H01L 27/18 — містять компоненти, що володіють надпровідністю

Номер патенту: 71495

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Журба Олександр Михайлович

МПК: C30B 19/00, H01L 27/18, H01L 21/20 ...

Мітки: пристрій, рідкофазної, надпровідників, високотемпературних, епітаксії

Формула / Реферат:

Пристрій для рідкофазної епітаксії високотемпературних надпровідників, що містить вертикальний реактор, розміщений усередині вертикальної резистивної печі, підставку для печі з отвором для термопари і термопару, верхню та нижню горизонтальну підкладки, які розміщені в робочій зоні вертикального реактора з зазором між ними, підставку для нижньої горизонтальної підкладки, який відрізняється тим, що нижня горизонтальна підкладка має паз, верхня...