Патенти з міткою «напівпровідникового»

Номер патенту: 122011

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/00

Мітки: визначення, кристала, спосіб, діода, напівпровідникового, перегріву

Формула / Реферат:

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання прямої вольт-амперної характеристики діода  при заданій температурі експлуатації  і перебудову її у...

Номер патенту: 116034

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, отримання, напівпровідникового, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять індій та телур, синтез напівпровідникового матеріалу, вирощування кристалів з нього методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів вводять кадмій, у співвідношенні, яке визначають стехіометричним складом напівпровідникового матеріалу Cd3In2Те6,...

Номер патенту: 110938

Опубліковано: 25.10.2016

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Іван Петрович, Козярський Дмитро Петрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, оберненої, залежністю, напівпровідникового, пропорційною, температури, електропровідності, лінійною, матеріалу, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з обернено пропорційною лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, сірка, вирощування твердого розчину методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що вирощування проводять у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину...

Номер патенту: 110340

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Деменський Олексій Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: напівпровідникового, діода, перегріву, кристала, спосіб, визначення, робочого

Формула / Реферат:

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  крізь діод і температурах

Номер патенту: 104442

Опубліковано: 25.01.2016

Автори: Козярський Іван Петрович, Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: коефіцієнтом, отримання, спосіб, електропровідності, температурним, від'ємним, напівпровідникового, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з від'ємним температурним коефіцієнтом електропровідності, що включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають сірку та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...

Номер патенту: 102780

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: перегріву, визначення, величини, напівпровідникового, кристала, спосіб, діода

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  і температурах

Номер патенту: 101175

Опубліковано: 25.08.2015

Автор: Тюменцев Володимир Антонович

МПК: G01R 27/00, G01N 25/18

Мітки: параметрів, вимірів, пристрій, напівпровідникового, комплексних, матеріалу

Формула / Реферат:

Пристрій для комплексних вимірів параметрів напівпровідникового матеріалу, що містить гарячий і холодний зонди, які контактують із зразком, автоматичний регулятор різниці температур між зондами, на вхід якого підключений вихід вимірювача температури диференційною термопарою, робочі кінці якої встановлені в місцях контакту зонда із зразком, резистивний нагрівач гарячого зонда, механізми підйому та опускання зондів, а також переміщення їх...

Номер патенту: 100436

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Червак Оксана Петрівна, Осадчук Ярослав Олександрович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: двокаскадний, шестизондовий, виходом, частотним, пристрій, вимірювання, мікроелектронний, опору, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку - тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому в перший каскад введено чотири зонди, друге джерело живлення, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, причому третій та...

Номер патенту: 100080

Опубліковано: 10.07.2015

Автор: Тюменцев Володимир Антонович

МПК: G01N 27/406, G01N 13/00, G01Q 10/00 ...

Мітки: напівпровідникового, електрофізичних, матеріалу, вимірів, пристрій, параметрів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вимірювання електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу, що містить вимірювальні зонди, вимірювальну головку, важіль, пружину, механізми підйому і опускання зондів, переміщення вимірюваного зразка, переміщення вимірювальної головки щодо зразка, блоків управління і вимірювання, який відрізняється тим, що зонди жорстко кріпляться на вимірювальної головці, виконаній у вигляді плоскої металевої пластини, яка...

Номер патенту: 98569

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Червак Оксана Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Ярослав Олександрович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: мікроелектронний, двокаскадний, виходом, напівпровідникового, частотним, пристрій, вимірювання, чотирьохзондовий, опору

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку-тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому перший каскад містить два зонди, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, третій та четвертий зонди з'єднані з першим та...

Номер патенту: 97274

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Конакова Раїса Василівна, Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч, Дуб Максим Миколайович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 29/40, H01L 23/52, H01L 23/48 ...

Мітки: напівпровідникового, омічна, система, алмазу, термостійка, контактна, приладу

Формула / Реферат:

1. Термостійка контактна омічна система до напівпровідникового приладу з алмазу, яка містить в собі контактний шар титану визначеної товщини, який нанесений на поверхню алмазу, бар'єрний антидифузійний шар з тугоплавкого матеріалу оптимальної товщини та контактуючий шар із золота, до якого приєднуються електричні виводи приладу, причому після термічної обробки утворюється проміжний шар карбіду титану, який забезпечує адгезію та низький...

