H01L 27/15 — з напівпровідниковими компонентами, спеціально призначеними для випромінювання світлових коливань і мають щонайменше один потенційний бар’єр, на якому має місце стрибкоподібне зміна потенціалу, або поверхневий бар’єр
Вузькосмугове джерело інфрачервоного випромінювання із керованою спектральною характеристикою
Номер патенту: 102615
Опубліковано: 25.07.2013
Автори: Ліптуга Анатолій Іванович, Кислий Володимир Павлович, Маслов Володимир Петрович, Мороженко Василь Олександрович
МПК: H01L 33/04, H01L 27/15, B82Y 20/00 ...
Мітки: джерело, керованою, характеристикою, вузькосмугове, спектральною, інфрачервоного, випромінювання
Формула / Реферат:
Вузькосмугове джерело інфрачервоного випромінювання із керованою спектральною характеристикою, яке має корпус і містить в собі напівпрозорий у всьому робочому спектральному діапазоні інтерференційний випромінюючий елемент з підкладинкою і джерелом тепла, яке відрізняється тим, що інтерференційним випромінюючим елементом є одномірний магнітофотонний кристал (МФК) з щонайменше одним магнітоактивним шаром, при цьому одномірний МФК має зазор з...
Оптичний сенсор газів
Номер патенту: 89707
Опубліковано: 25.02.2010
Автори: Кабацій Василь Миколайович, Блецкан Дмитро Іванович, Гасинець Вячеслав Омелянович
МПК: G01N 21/01, H01L 33/00, H01L 27/15 ...
Мітки: сенсор, оптичний, газів
Формула / Реферат:
1. Оптичний сенсор газів, який складається з оптично зв'язаних джерел інфрачервоного випромінювання з довжинами хвиль випромінювання в максимумах, що співпадають з максимумом смуги власного поглинання аналізованого газу, робочої кювети з вхідним і вихідним газовим патрубком, оптичних елементів та приймача інфрачервоного випромінювання, який відрізняється тим, що робоча кювета виконана з двох частин різної довжини із спільним внутрішнім...
Сенсор газу
Номер патенту: 35410
Опубліковано: 10.09.2008
Автори: Кабацій Василь Миколайович, Гасинець Вячеслав Омелянович, Блецкан Дмитро Іванович
МПК: H01L 33/00, G01N 21/00, H01L 27/15 ...
Формула / Реферат:
Сенсор газу, що містить оптично зв'язані джерела інфрачервоного випромінювання з довжинами хвиль випромінювання в максимумах, що співпадають з максимумом смуги власного поглинання аналізованого газу, робочу кювету з вхідним і вихідним газовим патрубком, оптичні елементи, приймач інфрачервоного випромінювання, який відрізняється тим, що робоча кювета виконана з двох частин різної довжини з спільним внутрішнім об'ємом, вхідне прозоре для...
Спосіб виготовлення гнучкого світлодіодного модуля
Номер патенту: 83968
Опубліковано: 26.08.2008
Автори: Буєров Геннадий Васильович, Борщов В'ячеслав Миколайович, Лістратенко Олександр Михайлович, Костишин Ярослав Ярославович, Тимчук Ігор Трохимович, Проценко Максим Анатолійович
МПК: H01L 27/15
Мітки: спосіб, виготовлення, модуля, світлодіодного, гнучкого
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення гнучкого світлодіодного модуля, що включає формування гнучкої комутуючої плати, встановлення та з'єднання світлодіодних приладів електричною схемою на гнучкій комутуючій платі, встановлення комутуючої плати зі світлодіодними приладами на теплопровідні основи, які розміщені на відстані одна від одної, який відрізняється тим, що гнучку комутуючу плату виготовляють з лакофольгового діелектрика, у якій методом...
Спосіб нанесення металічних контактів на фотоприймач з напівпровідникового матеріалу
Номер патенту: 14375
Опубліковано: 15.05.2006
Автори: Коломзаров Юрій Вікторович, Маслов Володимир Петрович
МПК: H01L 27/15, H01L 21/00, H01L 25/00, H01L 29/40 ...
Мітки: спосіб, матеріалу, нанесення, металічних, контактів, фотоприймач, напівпровідникового
Формула / Реферат:
Спосіб нанесення металічних контактів на фотоприймач з напівпровідникового матеріалу, що включає нанесення на поверхню фотоприймача двох металічних шарів, один з яких виконаний з нікелю, який відрізняється тим, що обидва шари металів наносять методом вакуумного випаровування при температурі підкладки 130-170 °С, причому перший шар виконують з адгезійно активного металу – титану, товщиною 30-70 нм, а другий шар виконують з нікелю,...