Патенти з міткою «фотоприймач»

Номер патенту: 112695

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Кабацій Василь Миколайович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: H01L 31/101, G02B 1/10, H01L 31/0203 ...

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

1. Фотоприймач, який містить підкладку, активний елемент, що здатний приймати інфрачервоне випромінювання та прозоре для випромінювання герметизуюче покриття, який відрізняється тим, що герметизуюче покриття містить щонайменше два шари, виконані з матеріалу на основі багатокомпонентних халькогенідних стекол систем (Ge, Pb)-As-(S, Se), причому сукупний об'єм шарів перевищує об'єм активного елемента щонайменше у два рази, а форма зовнішнього...

Номер патенту: 92086

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Ілащук Марія Іванівна, Брус Віктор Васильович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Солован Михайло Миколайович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач n-TiN / p-CdTe, який містить поглинач оптичного випромінювання з p-CdTe та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді свіжотравленої монокристалічної підкладки p-CdTe, на яку нанесена плівка n-TiN, що має щільну структуру.

Номер патенту: 102617

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Піскун Сергій Жанович, ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ

МПК: H01L 29/00, H01L 31/04, H01L 31/105 ...

Мітки: характеристикою, спектральною, фотоприймач, напівпровідниковий, світлоструму, регульованою

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий фотоприймач з регульованою спектральною характеристикою світлоструму, що містить вироджену область n-типу провідності, вироджену р-область і вироджений компенсований шар, розміщений між ними в градієнтному електричному полі, направленому від n-області до р-області, який відрізняється тим, що перпендикулярно до площини компенсованого шару створені бокові плоскопаралельні дзеркальні грані, з можливістю вводу вхідного...

Номер патенту: 76593

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Годованюк Василь Миколайович, Веремйова Ганна Вікторівна, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить генератор на одноперехідному фототранзисторі, в електричний контур емітера якого ввімкнутий конденсатор, який відрізняється тим, що як конденсатор використовується МДН-структура, електрична ємність якої зменшується із зменшенням напруги.

Номер патенту: 70482

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Піскун Сергій Жанович

МПК: H01L 31/04

Мітки: світлоструму, спектральною, характеристикою, фотоприймач, регульованою, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий фотоприймач з регульованою спектральною характеристикою світлоструму, що містить вироджену область n-типу провідності, вироджену p-область і вироджений компенсований с-шар, розміщений між ними в градієнтному електричному полі направленому від n-області до p-області, який відрізняється тим, що перпендикулярно до площини с-шару створені бокові плоскопаралельні дзеркальні грані, через одну з яких, перпендикулярно до них в...

Номер патенту: 68148

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Горбачов Віктор Едуардович, Марколенко Павло Юрійович

МПК: H01L 31/00

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, на базі генератора релаксаційних коливань, що вміщує кремнієвий одноперехідний фототранзистор, в електричний контур емітера якого ввімкнуто конденсатор і кремнієвий біполярний фототранзистор, який відрізняється тим, що біполярний фототранзистор виконано з германію.

Номер патенту: 58429

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Німцович Андрій Іванович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікуліна Лідія Федорівна

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить одноперехідний фототранзистор на базі напівпровідника n-типу провідності з двома омічними контактами, емітерним p-n-переходом між ними та областю n-типу в емітерній р-області, який відрізняється тим, що в емітерній p-області сформовано додаткову область n-типу.

Номер патенту: 34141

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Дмитрієв Михайло Володимирович

МПК: H01J 15/00, H01L 31/042

Мітки: напівпровідниковий, фотоприймач

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий фотоприймач, що містить випрямні контакти, який відрізняється тим, що на освітлюваній стороні розташовано чотири напівпрозорі електроди, створюючі з напівпровідником випрямні контакти, електрично не зв'язані між собою і розділені зазорами шириною, рівною діаметру світлової плями d, а в центрі фотоприймача електроди рівновіддалені один від одного на відстань D, яка дорівнює d+2L, де L - дифузійна довжина неосновних...

Номер патенту: 19922

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Мінгальов Володимир Олександрович, Никифоров Станислав Миколайович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить чотиришарову p-n-p-n структуру, який відрізняється тим, що містить чотири чотирьохшарові p-n-p-n структури, при цьому аноди та примикаючи до них бази суміщені та є спільними до всіх фототиристорів, а колектори і катоди усередині них розташовані навкруги анода на рівній відстані від нього.

Номер патенту: 14375

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Маслов Володимир Петрович, Коломзаров Юрій Вікторович

МПК: H01L 27/15, H01L 21/00, H01L 25/00 ...

Мітки: контактів, матеріалу, фотоприймач, нанесення, спосіб, напівпровідникового, металічних

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення металічних контактів на фотоприймач з напівпровідникового матеріалу, що включає нанесення на поверхню фотоприймача двох металічних шарів, один з яких виконаний з нікелю, який відрізняється тим, що обидва шари металів наносять методом вакуумного випаровування при температурі підкладки 130-170 °С, причому перший шар виконують з адгезійно активного металу – титану, товщиною 30-70 нм, а другий шар виконують з нікелю,...