Номер патенту: 107772

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Храновська Катерина Миколаївна, Перекос Анатолій Омелянович, Надутов Володимир Михайлович, Кокорін Володимир Володимирович, Коноплюк Сергій Михайлович

МПК: C22C 1/04, C22C 9/01, C22C 9/05 ...

Мітки: спосіб, сплаву, термоелектричного, напівпровідникового, одержання, наноструктурного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання наноструктурного термоелектричного напівпровідникового сплаву, що включає високочастотне плавлення вихідного матеріалу сплаву при температурі до 1700 °C та початковому тиску 0,1 МПа в атмосфері аргону, твердіння розплаву та одержання порошку сплаву, який відрізняється тим, що розплав твердіє до температури 20-30 °C зі швидкістю 20 °C/с з утворенням зливків сплаву, одержують порошок сплаву з середнім діаметром...

Номер патенту: 92108

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Храновська Катерина Миколаївна, Коноплюк Сергій Михайлович, Кокорін Володимир Володимирович, Перекос Анатолій Омелянович, Надутов Володимир Михайлович

МПК: C22C 1/04, C22C 9/00

Мітки: термоелектричного, одержання, наноструктурного, напівпровідникового, сплаву, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання наноструктурного термоелектричного напівпровідникового сплаву, що включає високочастотне плавлення вихідного матеріалу сплаву при температурі до 1700 °C та початковому тиску 0,1 МПа в атмосфері аргону, твердіння розплаву, отримання порошку сплаву, який відрізняється тим, що розплав твердіє до температури 20-30 °С зі швидкістю 20 °С/секунду з утворенням зливків сплаву, отримують порошок сплаву з середнім діаметром...

Номер патенту: 92083

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Козярський Іван Петрович, Майструк Едуард Васильович, Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: залежністю, отримання, лінійною, матеріалу, електропровідності, спосіб, напівпровідникового, температури

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають індій та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...

Номер патенту: 89560

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Димко Лариса Миколаївна, Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, матеріалу, прямопропорційною, залежністю, температури, напівпровідникового, отримання, електропровідності

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з прямопропорційною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть та телур, вирощування методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній і марганець у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого...

Номер патенту: 104957

Опубліковано: 25.03.2014

Автори: Кисельов Юрій Владиславович, Кашковський Володимир Ілліч, Безуглий Юрій Віталійович, Кисельов Владислав Петрович

МПК: H01M 8/06, H01M 8/00

Мітки: сонячної, ккд, напівпровідниковий, напівпровідникового, спосіб, електричну, перетворювача, перетворювач, енергії, підвищення

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення ККД напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що складається з трьох елементів у вигляді плоских напівпровідникових пластин Р-, І- і N-типу провідності (або відповідно шарів Р, І, N), який відрізняється тим, що як робочий елемент, здатний до фотоефекту, використовують пластину І-типу провідності (або шар І), який інвертують в лицьову сторону перетворювача, а пластини Р- і N-типу провідності...

Номер патенту: 84899

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Козярський Дмитро Петрович, Козярський Іван Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: напівпровідникового, спосіб, матеріалу, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена, та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину (3HgSe)1-x(Al2Se3)x:Mn.

Номер патенту: 84872

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Хандожко Віктор Олександрович, Балазюк Віталій Назарович, Ковалюк Захар Дмитрович, Раранський Микола Дмитрович, Саміла Андрій Петрович

МПК: G01N 24/00

Мітки: термометра, квадрупольного, ядерного, кристала, застосування, термометричної, напівпровідникового, речовини, основі, резонансу, gаsе

Формула / Реферат:

Застосування напівпровідникового кристала GaSe як термометричної речовини для термометра на основі ядерного квадрупольного резонансу.

Номер патенту: 78592

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Лисько Валентин Валерійович

МПК: G01R 27/00

Мітки: визначення, теплопровідності, процес, напівпровідникового, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Процес визначення теплопровідності напівпровідникового матеріалу, який складається з розміщення досліджуваного зразка відомих геометричних розмірів у вимірювальному термостаті, включення резистивного нагрівника для створення градієнту температури вздовж зразка, виходу вимірювальної системи в стаціонарний режим та вимірювання електричної потужності нагрівника і перепаду температур на зразку, який відрізняється тим, що під час виходу...

