Патенти з міткою «рідкофазної»
Установка для рідкофазної епітаксії
Номер патенту: 14302
Опубліковано: 15.05.2006
Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Андронова Олена Валеріївна, Баганов Євген Олександрович, Курак Владислав Володимирович
МПК: C30B 19/00, C30B 29/40, H01L 21/208 ...
Мітки: епітаксії, установка, рідкофазної
Формула / Реферат:
Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка має багато комірок, вікно у вигляді отвору над підкладкою, утримуючий підкладку слайдер, встановлений із можливістю переміщення крізь касету уздовж комірок для підведення підкладки в комірки, і термопару, яка відрізняється тим, що комірки знаходяться у слайдері, а підкладка розміщена у нерухомій основі касети, в якій під підкладкою розташований теплообмінник, що...
Установка для рідкофазної епітаксії
Номер патенту: 14276
Опубліковано: 15.05.2006
Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Цибуленко Вадим Володимирович, Марончук Ігор Євгенович
МПК: H01L 21/208
Мітки: рідкофазної, епітаксії, установка
Формула / Реферат:
Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка виконана у вигляді розбірної конструкції, і має основу, прикріплену до основи пластину з ростовими комірками, що містить систему каналів і отворів, де ростові комірки мають змінні вкладиші для регулювання висоти ростових зазорів, де вкладиші виконані з пазами для розміщення фальшпідкладок, утримуючий підкладку слайдер, що має вікно над підкладкою і встановлений...
Пристрій для рідкофазної епітаксії високотемпературних надпровідників
Номер патенту: 71495
Опубліковано: 15.11.2004
Автор: Журба Олександр Михайлович
МПК: H01L 21/20, C30B 19/00, H01L 27/18 ...
Мітки: пристрій, рідкофазної, високотемпературних, епітаксії, надпровідників
Формула / Реферат:
Пристрій для рідкофазної епітаксії високотемпературних надпровідників, що містить вертикальний реактор, розміщений усередині вертикальної резистивної печі, підставку для печі з отвором для термопари і термопару, верхню та нижню горизонтальну підкладки, які розміщені в робочій зоні вертикального реактора з зазором між ними, підставку для нижньої горизонтальної підкладки, який відрізняється тим, що нижня горизонтальна підкладка має паз, верхня...
Установка для рідкофазної епітаксії
Номер патенту: 62234
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: Журба Олександр Михайлович, Курак Владислав Володимирович, Марончук Ігор Євгенович, Цибуленко Вадим Володимирович, Калашников Андрій Веніамінович
МПК: H01L 21/208
Мітки: епітаксії, рідкофазної, установка
Формула / Реферат:
Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка має багато комірок, утримуючий підкладку слайдер, встановлений із можливістю переміщення крізь касету уздовж комірок, для підведення підкладки в комірки, а також контейнери для гомогенізації і термопару, яка відрізняється тим, що касета виконана у вигляді розбірної конструкції, яка складається з основи, у пазу якої встановлений із можливістю переміщення слайдер...
Спосіб гетерогенної рідкофазної кристалізації алмазу
Номер патенту: 41467
Опубліковано: 17.09.2001
Автори: Середа Анатолій Павлович, Дяденко Аркадій Ігоревич
МПК: C10C 3/00, C01B 31/06, C30B 1/00 ...
Мітки: гетерогенної, спосіб, кристалізації, алмазу, рідкофазної
Формула / Реферат:
Спосіб гетерогенної рідкофазної кристалізації алмазу шляхом взаємодії вуглеводнів з каталізатором, який відрізняється тим, що як вуглеводні використовують дегідровані компоненти бітуму і процес здійснюють адсорбційною взаємодією цих компонентів з гідридною поверхнею каталізатора, що утворюється хемосорбцією водню при високотемпературному і каталітичному дегідруванні полідисперсних високомолекулярних компонентів бітум-смол і асфальтенів з...