H01L 21/18 — приладів, в яких напівпровідникові підкладки містять елементи IV групи Періодичної Системи або з’єднання A

Номер патенту: 105856

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Кабацій Василь Миколайович

МПК: G01B 11/26, G01D 5/00, G02B 6/122 ...

Мітки: оптоелектронний, датчик

Формула / Реферат:

1. Оптоелектронний датчик, що містить джерело випромінювання світлового каналу, фотоприймач, рухомий оптичний елемент, який відрізняється тим, що рухомий оптичний елемент виконано у вигляді вигнутої дзеркальної поверхні, розміщеної на рухомому елементі з можливістю кутового або лінійного переміщення, фотоприймач складається з корпусу, виготовленого з непрозорого для світлового випромінювання матеріалу з прозорим для світлового випромінювання...

Номер патенту: 104813

Опубліковано: 11.03.2014

Автори: Кабацій Василь Миколайович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: G01P 3/36, H01L 21/18, G01B 11/16 ...

Мітки: величин, волоконно-оптичний, датчик, фізичних

Формула / Реферат:

1. Волоконно-оптичний датчик фізичних величин, що містить імпульсні джерела випромінювання, підсилювач фотоструму, вхід якого з'єднано з виходом фотоприймача, а електричний вихід підключений до блока обробки інформації, входи світловодів підключені до джерел випромінювання, а їхні виходи розміщені напроти фотоприймача, який відрізняється тим, що імпульсні джерела випромінювання активуються незалежно один від одного з різною періодичністю та...

Номер патенту: 80956

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Кабацій Василь Миколайович

МПК: G01B 11/26, G02B 6/122, G01D 5/00 ...

Мітки: датчик, повороту, вала, кута, оптоелектронний

Формула / Реферат:

Оптоелектронний датчик кута повороту вала, що містить систему освітлення, фотоприймач, кодовий диск, який механічно зв'язаний з валом і систему з відбиваючими та невідбиваючими світло поверхнями, розміщеними на торці диска, який відрізняється тим, що джерело випромінювання активується з різною періодичністю та тривалістю часу, світловий канал попадає перпендикулярно або під кутом на фотоприймач і може змінювати своє положення вздовж його...

Номер патенту: 80955

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Кабацій Василь Миколайович

МПК: G01B 11/16, G01P 3/36, H01L 21/18 ...

Мітки: датчик, переміщення, волоконно-оптичний

Формула / Реферат:

Волоконно-оптичний датчик переміщення, що містить імпульсне джерело випромінювання, підсилювач фотоструму, вхід якого з'єднано з виходом фотоприймача, а електричний вихід підключений до блока обробки інформації, входи світловодів підключені до джерела випромінювання, а їхні виходи розміщені напроти фотоприймача та закріплені на підкладці, який відрізняється тим, що імпульсні джерела випромінювання працюють незалежно один від одного з різною...

Номер патенту: 80954

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Кабацій Василь Миколайович

МПК: G01P 13/00, G01B 11/00, G01P 3/36 ...

Мітки: датчик, оптоелектронний, переміщення, двоканальний

Формула / Реферат:

Двоканальний оптоелектронний датчик переміщення, що містить джерела випромінювання, фотоприймач, рухомий оптичний елемент, який відрізняється тим, що імпульсні джерела випромінювання, які почергово створюють незалежні світлові канали з різною періодичністю та тривалістю часу, закріплені на різних рухомих підкладках напроти вікон фотоприймача, активний елемент якого виготовлений з плоскопаралельної монокристалічної пластинки моносульфіду...

Номер патенту: 65585

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Копач Олег Вадимович, Гешл Павел, Феш Роман Миколайович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 13/14, H01L 21/18

Мітки: вирощування, стехіометрії, відхиленням, пристрій, контрольованим, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з контрольованим відхиленням від стехіометрії, що включає двозонну ростову піч опору з розміщеною в ній запаяною скляною ампулою росту з наважками компонентів, який відрізняється тим, що пристрій містить герметичний автоклав з можливістю регулювання тиску газу, в якому розміщено піч, в нижній частині якої знаходиться п'єдестал з розміщеною на ньому ампулою росту та компенсаційний ковпак, нижньою...

