інтегральних

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ формирования контактно-метализированной системы в интегральных схемах, включающий нанесение на обратную сторону подложки с активными структурами слоя поликристаллического кремния, формирование с помощью фотолитографии U-образного рельефа на обратной стороне, снятие фоторезиста, формирование полицидной пленки на обратной стороне под ложки с последующей термообработкой, формирование уровня металлизации на лицевой стороне...

Номер патенту: 3900

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Бірковий Юрій Леонідович, Гуменяк Михайло Васильович, Маскович Степан Михайлович, Прокіпчин Василь Васильович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: спосіб, формування, біполярних, металізації, високострумових, інтегральних, схем

Формула / Реферат:

1. Способ формирования металлизации для сильнотоковых биполярных интегральных схем, включающий двухстадийное магнетронное распыление мишени в плазме аргона и смеси аргона и (1-10% вес) моносилана, фотолитографию для создания разводки и контактов, отличающийся тем, что распыление составной мишени, содержащей в массиве основного металла штыри из тугоплавкого или редкоземельного металла, для нанесения нижнего слоя проводят в плазме аргона, а...

Номер патенту: 3856

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Василів Ярослав Олексійович, Бірковий Юрій Леонідович, Шретер Валерій Георгійович, Новосядлий Степан Петрович, Кульов Володимир Іванович

МПК: H01L 23/48

Мітки: інтегральної, схемі, корпус

Формула / Реферат:

Корпус для интегральной схемы, содержащий выводную рамку из железоникелевого сплава, кристаллодержатель, алюминиевое основание и крышку, отличающийся тем, что на поверхности кристаллодержателя и внутренних траверс выводной рамки выполнена локальная металлизация из алюминия легированного редкоземельным металлом или из первого слоя редкоземельного металла и слоя алюминия, при этом на лицевой стороне основания нанесена пленка карбида...

Номер патенту: 3767

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Остапчук Анатолій Іванович, Бірковий Юрій Леонідович, Благий Богдан Степанович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: C09J 109/00, C09J 161/00, C09J 9/00 ...

Мітки: теплоелектропровідний, клей, мікроелектроніки

Формула / Реферат:

Теплоэлектропроводный клей для микроэлектроники, включающий связующее и наполнитель, отличающийся тем, что он содержит в качестве связующего смесь раствора резольной фенолоформальдегидной смолы в этаноле с сухим остатком 55-65% и раствора резиновой смеси на основе бутадиен-нитрильного каучука в бутилацетате с сухим остатком 16-18% в массовом соотношении 1:2,0-2,7, а в качестве наполнителя - силицид переходного металла и легированный кремний...

Номер патенту: 3923

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/70

Мітки: інтегральної, термострумового, спосіб, схемі, тренування

Формула / Реферат:

1. Способ термотоковой тренировки интегральной схемы, включающий нагрев интегральной схемы и подачу на нее переменного напряжения, отличающийся тем что нагрев интегральной схемы осуществляют на пластине после формирования на неї структуры металлизации при температуре 85-2500С, а переменное напряжение выбирают синусоидальное или импульсное, которое прикладывают между металлизацией на пластине и подложкой интегральное схемы.2. Способ по...

Номер патенту: 3214

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Савчин Богдан Петрович, Прокіпчин Василь Степанович, Шпакович Роман Степанович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/283

Мітки: вісь, спосіб, формування, металізації

Формула / Реферат:

Способ формирования металлизации БИС, включающий вскрытие контактных окон к элементам, химическую обработку, магнетронное распыление мишени, содержащей алюминий и тугоплавкий металл, формирование с помощью фотолитографии металлизированной разводки и пассивацию окислом, отличающийся тем, что магнетронное распыление проводят из единой мишени, состоящей, по крайней мере, из двух материалов, в качестве одного из которых используют алюминий или...

Номер патенту: 3213

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Карплюк Олександр Іванович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: легування, іонного, малих, визначення, спосіб, доз

Формула / Реферат:

Способ определения малых доз ионного легирования, включающий измерения неравновесных импульсных вольтфарадных характеристик предварительно легированной тестовой МДП-структуры, отличающийся тем, что предварительное легирование тестовой структуры осуществляют ионной имплантацией примеси, создающей тип проводимости, противоположный типу проводимости подложки, до концентрации, равной или большей концентрации примеси в подложке, вольтфарадные...

Номер патенту: 1775

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Маскович Степан Михайлович, Бірковий Юрій Леонідович, Гуменяк Михайло Васильович, Новосядлий Степан Петрович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 21/28

Мітки: спосіб, металізації, схем, зворотної, інтегральних, стороні, кристалів

Формула / Реферат:

Способ металлизации обратной стороны кристалла интегральных схем, включающий формирование кремниевой структуры с активными и пассивными элементами на кристалле, формирование на его нерабочей стороне соединительного слоя из полицида, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью теплоэлектропроводного клея или эвтектики, отличающийся тем, что соединительный слой на обратной стороне формируют...