Номер патенту: 6117

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Смертенко Петро Семенович, Мельниченко Микола Миколайович, Наумов Вадим Володимирович, Шмирєва Олександра Миколаївна

МПК: H01L 51/42

Мітки: фотоприймач, ультрафіолетового, діапазону

Формула / Реферат:

1. Фотоприймач УФ діапазону, що містить напівпровідникову пластинку з потенційними бар'єрами, на робочу поверхню якої нанесені поверхневий шар і просвітлююче покриття, на якому сформована омічна контактна мережа, а на тильну поверхню пластинки нанесено омічний контакт, який відрізняється тим, що поверхневий шар виконаний із матеріалу, що перевипромінює ультрафіолетове випромінювання в видиме.2. Фотоприймач за п. 1, який...

Номер патенту: 3324

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/00, H01L 31/00

Мітки: напівпровідниковий, фотоприймач, термостатований

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий термостатований фотоприймач, який містить фотоприймач, приєднаний до теплопоглинаючої сторони термоелектричного модуля, тепловиділяюча сторона якого з'єднана з тепловідводом, який відрізняється тим, що на зворотному боці напівпровідникового фотоприймача додатково розташований шар діелектрика з електрокомутаційними доріжками, до яких приєднані гілки термоелектричного модуля.

Номер патенту: 69919

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Мінгальов Володимир Олександрович, Курмашов Шаміль Джемашевич, Сидорець Ростислав Григорович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/06

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що виконаний у вигляді напівпровідникової пластини довжиною порядку довжини дифузійного зміщення неосновних носіїв заряду з р-n переходом на одному кінці та омічним контактом на другому, який відрізняється тим, що на більш широкій стороні пластини розміщений металевий електрод, відділений від пластини діелектриком, причому товщина вузької сторони пластини повинна бути рівна товщині області об'ємного заряду напроти електрода.

Номер патенту: 31008

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Шмирєва Олександра Миколаївна, Семікіна Тетяна Вікторівна

МПК: H01L 31/101

Мітки: ультрафіолетового, фотоприймач, випромірювання, спосіб, виготовлення

Текст:

...якості технології та, як наслідок, її складності та вартості виробу. | В основу винаходу покладено задачу створити такий фотоприймач ультрафіолетового випромінювання, в якому новий матеріал діелектричного шару дозволив підвищити чутливість до ультрафіолету у порівнянні з прототипом. ) і Поставлена задача вир ішується тим, що в фотоприймачі ультрафіолетового випромінювання, який вміщує напівпровідникову платі вк на тильній...

Номер патенту: 16376

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Конопальцева Людмила Іванівна, Стріха Віталій Іларіонович, Раренко Іларій Михайлович, Бабак Олександр Костянтинович

МПК: H01L 31/10

Мітки: бар'єром, шоткі, багатоелементний, фотоприймач

Формула / Реферат:

1. Многоэлементный фотоприемник с барьером Шоттки, содержащий полупроводниковый слой, на одной поверхности которого расположены две группы металлических или квазиметаллических электродов, снабженных электрическими выводами, причем по крайней мере часть электродов образует с полупроводниковым слоем барьер Шоттки, отличающийся тем, что, с целью обеспечения многоканальной регистрации оптического излучения, один из электродов выполнен общим и не...

Номер патенту: 10857

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Ушенін Юрій Валентинович, Паламарчук Олександр Леонідович, Кіяновський Олександр Павлович, Ярандін Володимир Анатолійович, Сухина Юрій Юхимович

МПК: H03M 1/22

Мітки: кут-код, перетворювачів, кодовий, напівпровідниковий, фотоприймач

Формула / Реферат:

Кодовый полупроводниковый фотоприемник для преобразователей «угол-код», содержащий подложку, расположенные на ней в соответствии с п-разрядным кодом Грея 2n кольцевых дорожек, содержащих фоточувствительные и фотоне­чувствительные ячейки, каждому j-му разряду со­ответствуют две идентичные кодовые дорожки, смещенные одна относительно другой на длину фотоячейки 1-го разряда, сигнальные электроды, отличающийся тем, что кодовое поле фото­приемника...

Номер патенту: 9135

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Богданович Віктор Борисович, Кіяновський Олександр Павлович, Паламарчук Олександр Леонідович, Ушенін Юрій Валентинович, Свєчніков Сергій Васильович

МПК: H03M 1/22

Мітки: фотоприймач, багатоелементний, лінійних, код, перетворювачів, кутових, переміщень

Формула / Реферат:

Многоэлементный фотоприемник для преоб­разователей линейных и угловых перемещений в код, содержащий диэлектрическую подложку с на­несенными на нее проводниками и расположенными между ними фоточувствительными и нефоточувст-вительными элементами в двоичном коде, отлича­ющийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления многоэлеметного фотоприемника, в нем нефоточувствительные элементы выполнены в виде узких щелей в фоточувствительных...