Патенти з міткою «надпровідників»

Спосіб одержання високотемпературних керамічних надпровідників складу la1-хrxba2cu3оу

Завантаження...

Номер патенту: 109964

Опубліковано: 26.09.2016

Автори: Зенькович Олена Георгіївна, Шафорост Юлія Анатоліївна, Неділько Сергій Андрійович, Бойко Віра Іванівна, Король Ярослав Дмитрович

МПК: H01B 12/00, C04B 35/01, C04B 35/50 ...

Мітки: одержання, la1-хrxba2cu3оу, високотемпературних, спосіб, керамічних, складу, надпровідників

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високотемпературних надпровідників складу La1-xRxBa2Cu3Oy (R - рідкісноземельний елемент, що вибирається з ряду Y, Рr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu (0<х<1)), який відрізняється тим, що для приготування шихти проводять змішування порошків оксидів, карбонатів або нітратів відповідних металів у стехіометричних співвідношеннях, як La(R):Ba:Cu=1:2:3 для твердих розчинів заміщення складу...

Спосіб отримання нg-вмісних високотемпературних надпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 94369

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Бабич Орест Йосипович, Васюк Микола Миколайович, Матвіїв Мирон Васильович, Луців Роман Васильович, Бойко Ярослав Васильович, Габрієль Ігор Ігоревич

МПК: C01G 1/02, C01G 3/02, C01G 13/00 ...

Мітки: високотемпературних, спосіб, нg-вмісних, надпровідників, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання Hg-вмісних високотемпературних надпровідників, за яким наважують складові компоненти, перемішують та спікають суміш, отриманий матеріал прожарюють у атмосфері ртуті та кисню, який відрізняється тим, що наважують складові карбонати ВаСО3, СаСО3 та оксид CuO в стехіометричному співвідношенні 2:2:3, суміш пресують під тиском 103 атм і отримують таблетки d=12 мм, h=4 мм, які плавлять електричною дугою в режимі автотигля в...

Пристрій для вимірювання поверхневого імпедансу надпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 16620

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Баранник Олександр Анатолійович, Буняєв Сергій Олександрович, Філіпов Юрій Федорович, Прокопенко Юрій Володимирович, Черпак Микола Тимофійович

МПК: G01R 27/04

Мітки: імпедансу, пристрій, вимірювання, надпровідників, поверхневого

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання поверхневого імпедансу надпровідників, що містить квазіоптичний діелектричний резонатор, виконаний у вигляді тіла обертання, основа якого розташована на поверхні надпровідника, та пов'язаний з мікрохвильовим генератором та приймачем за допомогою діелектричних хвилеводів, який відрізняється тим, що твірна тіла обертання не паралельна осі його обертання, а дотичні до твірної у будь-якій її точці складають з основою кут,...

Спосіб виявлення змін поверхневих властивостей високотемпературних надпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 74239

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Мельничук Ігор Олександрович, Васильєв Олександр Васильович, Михайлов Володимир Іванович

МПК: H01L 39/00, G01N 27/00, G01R 33/035 ...

Мітки: властивостей, змін, надпровідників, поверхневих, спосіб, високотемпературних, виявлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення змін поверхневих властивостей високотемпературних надпровідників, який включає в себе безконтактне вимірювання діамагнітного відгуку зразка, що знаходиться у надпровідному стані, за допомогою вимірювального датчика, який відрізняється тим, що в процесі обробки на поверхні зразка формується область „свідка” анізотропної форми з незміненими властивостями і досліджується зміна параметра діамагнітного відгуку

Пристрій для рідкофазної епітаксії високотемпературних надпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 71495

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Журба Олександр Михайлович

МПК: H01L 27/18, C30B 19/00, H01L 21/20 ...

Мітки: епітаксії, пристрій, високотемпературних, надпровідників, рідкофазної

Формула / Реферат:

Пристрій для рідкофазної епітаксії високотемпературних надпровідників, що містить вертикальний реактор, розміщений усередині вертикальної резистивної печі, підставку для печі з отвором для термопари і термопару, верхню та нижню горизонтальну підкладки, які розміщені в робочій зоні вертикального реактора з зазором між ними, підставку для нижньої горизонтальної підкладки, який відрізняється тим, що нижня горизонтальна підкладка має паз, верхня...

Спосіб одержання плівок металооксидних високотемпературних надпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 24207

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Мелков Генадій Андрійович, Іванюта Олександр Миколайович, Соловйов Дмитро Олександрович, Шевчук Петро Павлович

МПК: C23C 14/35, C23C 14/28

Мітки: плівок, високотемпературних, одержання, спосіб, металооксидних, надпровідників

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівок металооксидних високотемпературних надпровідників, що включає формування в атмосфері робочого газу потоку плазми і потоку компонентів матеріалу, шляхом випарення мішені з матеріалу, що наноситься, і осадження плівок ВТНП на підкладку, який відрізняється тим, що випарення мішені проводять у просторово-часовому суміщенні процесів імпульсного лазерного випромінення і реактивного магнетронного розпилення речовини мішені...

Спосіб отримання плівок металооксидних високотемпературних надпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 24207

Опубліковано: 07.07.1998

Автори: Мелков Генадій Андрійович, Соловйов Дмитро Олександрович, Іванюта Олександр Миколайович, Шевчук Петро Павлович

МПК: C23C 14/28, C23C 14/35

Мітки: отримання, надпровідників, плівок, високотемпературних, спосіб, металооксидних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівок металооксидних високотемпературних надпровідників, що включає формування в атмосфері робочого газу потоку плазми і потоку компонентів матеріалу, шляхом випарення мішені з матеріалу, що наноситься, і осадження плівок ВТНП на підкладку, який відрізняється тим, що випарення мішені проводять у просторово-часовому суміщенні процесів імпульсного лазерного випромінення і реактивного магнетронного розпилення речовини мішені...

Спосіб одержання високотемпературних оксидних надпровідників r ba cu o 1 2 3 7-х

Завантаження...

Номер патенту: 5674

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Шевцов Микола Іванович, Бланк Абрам Борисович, Сумароков Станіслав Юрійович, Ткаченко Валентин Федорович

МПК: C04B 35/50

Мітки: одержання, спосіб, високотемпературних, надпровідників, оксидних

Формула / Реферат:

1. Способ получения высокотемпературных оксидных сверхпроводников R Ва2Сu3О7-x , где R - металл, выбранный из группы Y, La, Nd, Cu. Gd, при котором смешивают порошки оксидов металлов, входящих в состав соединения, взятых в стехиометрическом соотношении, и полученную смесь термообрабатывают в кислородсодержащей атмосфере с последующим охлаждением и размолом полученного продукта, отличающийся тем, что полученный после размола продукт...