Спосіб формування матрично-капельного контакту до напівпровідників a iii b v

О 7• * ДЛЯ СЛУЖЕБНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ ЭКЗ. № СОЮЗ СОВЁТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН I H.Oj Ь 21/24, 21/18 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЄТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬГГИЯМ ПРИ ГННТ СССР ОПИ 1 (21) 4665467/25 (22) 05.01.89 (72) В.Н.Иванов, Т.С.Сумская, В.Н.Челюбеев и В.М.Яшник (53) 621.382(088.8) (56) Иванов В.Н. и д р . Электронная техника, с е р . 2 "Полупроводниковые прибора", вып.4, 195, с . 4 9 - 5 3 , 1988 е Патент Великобритании Р 1539294, к л . II Ot L 21/44, оттублик. 1979. (54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАТРИЧНОКАПЕЛЫЮГО КОНТАКТА К ПОЛУПРОВОДНИК М A''B V А (57) Изобретение относится к электронной технике. Цель - упрощение техно Изобретение относится! к электронной технике. Цель - упрощение технологии и снижение трудоемкости. П р и м е р . Эпитаксиальные структуры (100) арсенида галлия типа n - n g - n + + подвергают очистке в вакуумной камере непосредственно перед осаждением методом магнетронного н а пыления эвтектического п а к е т а : Аи (25 нм) и Ge (10 нм). Затем о с у ществляют формирование матрично-капельной структуры путем нагрева образцов в атмосфере И-г до 950 С с о скоростью нагрева 1800°С/мин, охлаждают образцы до 48О°С и выдерживают при этой температуре в течение 30 с , при этом формируют легированные под каплями области омического к о н т а к т а . Затем на поверхность с о сформированным матрично-капелъным омическим 26-91 логии и снижение трудоемкости. Цель достигается за счет последовательного формирования матрично-капельного омического контакта к полупроводникам* А В дополнительного нанесения на очищенную поверхность полупроводника эвтектического сплава толщиной 3 0 150 нм с прследующим нагревом до 900-1000°С в течение не более 30 с н охлаждением в течение не более 30 с д о температуры термообработки а После чего осаждают барьерный слой с предварительной выдержкой системы при температуре термообработки в т е чение 0 , 5 - 5 контактом методом магнетронного н а пыления в вакууме осаждают барьерные слои Аи (50 нм) - Мо (100 нм) - Аи (400 нм) и проводят термообработку при 450 С в течение 30 с в атмосфере водорода для улучшения адгезии ме таллиз а ции о Способ позволяет улучшить э л е к т рофизические параметры и воспроиэ-. водимость омического контакта, с н и жает трудоемкость формирования матрично-капельной структуры, исключает операции актинолитографии и применение соответствующего, дорогостоящего оборудования, например электронографического. Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я Способ формирования матрично-капельиого омического контакта к полу* ' ->•; * 1664075 Проводникам A1(IBvf включающий очистку поверхности пластин, осаждение барьерного слоя, формирование матрицы областей омических контактов, осажде- 5 ние эвтектического сплава, термообработну при температуре выше эвтек- \ тнческой, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения технолог гии и снижения трудоемкости, после * В а с И л ъ е в а очистки поверхности на плаотину наносят эвтектический сплав толщиной 30150 нм, после чего осуществляют нагрев до температуры 900-1000 С в течение не более 30 с и охлаждение в течение не более 30 с до температуры термообработки, затем пластины выдерживают при этой температуре 0,55 мин и осаждают барьерный слой. Составитель А. Никифоров ХРЄД М.Моргентал ТЄ 4 КорректорМ. Самборская Заказ 2681/ДСП Тираж 243 Подписное В И П Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР НИИ 113035, Москва, Ж.-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,1С