Іванов Володимир Миколайович

Номер патенту: 97882

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Саченко Анатолій Васильович, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Пилипчук Олександр Сергійович, Конакова Раїса Василівна, Арсєнтьєв Іван Нікітовіч, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Новицький Сергій Вадимович, Ткаченко Олександр Кирилович, Іванов Володимир Миколайович, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/268

Мітки: контакту, низькотемпературного, створення, спосіб, омічного, типу, а3в5, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 90462

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H03B 7/00

Мітки: нвч, генератор, перестрійний

Формула / Реферат:

1. Перестрійний НВЧ генератор, що містить резонатор у вигляді відрізка прямокутного хвилеводу з закорочуючим поршнем на одному з кінців, а другий кінець через трансформатор повного опору з'єднаний з узгодженим навантаженням, активний напівпровідниковий діод з від'ємним опором та параметричний діод, які встановлені по широкій стінці хвилеводу на відстані  один від одного, та...

Номер патенту: 87875

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Ковтонюк Віктор Михайлович, Веремійченко Георгій Микитович, Іванов Володимир Миколайович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Новицький Сергій Вадимович, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 21/66

Мітки: нвч, дискретний, активний, пристрій

Формула / Реферат:

1. Активний дискретний НВЧ-пристрій з двома каскадами радіальної лінії передачі, який містить в собі розташовані вісесиметрично напівпровідникову активну структуру дискової форми, до плоских сторін якої створені низькоомні катодний та анодний контакти, яка представляє собою діод, циліндричний тримач, на торцевій площині циліндричного виступу якого закріплена катодною стороною напівпровідникова структура, кільцевий ізолятор з кришкою, плоскі...

Номер патенту: 83664

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Новицький Сергій Вадимович, Іванов Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Саченко Анатолій Васильович, Бобиль Олександр Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: H01L 21/268

Мітки: створення, контакту, спосіб, омічного

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до ІnР та GaAs, який включає очищення пластини, на яку у вакуумі в одному технологічному циклі напилюють шари золота, германію, бориду або нітриду тугоплавкого металу та зовнішній контактний шар золота, після чого в інертній атмосфері проводять швидкий термічний відпал всієї структури, який відрізняється тим, що напилюють спочатку шар золота, а потім шар германію однакових товщин, сумарна товщина яких...

Номер патенту: 73523

Опубліковано: 25.09.2012

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Ковтун Станіслав Іванович, Веремійченко Георгій Микитович, Ковтонюк Віктор Михайлович

МПК: H05B 7/02

Мітки: приладів, електронної, зварювання, пристрій, елементів, техніки

Формула / Реферат:

1. Пристрій для зварювання елементів приладів електронної техніки, що містить два стрижні з тугоплавкого матеріалу у формі циліндрів з плоскими боковими поверхнями або у формі багатогранників, які з'єднанні між собою плоскими поверхнями при допомозі діелектричного кільця або стискувача та електрично відокремлені один від одного за допомогою окремої смужки слюди або іншого подібного матеріалу, при цьому робочі частини стрижнів виконані у...

Номер патенту: 69834

Опубліковано: 10.05.2012

Автор: Іванов Володимир Миколайович

МПК: B23B 51/04, B23B 51/06

Мітки: кільцеве, сегментне, свердло, алмазне

Формула / Реферат:

Свердло алмазне кільцеве сегментне, що містить трубчастий корпус з різальною алмазовмісною сегментною частиною, закріпленою на робочому торці циліндричного трубчастого корпуса, і з'єднаний з трубчастим корпусом хвостовик з осьовим каналом для подавання зовні охолоджуючої рідини всередину трубчастого корпуса, яке відрізняється тим, що на внутрішній поверхні трубчастого корпуса по всій її довжині виконані гвинтові канавки для подавання...

Номер патенту: 69833

Опубліковано: 10.05.2012

Автор: Іванов Володимир Миколайович

МПК: B23B 51/04, B23B 51/06

Мітки: свердло, кільцеве, сегментне, алмазне

Формула / Реферат:

Свердло алмазне кільцеве, що містить трубчастий корпус з різальною алмазовмісною сегментною частиною, закріпленою на робочому торці циліндричного трубчастого корпуса, і з'єднаний з трубчастим корпусом хвостовик з осьовим каналом для подавання зовні охолоджуючої рідини всередину трубчастого корпуса, яке відрізняється тим, що на зовнішній поверхні трубчастого корпуса по всій його довжині виконані гвинтові канавки для відведення охолоджуючої...

Номер патенту: 69832

Опубліковано: 10.05.2012

Автор: Іванов Володимир Миколайович

МПК: F16B 25/00

Мітки: потайною, гвинт, головкою

Формула / Реферат:

1. Гвинт з потайною головкою, що містить нарізний стрижень і потайну головку, яка має верхню плоску поверхню, з боку якої в головці виконано заглиблення для привідного інструмента, і нижню поверхню, що сходиться у напрямку до різьбового стрижня, при цьому нижня поверхня головки має декілька рівномірно розташованих по периметру різальних елементів, які мають передні грані, що виконані паралельно і з боковим зміщенням відносно поздовжньої осі...

