H01L 21/24 — сплавлення домішок, наприклад легуючих і електродних матеріалів, з напівпровідникової підкладкою
Спосіб формування матрично-капельного контакту до напівпровідників a iii b v
Номер патенту: 24110
Опубліковано: 31.08.1998
Автори: Сумська Тамара Севастянівна, Челюбєєв Віктор Миколайович, Іванов Володимир Миколайович, Яшнік Владілен Макарович
МПК: H01L 21/24, H01L 21/18
Мітки: контакту, матрично-капельного, формування, спосіб, напівпровідників
Текст:
...на очищенную поверхность полупроводника эвтектического сплава толщиной 3 0 150 нм с прследующим нагревом до 900-1000°С в течение не более 30 с н охлаждением в течение не более 30 с д о температуры термообработки а После чего осаждают барьерный слой с предварительной выдержкой системы при температуре термообработки в т е чение 0 , 5 - 5 контактом методом магнетронного н а пыления в вакууме осаждают барьерные слои Аи (50 нм) - Мо (100 нм) -...