Номер патенту: 56544

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Немчин Олександр Федорович, Падалко Віктор Григорович, Осінський Володимир Іванович, Вербицький Володимир Григорович, Мокеєв Юрій Геннадійович, Чернишов Віктор Григорович

МПК: H01L 21/18, H01L 21/26

Мітки: світлодіод, виготовлення, спосіб, білий, супер'яскравий

Формула / Реферат:

1. Білий супер’яскравий світлодіод, який містить підкладку або іншу кристалічну орієнтуючу поверхню, на котрій із твердого розчину сполук третьої та п’ятої груп Періодичної системи, зокрема AlGaInNAs, виготовлена гетероструктура інжекторів електронів і дірок та активний випромінюючий шар, який відрізняється тим, що епітаксійна гетероструктура інжекторів електронів і дірок та активний  випромінюючий шар формуються в гетерогенній варізонній...

Номер патенту: 24110

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Яшнік Владілен Макарович, Сумська Тамара Севастянівна, Челюбєєв Віктор Миколайович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/24, H01L 21/18

Мітки: контакту, матрично-капельного, напівпровідників, спосіб, формування

Текст:

...на очищенную поверхность полупроводника эвтектического сплава толщиной 3 0 150 нм с прследующим нагревом до 900-1000°С в течение не более 30 с н охлаждением в течение не более 30 с д о температуры термообработки а После чего осаждают барьерный слой с предварительной выдержкой системы при температуре термообработки в т е чение 0 , 5 - 5 контактом методом магнетронного н а пыления в вакууме осаждают барьерные слои Аи (50 нм) - Мо (100 нм) -...

Номер патенту: 18621

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Губа Сергій Констянтинович, Плахотка Лариса Степанівна, Воронін Валєрій Олександрович

МПК: H01L 21/18

Мітки: основі, арсеніду, транзисторів, схем, спосіб, структур, одержання, польових, інтегральних, шотткі, галію

Формула / Реферат:

Способ получения структур арсенида галлия для интегральных схем на основе полевых транзисторов Шоттки, включающий последовательное выращивание в едином технологическом цикле на полуизолирующей подложке арсенида галлия высокоомного буферного слоя методом газофазного осаждения из смеси, содержащей трихлорид мышьяка с водородом, с использованием источника галлия, активного слоя  -типа проводимости и контактного слоя  -типа проводимости,...

Номер патенту: 14398

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Решетіло Ганна Павлівна, Сафонов Володимир Олександрович, Таран Галина Олександрівна

МПК: H01L 21/18, H01L 21/02

Мітки: мікромініатюрних, виготовлення, тензоперетворювачів, групового, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ группового изготовления микроми­ниатюрных тензопреобразователей, включаю­щий окисление двух кремниевых пластин, травление первой пластины до получения мемб­ран, формирование диффузионных тензорезисторов и металлической разводки, нанесение слоя алюмоборсиликатного стекла на вторую пластину, соединение пластин слоем стекла при нагревании и разделение пластин на отдельные тензопреобра-зователи, отличающийся тем, что, с целью повы­шения...

Номер патенту: 11379

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Бірковий Юрій Леонідович, Новосядлий Степан Петрович, Насипайко Олександр Васильович

МПК: H01L 21/18

Мітки: спосіб, великих, інтегральних, виготовлення, схем

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления больших интеграль­ных схем, включающий формирование кремние­вой структуры с активными и пассивными элементами, формирование на ее нерабочей сторо­не соединительного слоя, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью клея, формирова­ние контактов и герметизирующего слоя, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения качества схем за счет снижения уровня механических...

Номер патенту: 5310

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Цвірко Юрій Антонович, Коваленко Леонід Євгенійович, Яшнік Владілен Макарович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/18

Мітки: напівпровідникових, контакт, основі, ііі, елементів, сполучень

Формула / Реферат:

Контакт к полупроводниковым элементам на основе соединений АIIIВV, содержащий кон­тактный слой, внешний токопроводящий слой и расположенный между ними барьерный слой, отличающийся тем, что, с целью повы­шения надежности и улучшения электриче­ских параметров контакта, барьерный слой выполнен из электропроводящих соединений на основе фаз внедрения переходных метал­лов ІІІ-VІ групп.