Номер патенту: 74631

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: шестизондовий, напівпровідникового, пристрій, вимірювання, мікроелектронний, опору

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, активний індуктивний елемент, друге та третє джерело живлення, три резистори, два біполярних транзистори, до яких підключена перша та друга ємність, кожна з яких з'єднані з активним індуктивним елементом та другим джерелом живлення,...

Номер патенту: 70598

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Шевчик Віталій Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/68

Мітки: феромагнітного, спосіб, напівпровідникового, одержання, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання феромагнітного напівпровідникового матеріалу, який ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватого напівпровідника GaSe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому перпендикулярно напрямку електричного струму.

Номер патенту: 68937

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: опору, мікроелектронний, шестизондовий, вимірювання, напівпровідникового, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, друге та третє джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені третій та четвертий зонди, крім того...

Номер патенту: 66947

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: мікроелектронний, напівпровідникового, опору, чотиризондовий, вимірювання, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, друге джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені другий та третій зонди, крім того ємність...

Номер патенту: 60532

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, отримання, матеріалу, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, телур та сірка, вирощування твердого розчину та виготовлення зразків матеріалу, який відрізняється тим, що вихідні компоненти готують у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-хMnxTe1-zSez , a виготовлені зразки відпалюють у парах сірки.

Номер патенту: 60531

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, напівпровідникового, матеріалу, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, телур, вирощування твердого розчину та виготовлення зразків матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають залізо у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-х-yMnxFeyTe.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що виготовлені зразки...

Номер патенту: 58198

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Возняк Леся Юріївна, Костів Наталія Володимирівна, Волинюк Дмитро Юрійович, Черпак Владислав Володимирович, Стахіра Павло Йосипович, Готра Зенон Юрійович

МПК: H01L 33/26

Мітки: спосіб, світлодіода, виготовлення, напівпровідникового, матеріалу, основі, органічного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світлодіода на основі органічного напівпровідникового матеріалу, згідно з яким на підкладці з електропровідним покриттям оксиду індію наносять дірково транспортний шар, зверху наносять органічну напівпровідникову плівку трихінолінат алюмінію та поверх якої формують алюмінієвий електрод, який відрізняється тим, що дірково транспортний шар виконаний з органічного напівпровідникового матеріалу фталоціаніну нікелю.

Номер патенту: 49972

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Черпак Владислав Володимирович, Стахіра Павло Йосипович, Возняк Леся Юріївна, Волинюк Дмитро Юрійович, Готра Зеновій Юрійович

МПК: H01L 31/101

Мітки: основі, виготовлення, напівпровідникового, органічного, фотоперетворювача, спосіб, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотоперетворювача на основі органічного напівпровідникового матеріалу, згідно з яким на підкладку з електропровідним покриттям наносять органічну напівпровідникову плівку та поверх такої структури формують алюмінієвий електрод, який відрізняється тим, що між електропровідним покриттям та органічною плівкою термовакуумним напиленням наносять оптично прозору плівку йодиду міді (CuІ).

Номер патенту: 48261

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Ілащук Марія Іванівна, Ульяницький Костянтин Сергійович, Парфенюк Орест Архипович

МПК: C30B 29/00

Мітки: отримання, матеріалу, фотоперетворювачів, спосіб, основі, напівпровідникового, кристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі CdTe, що включає підготовку вихідних компонентів Cd і Те, їх синтез та вирощування матеріалу методом кристалізації із розплаву, який відрізняється тим, що при підготовці вихідних компонентів Cd і Те до них додають компоненту Mg у кількості, необхідній для утворення під час синтезу твердого розчину Cd1-xMgxТе.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 43566

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/00

Мітки: напівпровідникового, галію-індію, розчину, основі, матеріал, оптоелектроніки, функціональних, твердого, селеніду, пристроїв, монокристалів

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 42419

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович

МПК: H01L 31/102, H01L 31/00, H01L 31/18 ...

