H01L 29/40 — електроди

Номер патенту: 97274

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Болтовець Микола Силович, Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч, Дуб Максим Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Веремійченко Георгій Микитович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/40, H01L 23/48, H01L 31/0312, H01L 23/52 ...

Мітки: алмазу, омічна, система, термостійка, напівпровідникового, приладу, контактна

Формула / Реферат:

1. Термостійка контактна омічна система до напівпровідникового приладу з алмазу, яка містить в собі контактний шар титану визначеної товщини, який нанесений на поверхню алмазу, бар'єрний антидифузійний шар з тугоплавкого матеріалу оптимальної товщини та контактуючий шар із золота, до якого приєднуються електричні виводи приладу, причому після термічної обробки утворюється проміжний шар карбіду титану, який забезпечує адгезію та низький...

Номер патенту: 14375

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Маслов Володимир Петрович, Коломзаров Юрій Вікторович

МПК: H01L 27/15, H01L 25/00, H01L 21/00 ...

Мітки: нанесення, металічних, напівпровідникового, спосіб, контактів, фотоприймач, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення металічних контактів на фотоприймач з напівпровідникового матеріалу, що включає нанесення на поверхню фотоприймача двох металічних шарів, один з яких виконаний з нікелю, який відрізняється тим, що обидва шари металів наносять методом вакуумного випаровування при температурі підкладки 130-170 °С, причому перший шар виконують з адгезійно активного металу – титану, товщиною 30-70 нм, а другий шар виконують з нікелю,...

Номер патенту: 55798

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Литвиненко Сергій Вікторович, Литвиненко Віктор Миколайович

МПК: H01L 29/40

Мітки: діода, структур, бар'єром, спосіб, виготовлення, шотткі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур діода з бар'єром Шотткі, що включає осадження нітриду і двооксиду кремнію на кремнієві пластини, фотолітографію, травлення меза-структур і їх термічне окислення, видалення нітриду кремнію з контактних майданчиків і формування на них випрямляючих контактів, який відрізняється тим, що перед видаленням нітриду кремнію проводять дифузію бору в робочу сторону пластин при Т = 950 -1050°С протягом 20-30 хвилин в...

Номер патенту: 36917

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Коростинська Тамара Василівна, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/40

Мітки: мілкозалегаючим, система, кремнієвої, переходом, контактна, багатошарова, структури

Текст:

...рівняння: T1=T 2+DRT×P (4) DRT - гранично допустиме значення теплового опору бар'єрного шару; Р - потік тепла через бар'єрний шар. Вирішуючи (2) відносно L, знаходимо гранично максимальну товщин у бар'єрного шару: м3 Q - кількість речовини, накопиченої на поверхні розділу метал-бар'єрний шар, атом . м3 2 Новими ознаками, які має дане технічне рішення порівняно з прототипом, є виконання бар'єрного шару з певним відношенням титану до азоту і...

Номер патенту: 23327

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Переверзев Анатолій Васильович, Антошин Сергій Володимирович

МПК: H01L 29/40, H01L 27/06

Мітки: формування, високовольтного, перемикання, пристрій, транзистора, траєкторії

Формула / Реферат:

1. Устройство формирования траектории переключения высоковольтного транзистора, содержащее индуктивность, включенную в цепи нагрузки, конденсатор и стабилитрон, включенные параллельно выходным выводам ключевого транзистора, отличающееся тем, что содержит дополнительно статический индукционный транзистор, затвор которого соединен с первым выводом ключевого транзистора и общей шиной ключа, сток соединен со вторым выводом ключевого транзистора и...

Номер патенту: 7499

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Цвірко Юрій Антонович, Скакун Василь Захарович, Іванов Володимир Миколайович, Яшнік Владілен Макарович, Коваленко Леонід Євгенійович

МПК: H01L 29/40

Мітки: галлія, бар'єром, шотткі, контакт, арсеніду