Номер патенту: 65725

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Тарасов Ілля Сергійович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Іванов Володимир Миколайович, Арсентьєв Іван Микитович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Ковтонюк Віктор Михайлович, Новицький Сергій Вадимович, Мілєнін Віктор Володимирович, Бобиль Олександр Васильович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 21/66

Мітки: діодів, контролю, спосіб, ганна, катодного, якості, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб контролю якості катодного контакту діодів Ганна, який полягає в тому, що на напівпровідниковій пластині формують омічні контакти, за допомогою зондового блока, який дозволяє пропускати струм через досліджувану мезаструктуру і закорочені сусідні мезаструктури, вимірюють ВАХ (вольт-амперні характеристики), прикладаючи до досліджуваної мезаструктури імпульси напруги з послідовно зростаючою амплітудою однієї і іншої полярності, з ВАХ...

Номер патенту: 51542

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Раєвська Нелля Сергіївна, Ковтонюк Віктор Михайлович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: фосфіду, індію, діод, ганна

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діод Ганна з фосфіду індію, який містить в собі епітаксіальну мезаструктуру типу n-n+-n++, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний контакти із сплаву золото-германій, бар'єрні шари із дибориду титану або дибориду цирконію, до яких сформовані контактуючі шари з молібдену, потім з'єднувальні шари із золота та тепловідвід до катодного контакту, і яка вісесиметрично розташована в діелектричному корпусі із...

Номер патенту: 49990

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Веремійченко Георгій Микитович, Арсєнтьєв Іван Нікітіч, Конакова Раїса Васильйовна, Міленін Віктор Володимирович, Іванов Володимир Миколайович, Тарасов Ілья Сєргєєвіч, Ковтонюк Віктор Михайлович, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенійович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: фосфіду, індія, ганна, діод

Формула / Реферат:

Діод Ганна, що містить епітаксіальну структуру n++- n+- n, до якої зі сторін n++ та n виконані омічні контакти з контактуючими приєднувальними шарами, між якими сформовані антидифузійні шари з дибориду титану або дибориду цирконію, при цьому вся епітаксійна структура вісесеметрично розміщена і закріплена в діелектричному кільцевому корпусі, в якому до верхньої та нижньої площин виконана металізація, за допомогою якої та гнучкого плоского...

Номер патенту: 37684

Опубліковано: 10.12.2008

Автори: Дроздова Лариса Анатоліївна, Вотякова Ірина Андріївна, Клімова Олена Михайлівна, Іванов Володимир Миколайович, Бойко Валерій Володимирович

МПК: A61K 35/14, A61K 35/24

Мітки: типів, діабету, лікування, клітинних, допомогою, різного, походження, спосіб, трансплантатів, цукрового

Формула / Реферат:

Спосіб лікування цукрового діабету І і II типів за допомогою клітинних трансплантатів різного походження, що включає приготування і введення біологічного матеріалу імунокорегуючої дії, який відрізняється тим, що додатково проводять індивідуальний підбір клітинних препаратів, що корегують метаболічні, ендокринні та автоімунні розлади, залежно від типу цукрового діабету, наявності його ускладнень та типу імунофізіологічних порушень; зазначені...

Номер патенту: 8493

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Ніколаєнко Юрій Єгорович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: діод, арсеніду, ганна, напівпровідниковий, надвисокочастотний, галію

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний діод Ганна з арсеніду галію, що містить металокерамічний корпус, елементи з'єднання, тепловідвід із золота та встановлену на ньому мезаструктуру, яка виконана у вигляді диска із арсеніду галію типу n-n+-n++, на якій зі сторони n++ сформовано анодний омічний контакт, а зі сторони n сформовано пошаровий катодний омічний контакт, який включає шар золото-германієвого сплаву, антидифузійний шар із дибориду...

Номер патенту: 59314

Опубліковано: 15.08.2003

Автори: Антонюк Марія Миколаївна, Хіврич Борис Іванович, Стабнікова Олена Всеволодівна, Іванов Володимир Миколайович

МПК: A21D 8/04

Мітки: солоду, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання солоду, що включає миття зерна, його почергове повітряно-водяне замочування, пророщування та сушіння, який відрізняється тим, що замочування зерна проводять у розчині селену з концентрацією від 1,7 до 3,2 мкг/мл до вмісту селену у солоді від 15 до 28 мкг/г сухого зерна.