Мітки: напівпровідникового, спосіб, теплового, виготовлення, діода

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода, що ґрунтується на використанні сильнолегованого германію з електронним типом провідності, який відрізняється тим, що потенціальний бар'єр для електронів створюється шляхом дифузії акцепторної домішки, а інжекційний шар формується повторною дифузією донорної домішки з більш високим рівнем розчинності для конвертації типу провідності, і досягнення концентрації електронів n

Номер патенту: 87210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G02F 1/29

Мітки: галію-індію, селеніду, твердого, функціональних, розчину, оптоелектроніки, пристроїв, напівпровідникового, матеріал, основі

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як матеріал використовують монокристал напівпровідникового твердого розчину складу, що відповідає формулі (Ga0.2In0.8)2Se3.

Номер патенту: 86114

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: галію-індію, оптоелектроніки, твердого, матеріал, основі, напівпровідникового, селеніду, функціональних, розчину, монокристалів, пристроїв

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/08

Мітки: пристроїв, ga0.3in0.7)2se3, селеніду, застосування, монокристала, матеріалу, функціональних, розчину, твердого, галію-індію, оптоелектроніки, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 30108

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/00

Мітки: ga0,2in0,8)2se3, твердого, оптоелектроніки, галію-індію, матеріалу, напівпровідникового, застосування, функціональних, селеніду, розчину, пристроїв, монокристала

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію  як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 26301

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/08

Мітки: застосування, твердого, селеніду, розчину, функціональних, 0,9)2se3, матеріалу, галію-індію, монокристала, пристроїв, напівпровідникового, оптоелектроніки

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In0.9)2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 25783

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Солнцев В'ячеслав Сергійович, Горбанюк Тетяна Іванівна, Євтух Анатолій Антонович

МПК: G01N 27/12, G01N 27/22

Мітки: газового, напівпровідникового, чутливого, датчика, виготовлення, спосіб, сірководню

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового газового датчика, чутливого до сірководню, що включає отримання на монокристалічній пластині кремнію р-типу методом електрохімічного травлення шару пористого кремнію, його окиснення та осадження на поверхню паладієвої плівки, а також нанесення металічних контактів на плівку паладію та пластину кремнію, який відрізняється тим, що окиснення шару пористого кремнію проводять шляхом термічного окиснення при...

Номер патенту: 25754

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Феделеш Василь Іванович

МПК: G01K 17/08

Мітки: ga0,4in0,6)2se3, монокристала, акустооптичного, селеніду, твердого, матеріалу, лазерного, застосування, модулятора, розчину, напівпровідникового, галію-індію, випромінювання

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,4Іn0,6)2Se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання.

Номер патенту: 22867

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Пономаренко Анатолій Олександрович, Воронько Андрій Олександрович, Бобженко Сергій Володимирович

МПК: H01S 5/00, H01L 23/34

Мітки: приладу, термостабілізації, напівпровідникового, охолодження, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для охолодження та термостабілізації напівпровідникового приладу, що містить теплову трубу, камера випаровування якої знаходиться у тепловому контакті з напівпровідниковим кристалом, який відрізняється тим, що зона теплового контакту теплової труби з кристалом обмежена контактною площадкою напівпровідникового кристала, розташованою у зоні найбільшого тепловиділення.2. Пристрій для охолодження та термостабілізації...

Номер патенту: 77305

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: ga0.3in0.7)2se3, випромінювання, матеріалу, модулятора, застосування, розчину, монокристала, твердого, селеніду, лазерного, галію-індію, напівпровідникового, акустооптичного

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 15.08.2006

Автор: Поповкін Юрій Матвійович

МПК: H02H 7/10

Мітки: напівпровідникового, перетворювача, захисту, стану, прилад, контролю

Формула / Реферат:

1. Прилад для захисту та контролю напівпровідникового перетворювача, який має m плечей та n вентилів у кожному плечі, кожен вентиль з'єднаний з відповідним формувачем імпульсів, комутатор сигналів, який містить генератор імпульсів, схему НІ, схему І, один вхід якого з'єднаний з генератором, а другий - зі схемою НІ, лічильник, вхід якого з'єднаний зі схемою І, а вихід - з виходом першого дешифратора, вихід дешифратора з'єднаний з комутатором,...