Номер патенту: 59313

Опубліковано: 15.08.2003

Автори: Герасименко Лариса Олександрівна, Антонюк Марія Миколаївна, Іванов Володимир Миколайович, Арсеньєва Лариса Юріївна, Стабнікова Олена Всеволодівна, Устинов Юрій Васильович

МПК: A21D 8/04

Мітки: спосіб, приготування, тіста

Формула / Реферат:

Спосіб приготування тіста, що включає введення дріжджового препарату та заміс тіста, який відрізняється тим, що у процесі замісу тіста додатково вводять добавку солоду, збагаченого селеном у кількості 2-4% до маси борошна в тісті.

Номер патенту: 38464

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Стабнікова Олена Всеволодівна, Устинов Юрій Васильович, Стабніков Віктор Петрович, Аксьонова Ірина Вікторівна

МПК: A21D 8/04

Мітки: спосіб, тіста, приготування

Текст:

...майже не відрізняються від контролю (табл. 2). Зразки 1 та 2 мали мілку рівномірну тонкостінну пористість, м’яку еластичну м'якушку злегка жовтого кольору. За смаком вироби між собою не відрізнялися. Булочка масою 100 г в залежності від обраного дріжджового препарату буде містити 9-73 мкг селену, що складає від 10 до 70% добової потреби. Фізико-хімічні показники дріжджів, вирощених на середовищі з селенітом натрію. КонцентВміст Підйо-...

Номер патенту: 35515

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Стабнікова Олена Всеволодівна, Стабніков Віктор Петрович, Уланов Михайло Миколайович

МПК: C02F 3/34, C02F 3/30

Мітки: нітратів, спосіб, води, очищення, грунтової

Формула / Реферат:

Спосіб очищення ґрунтової води від нітратів, який включає контактування ґрунтової води з імобілізованними у гелі клітинами денітрифікуючих бактерій, який відрізняється тим, що в якості мобілізованих клітин використовують Paracoccus denilrificans та формування геля здійснюється на поверхні синтетичного носія.

Номер патенту: 24110

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Сумська Тамара Севастянівна, Челюбєєв Віктор Миколайович, Яшнік Владілен Макарович

МПК: H01L 21/18, H01L 21/24

Мітки: матрично-капельного, спосіб, формування, контакту, напівпровідників

Текст:

...на очищенную поверхность полупроводника эвтектического сплава толщиной 3 0 150 нм с прследующим нагревом до 900-1000°С в течение не более 30 с н охлаждением в течение не более 30 с д о температуры термообработки а После чего осаждают барьерный слой с предварительной выдержкой системы при температуре термообработки в т е чение 0 , 5 - 5 контактом методом магнетронного н а пыления в вакууме осаждают барьерные слои Аи (50 нм) - Мо (100 нм) -...

Номер патенту: 7501

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Коваленко Леонід Євгенійович, Іванов Володимир Миколайович, Скакун Василь Захарович

МПК: H01L 21/28

Мітки: електронах, типу, гарячих, формування, напівпровідників, спосіб, контактів, основі, приладів

Формула / Реферат:

Способ формирования контактов к приборам на горячих электронах на основе полупроводников типа АІІІBV, включающий очистку поверхности полупроводника с помощью импульсной фотонной обработки, формирование контактного, барьерно­го и технологического слоев и термообработку при температуре выше точки плавления контактного слоя, проводимые в едином технологическом цик­ле, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия...

Номер патенту: 7499

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Коваленко Леонід Євгенійович, Скакун Василь Захарович, Яшнік Владілен Макарович, Цвірко Юрій Антонович

МПК: H01L 29/40

Мітки: контакт, бар'єром, галлія, арсеніду, шотткі

Номер патенту: 5310

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Яшнік Владілен Макарович, Коваленко Леонід Євгенійович, Цвірко Юрій Антонович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/18

Мітки: напівпровідникових, сполучень, контакт, ііі, елементів, основі

Формула / Реферат:

Контакт к полупроводниковым элементам на основе соединений АIIIВV, содержащий кон­тактный слой, внешний токопроводящий слой и расположенный между ними барьерный слой, отличающийся тем, что, с целью повы­шения надежности и улучшения электриче­ских параметров контакта, барьерный слой выполнен из электропроводящих соединений на основе фаз внедрения переходных метал­лов ІІІ-VІ групп.

Номер патенту: 4739

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Коваленко Леонід Євгенійович, Іванов Володимир Миколайович, Скакун Василь Захарович

МПК: H01L 29/00

Мітки: напівпровіників, формування, спосіб, бар'єра, шотткі

Формула / Реферат:

Способ формирования барьера Шоттки к полупроводникам AIIIBV, включающий нанесение на поверхность полупроводника путем магнетронного распыления пленки из соединений типа фаз внедрения: нитридов, боридов, карбидов или силицидов переходных металлов III-V групп при подаче на полупроводниковую подложку отрицательного смещения, отличающийся тем, что проводят магнетронное распыление фазы внедрения из мишени стехиометрического состава в инертной...